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电子束蒸发沉积制备碳化硼薄膜的化学结构研究

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2014
采用了电子束蒸发在Si(100)片沉积了碳化硼(B4C)薄膜,并用傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜样品组分和结构进行分析,以研究在不同基片温度和束流下对薄膜结构的影响.分析表明:薄膜中均含有1170cm-1,1660cm-1两个特征峰,分别对应于碳化硼中正二十面体和三原子链的结构.不同基片温度对薄膜化学结构无影响;而不同束流,形成的结构不同,主要体现在碳化硼的特征结构(三原子链和正二十面体)的形成,随着束流的增大,薄膜中二十面体结构显著增多,B的流失减少.
苏明甫   +6 more
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辐射损伤的半导体元器件的电子束退火

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 1987
常规的IRAN方法太繁锁,而且筛选周期较长.近年来我们进行的大量实验表明:用电子束辐照,电子束退火,可以作为IRAN的一种方法.实验方法本实验所采用的样品有CMOS电路,双极型晶体管.CMOS电路是国产CO36电路,其中有Al2O3膜,Si3N4膜、SiO2膜钝化的CO36电路和没有钝化的CO36电路;双极型晶体管是经Al2O3膜钝化具有一定核加固能力的PNP型小功率管3CK2和3CG型晶体管.
唐方元, 李向兵, 唐伯坤
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几种基于高电压技术的燃煤热电厂烟气处理方法

open access: yesGaoya dianqi, 2002
介绍了燃煤热电厂烟气处理的几种新技术———电子束脱硫、脉冲电晕等离子法脱硫、脉冲静电除尘和荷电干法脱硫技术 ,这些烟气处理技术都以高电压技术为基础 ;分析了这几种处理技术的作用原理、特点和发展现状 ,并展望了其应用前景。
胡红利   +4 more
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介质阻挡放电等离子体中的电子碰撞能量转换过程

open access: yesGaoya dianqi, 2011
通过计算建立的介质阻挡放电等离子体动力学模型,分析了等离子体中电子碰撞过程中的电子能量转换过程,为掌握等离子体强化燃烧机理奠定基础。结果表明:介质阻挡放电等离子体中的电子能量分布函数主要受约化场强的影响;随着约化场强的变化,电子能量损失于不同碰撞类型的比例不同,且在实验中常用的100~300 Td之间,电子能量主要损失于和N2、O2分子间的电子激发态碰撞和离解碰撞过程;对于空气和化学恰当比混合的空气/甲烷混合气介质阻挡放电,在放电结束后约1ms时,分别有约50%和126%的放电能量用于加热气体。
丁伟, 于向财, 唐岩辉
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电子束辐照对印染退浆废水的影响

open access: yesGongye shui chuli, 2012
采用不同辐照剂量的电子束辐照处理不同pH的印染退浆废水,考察电子束辐照对印染退浆废水的影响。在25~100 kGy剂量范围内,印染退浆废水COD去除率受辐照剂量影响不大,但受溶液pH的影响较大,中性、碱性退浆废水的COD去除率明显高于酸性;经100 kGy辐照后,中性、碱性印染退浆废水的BOD5减小,B/C升高,有利于废水的后续处理。
伍玲   +6 more
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伪火花放电的机理及其应用

open access: yesGaoya dianqi, 1989
伪火花放电(Pseudospark)是在低气压(10~100Pa)下的一种轴向对称的放电现象。它的潜在应用价值非常大,而且范围极广。例如:用它来做高压大功率、高速触发开关;用于产生高强度、高度收缩的电了束与离子束;作为脉冲X射线源等等。这里介绍这种放电的基本特点以及一些研究结果。
尚文凯
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电子-原子弹性散射截面的比较研究

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 1997
用相对论分波法计算了电子对35种元素在10eV~25keV能区的弹性散射截面,并与相应的Mott截面进行了比较.结果表明,在1keV以上能区,Mot截面与分波截面定性地符合,虽然两者之间普遍存在偏差(特别是散射角在30°以下偏差更大).小角处的偏差可以通过考虑对Mot截面的屏蔽修正来减小,而在1keV及其以下能区,Mot截面肯定地不再适用,因为在此能区,束缚电子的屏蔽作用增强 ...
滕礼坚, 侯氢, 罗正明
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金属盐作用下的表面活性剂临界胶束浓度的变化研究

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2002
用电导法系统地研究了金属离子———Cu(Ⅱ ) ,Zn(Ⅱ ) ,Co(Ⅱ ) ,Ni(Ⅱ ) ,La(Ⅲ )和Fe(Ⅲ )对两种离子型表面活性剂———十二烷基硫酸钠 (SDS)和十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB)的临界胶束浓度 (CMC)的影响 ,并推导了一系列表达金属离子浓度和表面活性剂SDS及CTAB的临界胶束浓度 (CMC)之间关系的经验公式 .结果表明 ,SDS和CTAB的临界胶束浓度 (CMC)均随着金属离子浓度的增加而减小 ...
杜娟, 曾宪诚
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硅—三氧化二铝界面的辐射效应

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 1983
本文研究了电子束辐照下的Si—Al2O3结构的辐射效应,测试了不同能量、不同剂量及剂量率的电子辐照前后的C—V特性。实验结果说明:电子辐射使MAS结构的氧化层产生负电荷,在Si—Al2O3界面形成快界面态。我们认为引起这种变化的主要原因是由于电子的轰击引起了位移效应、电离效应所致,同时也引起了界面附近硅中杂质浓度的再分布.
林理彬   +5 more
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离子注入机高压舱参数光纤隔离遥控方法的研究

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 1998
280kV全离子注入机由处于高压舱内的离子源、磁分析器及其与高压电极相连的加速管、四极透镜、扫描装置和靶室等部件组成,如图1所示.从离子源引出的离子束先经磁分析器分选,经高压加速系统使带电粒子加速到一定能量后,再经四极透镜传输到扫描系统,最后轰击到靶...
廖小东   +4 more
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