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, 2005 为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采用TSMC0．18μmMS／RF CMOS工艺进行了流片．利用半导体测试仪对芯片进行了测试，包括探测器的暗电流、响应度和结电容，并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响．结果表明，利用标准MS／RF ...
黄家乐 +5 more
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《电力电容器与无功补偿》入编2014年《中文核心期刊要目总览》
Dianci bileiqi, 2015 《电力电容器与无功补偿》是国内无功补偿行业公开发行的科技期刊,1980年创刊,原名《电力电容器》,2008年更名为《电力电容器与无功补偿》。旨在为读者介绍无功补偿行业国内外新产品、新材料、制造及运行中的关键技术。主要包括无功补偿与滤波装置、系统应用研究、电能质量、电力电容器、超级电容器等栏目。本次《电力电容器与无功补偿》入编《中文核心期刊要目总览 ...
doaj
Gaoya dianqi, 2001 本文分析了采用爆炸丝方式进行脉冲功率电源电容器保护时存在的问题 ,对电容器组中单台电容器的保护要求和措施进行了较详细的讨论 ,提出了采用电感、电阻和快速限流熔断器进行电容器保护的方案 ...
秦实宏, 刘克富, 李劲, 潘垣
doaj
, 2013 本文制备了两种离子液体电解液用于高电压超级电容器,实验结果表明,虽然两种电解液在CV扫描中都表现了较好的稳定性,但在长时间的充放电循环后采用1#电解液的电容器容量衰减严重;而采用加入了少量的PP13TFS1的2#电解液的电容器则相当稳定,因此 ...
陈仕谋 +5 more
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, 2001 Silicon-on-insulator (SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容，采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路 ...
张小峰 +5 more
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Gaoya dianqi, 2007 介绍了一种新的金属氧化物避雷器（MOA）阻性电流分量的测量方法——电容电桥法,以电容电桥的电容器臂的电容电流作为补偿参考信号,来平衡、补偿MOA全泄漏电流中的容性电流成分,以得到流过MOA的阻性电流分量。实验结果表明,电容电桥的减法功能可以在很大程度上使MOA和泄漏电流上的谐波与电容器臂的电容电流上的谐波相抵消,且实现简单、易行,可以在实验室将波形显示在示波器上,并进行清晰地观察和对比。
宫建立, 秦松林
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, 2006 着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产 ...
顾明 +6 more
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Dianci bileiqi, 1997 根据湖南省电网实际运行情况，论述了必须采用ZnO避雷器保护大容量电客器组的切断过电压。由于中性点不接地，各相开关的重燃不是相互独立，且多相重燃电容器过电压最严重，应采用Ⅱ型接线按多相重燃过电压选择避雷器，并给出了电容器组保护用避雷器参数计算方法，预期操作过电压水平以及云田变20kV，60MVAR电容器组保护避雷器的实例。
周延龄, 汪仁根
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, 2017 本发明提供了一种光电处理器，包括顶电极、介质层与底电极，其中介质层与底电极、顶电极中的至少一个电极构成肖特基结，具有光致电阻转变效应与电致电阻转变效应。该光电处理器能够同时处理光信号与电信号，工作状态时，将光信号、电信号作为两个独立的输入信号施加在该光电处理器，其电阻为输出信号。调节输入信号，该光电处理器可实现逻辑“或门”，逻辑“与门”处理功能，可应用于逻辑存储、逻辑处理、可重构逻辑处理、非易失性存储 ...
刘钢, 李润伟, 檀洪伟
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Gaoya dianqi, 2015 金属化膜电容器具有高储能密度、高可靠性和高寿命特点。自愈是导致电容器电容量下降的主要原因。笔者分析金属化膜的自愈特性和电容量下降机制,通过研究自愈过程中的自愈面积、自愈能量和击穿电压的关联性,得出电压幅值和电压反峰比对电容器的寿命影响程度并归纳出经验公式。通过对金属化膜电容器的寿命测试,对经验公式中的系数进行拟合。最后得出不同电压幅值和不同电压反峰比下电容器寿命经验型预测公式。
于成龙, 杜涛, 李化, 李智威
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