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Gaoya dianqi, 2009 变电站投运的空心电抗器产生的强磁场是变电站磁场污染的主要来源之一。建立了计及涡流影响的空心电抗器磁场有限元模型,仿真计算了其磁场分布,并与实测数据进行比较。从职业暴露安全的角度考虑,提出了对电抗器架设防护体以改善职业暴露区磁场分布的措施。通过比较不同材料、尺寸、位置等多种情形下防护体对电抗器磁感应强度分布的影响,最终提出防护体的最优架设方案。
季娟 +4 more
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Gaoya dianqi, 2021 磁场调控技术是提高真空断路器开断能力的重要方式,通过纵向磁场(AMF)可以使电弧保持扩散态,而横向磁场(TMF)可以驱动电弧在电极间高速旋转以降低触头的烧蚀。近年来,一种新型的复合磁场(TMF-AMF)触头得到了广泛关注,在电流较小时电弧保持扩散态,在电流大到一定程度出现电弧集聚时可以使电弧旋转。文中设计了两种不同结构的复合磁场触头,首先分析了两种触头的磁场,并进行了结构上的优化,然后进行了定开距条件下的触发电弧实验,比较了两种触头结构的电弧特性,研究结果表明:结构1的复合触头能充分利用整个触头盘 ...
王宏达 +4 more
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[Effects of 50 Hz electromagnetic field on rat working memory and investigation of neural mechanisms]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Wang L, Li S, Li T, Zheng W, Li Y, Xu G.
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Gaoya dianqi, 2017 在一、二次融合配电开关设备中,操作过程中暂态电磁辐射会对安装在开关内部的二次元件产生影响。目前对配电开关设备的电磁兼容问题研究集中在试验检测,而缺乏对电磁辐射场的仿真工作。文中研究目标是建立一种适合于配电开关电磁辐射场仿真方法,并通过实验验证仿真方法的适用性。通过分析配电开关设备近场辐射的特点,认为时域有限积分法是计算该电磁模型的适用方法,接下来使用CST微波工作室时域有限积分软件对一台10 kV的真空断路器进行了建模,仿真分析了合闸涌流操作引起的电磁辐射场,并进行了相同条件的辐射磁场测量实验 ...
范闻博 +5 more
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Dianci bileiqi, 2017 由于雷击回击过程发生了强烈的电荷中和,会在周围空间形成强烈的电磁脉冲,对各种电气设备产生干扰。为此,对回击通道周围的电磁场进行模拟,提出了基于时域有限差分法的电磁场数值计算方法。雷电流模型采用双指数函数与Heidler函数组合的函数模型,回击通道采用改进型的DU模型。将模拟的结果与已有文献的结果进行比较,得出时域有限差分法在模拟雷击回击通道周围电磁场上具有一定有效性。模拟结果表明:雷电回击通道周围空间的电磁场受到回击速度、大地相对介电常数、大地电导率等因素的影响。电场的初始峰值随回击速度的增加而减小 ...
景弘, 王思华
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Gaoya dianqi, 2021 真空灭弧室的灭弧性能与真空灭弧室触头的磁场特性密切相关,其中纵向磁场(AMF)灭弧技术与横向磁场(TMF)灭弧技术应用最为普遍。基于人工零点的高压直流真空断路器,引入高频震荡电流帮助开断,为了分析真空断路器开断高频电流情况下的磁场特性,文中建立了两种类型的触头结构进行有限元仿真,对比分析真空灭弧室磁场特性以及触头片涡流情况。结果表明:在高频电流开断情况下,横磁结构触头与纵磁结构触头相比有更好的磁场特性分布;触头片涡流是影响纵磁结构触头磁场特性恶劣的关键因素,而对横磁触头间隙磁场特性几乎没有影响。
李如春 +4 more
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[Effect of pulsed electromagnetic fields on mesenchymal stem cell-derived exosomes in inhibiting chondrocyte apoptosis]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Xu Y +6 more
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Gaoya dianqi, 2015 干式空心电抗器运行时产生的强磁场是变电站和换流站内电磁污染的主要来源,其产生的强磁场引起了变电站和换流站接地网导体的发热、对周围设备的磁干扰以及对运行人员身体健康的影响等。为此,通过有限元分析软件ANSYS的仿真,探讨了在三相一字形排列的干式空心电抗器最优工频磁场的抑制方式,对比分析了多种屏蔽方式下的磁场屏蔽效果,最终得出了在三相一字型排列的干式空心电抗器底部加钢屏蔽侧围加铝屏蔽的镂空屏蔽罩的最优磁场屏蔽方式,在这种屏蔽方式下,磁场的抑制效果最好,且对电抗器的影响较小。
张宁, 李琳
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Gaoya dianqi, 2017 为了得到126 kV真空灭弧室2/3匝线圈型纵磁触头的优化设计参数,文中采用实验设计—磁场有限元计算—统计分析相结合的方法,对触头间纵向磁场特性进行了单因素分析和正交回归分析。选取触头开距、单匝线圈高度、线圈宽度和触头片槽长4个设计参数作为优化对象,以电流峰值时纵向磁感应强度最大、磁场滞后时间最小和导体电阻值最低作为优化目标,得到了磁场特性与触头结构参数之间的回归方程以及对纵向磁场产生显著影响的设计因素。基于上述分析,对电流峰值时纵向磁感应强度、磁场滞后时间和导体电阻进行多目标优化,当触头开距为20 ...
韩国辉 +5 more
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