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带电更换1000 kV耐张绝缘子时的工器具和人体电场分布研究

open access: yesGaoya dianqi, 2021
利用组合工器具带电更换1 000 kV耐张绝缘子会改变绝缘子串的电压分布、影响带电工作人员体表电场分布,为分析绝缘子串不同位置进行更换作业时的整体电压和电场分布规律,文中根据实际1 000 kV耐张塔输电线路建立了三维模型,利用有限元法进行电场仿真分析;并使用子模型法重点分析了组合工具在不同位置时工具本体的最大电场值,以及人体在不同位置使用组合工具时的体表场强分布。分析结果表明,组合工具越靠近导线端,对绝缘子的电位分布及人体电场分布的影响越大,与没有组合工具短接绝缘子时进行比较,从铁塔端到靠近导线端 ...
普子恒   +4 more
doaj  

电热耦合场分析在±800 kV穿墙套管电场分布计算应用

open access: yesGaoya dianqi, 2023
800 kV穿墙套管在特高压直流输电工程中发挥着重要的作用,但在应用有限元分析方法对其进行电场仿真优化设计时,往往忽略穿墙套管实际运行时的温度对电场分布的影响。文中首先建立了±800 k V穿墙套管三维仿真模型,通过仿真计算得到穿墙套管的温度场分布,考虑了实际运行中,套管发热对内部环氧芯体电导率的影响,并在温度场分布的基础上,应用电热耦合场分析计算的方法,获得穿墙套管的电场分布。计算结果表明:正常运行时,穿墙套管载流导杆及卷制管温度呈现中间高两边低的分布规律,靠近导杆的芯体温度高,沿径向方向 ...
韩晓东   +5 more
doaj  

International clinical practice recommendations on the definition, diagnosis, assessment, intervention, and psychosocial aspects of developmental coordination disorder – Chinese (Mandarin) translation

open access: yesDevelopmental Medicine &Child Neurology, Volume 61, Issue 3, Page E1-E35, March 2019., 2019
目的 本国际临床指南由欧洲残疾儿童学会(the European Academy of Childhood Disability,EACD)牵头制定,旨在解决发育性协调障碍(developmental coordination disorder,DCD)的定义、诊断、评估、干预以及与社会心理方面的临床应用关键问题。 方法 本指南针对五个领域的关键问题,通过文献综述和专家团队的正式讨论达成共识。为保证指南的循证基础,以“机制”、“评估”和“干预”为检索词, 对2012年更新以来提出的最新建议以及新增的“社会心理问题”和“青少年/成人”为检索词进行检索。根据牛津大学循证医学中心证据等级 (证据水平 [level of evidence, LOE]1–4) 将结果进行分类,最终转化为指南建议。并由国际 ...
Jing Hua   +6 more
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110 kV三相共罐GIS避雷器相间电磁耦合对电位及电场分布的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2022
随着110 kV三相共罐GIS避雷器的小型化,结构更加紧凑,导致三相间电磁耦合更加紧密,造成对GIS避雷器内部电位分布和电场分布不可忽视的影响。本研究采用有限元计算软件COMSOL建立了110 kV三相共罐GIS避雷器的电场仿真模型,研究了三相电阻片芯体的电位分布、电场分布。分析了铝垫块布置位置、上端盖罩入深度、三相芯体间距以及三相芯体瞬态电压相位对避雷器电位分布和最大电场强度的影响。研究结果表明:铝垫块布置位置、上端盖罩入深度和三相芯体间距对避雷器电阻片电位分布均有影响 ...
邱云鹏   +5 more
doaj  

基于表层电导率迭代优化的绝缘子沿面电场分布调控

open access: yesGaoya dianqi, 2023
气固界面电场畸变是诱发绝缘子沿面放电和降低其沿面耐电性能的重要原因,研究直流GIL绝缘子沿面电场分布调控对于提升绝缘子运行的可靠性具有重要意义。直流电压下,绝缘子沿面电场分布由其电导率分布所决定,合理地优化绝缘子表层电导率分布可以达到调控气固界面电场分布的目的。文中利用高电导涂层方法改变绝缘子表层电导率,类比现有的体介电常数优化算法,以沿面电场均匀度为优化目标,开发了表层电导率迭代优化算法,研究了迭代优化次数、涂层层数和厚度对优化后涂层电导率分布和涂层绝缘子沿面电场分布的影响。迭代优化后结果表明 ...
李宾宾   +5 more
doaj  

From Dendrite Accelerator to Suppressor: Engineering a Self‐Assembled Monolayer for Ultrafast and Dendrite‐Free Zinc Deposition

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 5, May 2026.
ABSTRACT Aqueous zinc‐ion batteries are plagued by anode challenges such as dendrite growth and corrosion, which stem from intrinsic surface heterogeneity. Although constructing a homogeneous interfacial layer is a promising strategy, conventional electrolyte additives often suffer from incomplete or unstable coverage.
Ke Huang   +6 more
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Mistimed surveys lead to underestimated migratory bird impacts from wind farms

open access: yesJournal of Applied Ecology, Volume 63, Issue 4, April 2026.
Current guidance and approaches to surveying migratory birds at windfarm developments in Australia are insufficient. Evidence‐based alignment with seasonal presence is needed to improve biodiversity assessment standards, ensuring renewable energy expansion proceeds in a way that better safeguards migratory species and supports global biodiversity and ...
Xu Shi   +7 more
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Excellent Comprehensive Electromechanical Properties in PZT‐Based Hard High‐Temperature Piezoceramics

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 3, March 2026.
ABSTRACT High‐power piezoelectric ceramics which have a wide operating temperature range are essential for sensor and actuator applications in extreme conditions. However, their development is fundamentally hindered by the inherent trade‐off among key parameters (TC, d33, Qm).
Rui Yan   +10 more
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基于相场法的多晶体材料内静电场的有限差分仿真

open access: yesDianci bileiqi, 2021
建立多晶材料内微观不均匀性对电场分布影响的仿真方法具有重要意义。笔者给出了一种基于相场法的多晶体材料内静电场的有限差分仿真方法:基于多相场模型仿真获得的多晶材料模型计算获得介电张量分布,通过有限差分法计算获得电场分布。基于本研究的仿真方法仿真分析了晶体各向异性、晶粒度、晶界厚度等对多晶材料内电场强度分布的影响,电场集中现象随着晶体各向异性程度增加、晶粒度增加、晶界厚度减小而变得更加严重。
杜继实, 张涛, 易歆雨
doaj  

Tantalum‐Driven Interfacial Reconstruction Enables Ultra‐Low Contact Resistance in TiAlTa/Au GaN HEMTs

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 2, February 2026.
ABSTRACT The transformative potential of gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) in advancing carbon‐neutral power systems remains bottlenecked by contact resistance (Rc) at the metal–semiconductor (M‐S) interface, a critical determinant of switching losses and frequency response.
Ji‐Zhou Zhang   +8 more
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