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Gaoya dianqi, 2021 为研究红外及紫外成像技术检测零值绝缘子的有效性,试验采集了不同湿度和污秽度下,零值绝缘子处于绝缘子串不同位置时的红外热像图和紫外视频,分析了绝缘子串的发热、放电特性。利用有限元软件建立了热—电耦合场仿真模型,计算验证了不同条件下绝缘子串的温度及电场分布。研究表明:污秽干燥条件下,绝缘子串不易放电,紫外成像法无法有效检测零值绝缘子,红外热像图显示正常绝缘子的温升明显高于零值绝缘子温升,红外成像法可以有效检测零值绝缘子;污秽湿润条件下,由于高电导率的重污秽以及污秽受潮的不均匀性 ...
王胜辉 +4 more
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Gaoya dianqi直流接触器是实现分断、功率切换以及故障保护等功能的关键器件。文中以某直流接触器为例，建立了直流接触器氢气电弧特性仿真的二维磁流体动力学模型，该模型综合考虑了外部负载电路、触头运动以及非均匀外部磁场等因素对接触器电弧特性的影响，仿真研究了不同磁钢厚度下密闭式直流接触器内电弧开断过程中的电流电压变化曲线以及温度场分布。研究结果表明，在不同磁钢厚度的非均匀磁场作用下，450 V/400 A、充气压力为4 atm（1 atm=101 kPa）的直流接触器内部电弧的燃弧时间有所不同，并且随着磁钢厚度增大 ...
黄一凡, 王立军, 王凯, 张润铭
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Gaoya dianqi, 2012 笔者基于一起真实的GIS短路事故,对隔离开关动静触头不对中造成的屏蔽罩变形和弹簧断裂作了认真分析,并采用ANSYS软件对屏蔽罩变形情况进行了电场仿真计算。分析发现GIS内部绝缘强度对电场畸变非常敏感,任何外界因素改变GIS内部的电场均匀性,都会造成电场强度超过允许值,造成内部绝缘击穿。
卢启付 +5 more
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运行断裂的500kV棒形悬式复合绝缘子蚀损试验和电场计算分析
Dianci bileiqi, 2005 应用有限元数值计算方法,依据实际运行中的工况,对运行环境相近的两种典型结构500kV棒形悬式复合绝缘子,进行了电场和电位分布计算。得出受杆塔和高压导线分布电容的影响,绝缘子导线侧和接地侧的电场畸变严重;导线侧和接地侧的电场强度均高出绝缘子中部十几倍,电场分布极不均匀。结合运行实际,对复合绝缘子及伞套材料的耐漏电起痕和耐电蚀损性进行了试验。发现500kV棒形悬式复合绝缘子断裂掉线原因是硅橡胶伞套蚀损,内部芯棒暴露后经电晕烧蚀,进而水解引起脆断;复合绝缘子出现的电蚀老化 ...
党镇平, 彭宗仁
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C4F7N-air混合气体在稍不均匀和极不均匀电场中的工频绝缘特性分析
Gaoya dianqi近年来，作为SF6有效替代气体之一，七氟异丁腈（C4F7N）因其优异的电气性能和物化特性而受到关注与讨论，然而由于C4F7N的液化温度较高，需要与低液化温度的缓冲气体并用。选择空气作为缓冲气体，在稍不均匀电场与极不均匀电场下，通过工频击穿实验研究气压、混合占比和电极间隙对C4F7N-air混合气体工频击穿电压的影响。结果发现：C4F7N-air混合气体在两个电场下的工频击穿电压随着电极间隙的增大而近似线性增加，在极不均匀电场下，出现明显“驼峰”效应，混合比为8%~16%的C4F7N ...
陈曦 +4 more
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Dianci bileiqi, 2020 为了较全面地了解RTV涂层对绝缘子电场分布的影响,使用有限元法建立绝缘子模型进行数值计算,分析了RTV涂层的厚度、介电常数以及非均匀喷涂方式对10 kV支柱瓷绝缘子导线附近和支柱表面电场分布的影响。结果表明:绝缘子电场的分布不但受涂层厚度的影响还受涂层喷涂形状的影响,合适的喷涂方式有利于改善绝缘子电场分布;随着涂层厚度的增加,涂料的介电常数对绝缘子电场分布的影响程度也越大。所得结果可为绝缘子涂层的优化提供新的理论依据。
夏欣, 淡淑恒, 李翔宇
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Gaoya dianqi, 2014 将区域分解技术与有限元数值求解方法相结合,对于含有多重介质、薄均压屏蔽结构、非对称并联电容器组的252 kV SF6断路器灭弧室内部全场域进行三维电场数值计算。对比分析了区域分解技术对场域数值求解的影响,解决了大场域电场求解精度与求解效率的矛盾。给出了3种不同并联电容器组灭弧室绝缘配置方案,并对有无并联电容器组作用下的灭弧室内部电场进行对比分析,得到了灭弧室内部电场分布、触头沿面电场分布以及场均匀度的定量描述,找到了全场域绝缘薄弱点。
刘晓明 +3 more
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Gaoya dianqi, 1984 本文通过分析,提出宜采用三种不同电场均匀度的间隙,来全面评价强电负性气体的绝缘性能。文中还给出SF6气体在这三种间隙中放电特性的实验结果,并进行简要的讨论。
邱毓昌
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Gaoya dianqi, 2017 为研究长棒形瓷绝缘子电位与电场分布,以指导现有运维策略。文中采用有限元法,建立500 kV长棒形瓷绝缘子串三维模型,仿真并分析其电位和电场分布。结果表明:沿绝缘子串高度方向,长棒形瓷绝缘子串表面电位呈现三段式曲线,绝缘子串两端电位变化较快;其表面电场强度随高度变化呈U形曲线分布,场强最大值在高压端第1片伞裙与棒芯连接处。相比于普通悬式绝缘子串,长棒形瓷绝缘子串金具较少,其电位和电场分布更不均匀。
张佰庆 +5 more
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Gaoya dianqi, 2015 高压套管是高压开关设备中的一个至关重要的元件,其电场结构是一个典型的极不均匀电场结构,所以在设计中如何使其电场分布合理均匀就成为关键点。笔者从起晕场强及起晕电压入笔,给出了高压屏蔽环的设计思路;为了改善地电位附近场域分布,通过大量的电场解析,揭示了接地内置屏蔽筒的尺寸与瓷套的高度及内径间的关系;详细分析了套管在淋雨及干试状态下,由于瓷套外介质相对介电常数εr的变化所引起场域分布的变化情况及不同试验状态下的关注部位。最后给出了550 kV套管绝缘设计时,空气中各部位场强许可值的确定方法及其数值 ...
张书琴, 张克选, 高延峰
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