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Dianci bileiqi, 2017 仿真研究了污秽绝缘子在直击雷作用下的电磁场特性,绝缘子污秽情况分成全污染和部分污染两种,并分别分析了这两种情况下绝缘子电磁场的分布特征,并对绝缘子六个绝缘薄弱点进行了分析评估。研究发现这六个点的电场和磁场数值与复合绝缘子常见放电损伤有关,同时绝缘子的具体污秽条件对电场以及磁场的分布有较大影响,研究结果显示两种污秽条件下,同一电磁场测量点处电场数值差异可达65.15%,磁场数值差异可达10.9%。
李明浩, 张冬谊, 高参, 李杨
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Optical Fiber Voltage Sensor with New Fiber Component and Optical Path Design [PDF]
, 2008 光学电压互感器(OVT)是一种新型的电力互感器，它克服了传统电压互感器(VT)的许多缺点，在未来的电力系统中有着广阔的应用前景，光学电压互感器经过几十年的发展，已经形成了一套相关的理论，但是依然存在有待发展和完善的问题，本文的主要研究对象为光学电压互感器的核心部分即传感头，以后均称为光学电压传感器(OVS)。本文首先介绍了偏振光在晶体与双折射光纤中传输的基本理论，并在这个基础上分析了两种不同结构的光学电压传感器：一种是创新的运用高双折射光子晶体光纤制作的四分之一波片的透射式光学电压传感器 ...
徐俊娇
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Gaoya dianqi, 2010 基于后退欧拉法和变分原理推导了非线性的时域有限元电场计算方程。利用时域有限元方法分析了含不同应力控制管时的电缆终端电场分布。分析结果表明,采用由电容性和非线性电阻性材料复合绝缘结构的应力控制管时,电缆终端的电场分布最为均匀。
宫瑞磊 +4 more
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Gaoya dianqi, 2010 运用有限元法,研究了电缆终端应力锥安装错位时的高压静电场的分布和数值大小,计算了加载110 kV恒定电压于电力电缆上时,其终端的静电场分布与数值。应力锥正确安装时,覆盖电缆半导电层为60 mm,分析了应力锥覆盖电缆半导电层50、46、73 mm的电场分布和半导电层末端周围的电场畸变。最后对不同模型的仿真结果进行了比较,得出,应力锥安装过盈时,即覆盖半导电层超过60 mm,电场畸变严重,在工频下存在剧烈的局部放电现象。通过现场试验,验证了有限元分析结果的正确性。
陈成伟, 刘刚, 陆国俊, 王劲
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Experimental Study on the Microscale Weissenberg Effect for Pumping Appliations [PDF]
, 2016 基于电液耦合原理的静电纺丝直写可按需喷印多种材料，实现高精度图案化沉积，被认为是一种极具潜力的微纳增材制造技术。现有的静电纺丝供液存在时滞长、压阻幅度大等问题，无法满足电纺直写的连续、稳定、响应快速的液体输运需求，制约了其在微纳制造领域的应用与发展。因此，本文以电纺直写供液为目标，展开了对微尺度包轴效应、微纳流体包轴输运以及强电场作用下的包轴效应的研究，探索了基于液体包轴输运的电纺直写技术在微纳制造、柔性电子领域中的应用。为此，围绕这几个关键问题开展了如下研究工作： 搭建包轴效应供液装置 ...
王士虎
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Gaoya dianqi, 1999 采用模拟电荷法计算了500kV瓷柱式双断口SF6断路器“Y”形和“T”形布置型式的空间三维电场,绘出了两种布置型式中轴向剖面场域分布图及断路器触头表面环向场强分布图,分析了两种系统布置的特点.
林莘, 周侗
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Based on the current application requirements for wideband response photodetectors， we designed a novel silicon avalanche photodetector （Si APD） with high response in a broad spectral range of 250 -1 100 nm and it could achieve efficient detection of ...
Cao, P. +8 more
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Dianci bileiqi, 2009 对复合绝缘子的电场和电位分布进行了研究,提出了优化复合绝缘子电场和电位分布的内电极和均压环配置法。该方法是在复合绝缘子的玻璃纤维芯棒两端内嵌细金属内电极;导线侧配置内电极和均压环,而杆塔侧仅配置内电极。在复合绝缘子的导线侧,内电极、金具和均压环之间形成低电场区,降低了该部分绝缘承担的电位分布。在杆塔侧,内电极与杆塔侧金具等电位,内电极所伸入、涵盖的绝缘处于内电极与杆塔侧金具形成的轴向低电场区,降低了该部分绝缘承担的电位;而内电极尖端及以下形成较高电场,抬升了内电极尖端以下的部分绝缘所承担的电压 ...
罗勇芬 +4 more
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The Research of Electro-optic Modulation Devices Based on Graphene and Black Phosphorus [PDF]
, 2017 二维材料在微电子器件领域是一种具有非常巨大发展潜力的材料。它与传统的三维的材料相比具有非常多的新颖的特性。许多二维材料具有非常高的载流子迁移率、非常宽的工作波长、很小的集成封装尺寸、大规模生产成本较低的优良性能。本文主要研究了石墨烯与黑磷这两种比较典型的二维材料。 电光调制器是连接电信号与光信号的一种极其重要的光电器件，在光通信领域扮演着非常重要的角色。与传统的电光晶体相比，基于石墨烯的高性能电光调制器件在工作带宽、调制深度、集成整合度、与半导体器件技术的兼容性等方面表现非常优秀 ...
程俊俊
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