Results 61 to 70 of about 5,560 (166)
The Initial Stage of Heteroepitaxial Growth of Ge on Si(100)-2×1 Surface [PDF]
, 1986 The initial stage of he tero-epitaxial growth of Ge films on Si(100)-2 X 1 surface has been investigated by LEED and AES. When the substrate is kept at room temperature, layer by layer growth of Ge films is observed up to 6 monolayers.
上羽 弘, 浅井 誠, 龍山 智栄
core +1 more source
Gaoya dianqi多断口真空开关的均压问题可以通过内在调控措施解决，分断速度是内在调控措施之一，但是对于速度调控的研究尚未深入。为研究操动机构分断速度对双断口真空开关动态电压分布的影响，在分析开断速度对电压分布影响机理的基础上，提出双阶段速度控制方法。并建立双断口真空开关模型，仿真分析同步、异步、变速分断情况下的电压分布情况。设计真空开关速度调控装置，搭建真空开关分断速度测试平台。试验表明：同步开断时，高低压侧开关速度变化对断口的电压分布影响较小。异步分断与变速分断均可以通过分断速度的改变调控动态电压分布 ...
郑伟 +8 more
doaj
Gaoya dianqi, 2020 快速真空断路器由于其具有分闸时间短、分散性低等优势,便于电力系统短路故障选相快速开断的实现。然而,现阶段关于快速真空断路器短路电流可靠开断燃弧时间区间的研究仍属空白。文中目标旨在研究快速真空断路器分闸速度对其可靠开断的燃弧时间区间的影响。实验采用直径为58 mm、材料为CuCr50的平板触头。快速真空断路器分闸速度分别设置为2.5、3.5、4.5 m/s。实验依据国家标准GB/T 1984—2014关于40.5 kV T100s（b）试验方式进行。结果显示,随着快速真空断路器分闸速度的提升 ...
艾绍贵 +7 more
doaj
Gaoya dianqi, 2010 同步真空断路器的合、分闸时间的稳定性受控制电压、环境温度、触头磨损和机械老化等外界因素的影响,采用高精度位置伺服控制使断路器触头按照给定的最佳轨迹运动,可保证同步真空断路器操作时间的稳定性。首先,采用MATLAB建立永磁机构真空断路器动态运动模型,设计自适应模糊控制器实现断路器的高精度位置控制;其次,对设计的断路器位置模糊控制算法性能进行仿真分析和优化;最后,对设计的真空断路器位置控制进行试验测试。仿真和测试结果表明,位置控制真空断路器伺服性能良好,断路器合、分闸时间分散性小于±0.5 ms,满足IEC
李天辉 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2014 高压真空灭弧室绝缘设计的关键是其内部电场分布的设计。为优化高压真空灭弧室内部的电场分布,使其内部电场强度分布均匀,建立了真空灭弧室的参数化模型。针对真空灭弧室设计工艺参数是变量的问题,利用ANSYS的有限元分析及其参数化语言对真空灭弧室轴向尺寸进行优化设计,通过一阶迭代方法,得到了真空灭弧室相关尺寸的优化序列及变化曲线。优化后与初始参数值相比,电场强度分布更加均匀。
王丽娜, 赵智忠, 郭雪, 毕海岩
doaj
Gaoya dianqi, 2022 文中为了研究干式空心电抗器产生匝间绝缘破损的内在机理，构建了基于温度场的BKK—20000/63型电抗器三维仿真模型，并依据模型材料特性参数进行了仿真；得到了不同环境下温度场分布图，不同运行电压下各包封平均和最大温升特性曲线，以及不同温度场下各包封热应力分布特性；最后通过实物模型拉伸强度验证了仿真的有效性。通过仿真分析得出干式空心电抗器轴向温度场分布不均，且与运行电压有关，尤其是在环境温度较高或较低时，轴向温度场极不平衡产生的热应力是造成干式空心电抗器局部匝间绝缘破损的根本内在动力。
于群英 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2011 笔者详细总结了目前国内外真空断路器灭弧室的真空度检测技术;介绍了各种检测方法的检测机理及特点,并结合国家智能电网的发展方向对各方法的优缺点进行对比;探讨了对真空度检测技术的新要求和发展趋势。
范兴明 +7 more
doaj
Gaoya dianqi, 1995 高压真空接触器是一种高压控制电器,比真空断路器、真空负荷开关更适合频繁操作,价格又比较便宜,因此特别适用于冶金、矿山、石化、高层建筑等部门和厂用电系统,用来控制高压电机、变压器等。 JCZ—10J（D）/400型户内交流高压真空接触器是根据机械部“八五”期间国家级高压电器发展指南及国内外用户的需要,由西安高压电器研究所立题,联合国内11家生产厂共同开发的。它是同F-C柜同步进行设计的,特别适合F-C柜。 ICZ—10J（D）/400型户内交流高压真空接触器是JCZ—10J（D ...
何利利
doaj