Bandgap voltage reference design with enhanced tolerance of process variations(增强工艺偏差容忍度的带隙基准电压源设计)
随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品率.为此提出将Pelgrom失配模型引入电路设计中,分别从器件参数、电路结构、版图布局三方面对亚微米级的电路进行工艺偏差优化.基于华润上华(CSMC)0. 5 µm工艺以及Hspice软件仿真,显示基准源输出电压为1.232 54 V,偏差小于5 mV.流片测试结果表明,应用此设计的三通道LED驱动控制芯片成品率达到96.8%,输出电流达到(18±0.5)mA的芯片占99.
YUMiao(俞淼) +3 more
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文章提出一种速率为1.25 Gbit/s、具有可控电流监控的光纤通信用跨阻放大器(TIA)电路,该放大器可以通过拉电流和灌电流两种方式来检测电流监控的电流流向。设计使用的是0.18μm的标准互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺。仿真结果表明,光电流在1μA1 mA范围内时,各种工艺条件下检测到的光电流误差均小于5%。
任娟, 童志强, 蒋湘
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文章采用0.25μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种622 Mbit/s速率光接收模块的限幅放大器,整个系统包括偏置电路、输入缓冲、三级放大、输出缓冲和直流反馈,采用全差分结构。利用3.3 V电源供电,功耗约为109 mW,电路增益可达97 dB,在46 dB的输入动态范围内可以保持790 mV的恒定输出摆幅。
王玮, 童志强, 蒋湘, 杨壮
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基于新型永磁斥力混合高速操动机构和转移回路强迫过零开断的方法,在合成回路系统中进行了真空电弧直流开断实验。利用CMOS高速摄像机观测直流开断过程中不同转移电流频率下真空电弧的燃烧及转移过程,采用图像处理技术提取了电弧图像特征,得到了不同转移电流频率下强迫过零阶段电弧的形态变化,不同燃弧时间下的电弧形态变化以及不同预充电电压下的电弧形态变化,并对电弧形态变化的原因进行了分析。分析结果表明,注入同等的电弧能量,转移电流频率较低时,电弧形态演化过程长,有利于熄弧后电极间隙介质绝缘强度的恢复 ...
秦涛涛 +4 more
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[A review of brain-like spiking neural network and its neuromorphic chip research]. [PDF]
Zhang H, Xu G, Guo J, Guo L.
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[High throughput detection and characterization of red blood cells deformability by combining optical tweezers with microfluidic technique]. [PDF]
Zhang M, Meng X, Zhu L.
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[Review of the research of spiking neuron network based on memristor]. [PDF]
Xu G, Yao L, Li Z.
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[Structure design of a new video laryngoscope image sensor]. [PDF]
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[Preclinical Development Process and Prospects of Real-time Fluorescence Quantitative Polymerase Chain Reaction Detection Kits]. [PDF]
Wang C, Li S, Zhang S.
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[Chinese expert consensus on the technical and clinical practice specifications of artificial intelligence assisted morphology examination of blood cells (2024)]. [PDF]
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