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, 2014 一种直流叠加脉冲电源，该电源包括脉冲电压、直流电压和时间门电压；脉冲电压和直流电压用于时间门电压上。本发明电源可用于光电子成像中离子和电子的选择，该电源电路设计简单，稳定性好 ...
任文峰 +4 more
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, 1985 将异步电机的定子剖开后平直展开,就得到一直线型的电磁感应器。其三相绕组通以三相电流,产生一个沿着感应器运动的行波磁场,这是我们通常称之为直线电机的感应器。一般谈及的直线电机,不管此感应器是作为固定边还是运动边,另一边总是固体的金属导电板或线圈。我们这里讨论的直线式电磁感应器的作用对象是液态金属,如输送液态金属的电磁流槽、直线型平面电磁泵,线型电磁搅拌器等。它的特点是由于液态金属总有管道或者流槽,且一般温度较高,须有隔热层(保温层),致使其气隙相当大 ...
顾琅
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, 2008 首次报道了通过引入ZnAl_2O_4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl_2O_4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl_2O_4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面 ...
李晋闽 +5 more
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, 2008 采用化学气相沉积（CVD）方法在Si（001）衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积（PVD）设备中蒸发，厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射线衍射（XRD）研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量，有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶，但显示出明显的择优取向。用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征，金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度。同时利用室温光致发光（PL）
崔军朋, 王晓峰, 段垚, 曾一平
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, 1981 本文从物理定律出发,阐述了带磁芯脉冲大电流测量线圈的基本原理和设计方法,此测量法与传统的分流器法和空芯测量线圈(即Rogowski线圈)相比较,可以测量小脉冲电流,改善低频响应和简化工艺 ...
胡昌信
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, 2009 本实用新型主要涉及带电粒子传输使用的电磁铁，主要涉及一种用于带电粒子束流聚焦的一种半胶粘二分冲片四极电磁铁，其铁芯冲片（２）通过胶合构成粘结端板（３），两端各一件粘结端板（３）中间夹散铁芯冲片（２）构成磁铁铁芯（１），铁芯（１）由上铁芯（１－１）和下铁芯（１－２）组成，上磁铁组（７－１）和下磁铁组（７－２）相对设置形成四极电磁铁，上磁铁组（７－１）上设有第一极线圈（８－１）和第二极线圈（８－２），下磁铁组（７－２）上设有第三极线圈（８－３）和第四极线圈（８－４），各极线圈的引线分别用线圈压块（９ ...
张斌、张小奇、王丰、孙国平、谢春安、徐大宇、李寿陆、何源、袁平、马力祯、雷海亮、王文进
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, 2013 本发明提出一种三相永磁同步电机驱动电路，包括实现位置环和速度环的控制算法的数字电路和实现电流闭环及PWM信号产生的模拟电路；数字电路包括FPGA、DSP、DAC；模拟电路包括2/3变换电路、电流环调节电路、三角波发生器、比较器、电流检测电路以及三相桥驱动电路；所述FPGA、DSP、DAC依次连接；2/3变换电路与DAC连接，电流环调节电路与2/3变换电路连接，电流环调节电路分别连接比较器、电流检测电路；三相桥驱动电路设置在比较器和电流检测电路之间；三角波发生器与比较器连接 ...
王海涛, 郭云增, 郭敏, 刘锋
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, 2009 本实用新型主要涉及带电粒子传输使用的电磁铁，主要涉及带电粒子偏转用装置。一种C型冲片二极弯曲电磁铁，其C字形铁芯冲片(2)叠压成C型磁铁组(1)，C型磁铁组(1)为弧形，C型磁铁组(1)的C字形开口处形成丁字形空隙，上励磁绕组(3) 和下励磁绕组(4)分别缠绕在C型磁铁组(1)的上下C字形开口处，在C字形开口内设有调高块(5)；在C型磁铁组(1)左端部分别设有第一线圈固定块(7)、第二线圈固定块(8)、第三线圈固定块(9)，C型磁铁组(1)的C字形开口处设有高度为80-90mm 的通道，在磁铁组(1 ...
徐大宇 +12 more
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, 2005 研究了脉冲电源以脉冲电晕放电方式向反应器注入能量时的时间不均匀特性，阐述有效时间、有效平均功率等概念后分析了单针型针板式反应器中脉冲电晕放电功率与电流保持一致的时间特性。实验测得脉冲电源的单次脉冲时间为0．01～0．1 s，平均功率为5～30W；有效时间约10μs，有效平均功率为15-60kW，比平均功率大3个数量级。有效时间内脉冲电晕放电过程以较大功率向反应器注入能量，有效平均功率是表征有效时间内脉冲电晕能量有效注入过程的平均量 ...
黄海涛, 王宁会, 李利新, 陈勇
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, 2004 利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟.
陈俊 +8 more
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