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New Superconducting Gravimeter (OSG#058) at Syowa Station, Antarctica [PDF]

open access: yes, 2016
第30回極域地学シンポジウム「極域から探る固体地球ダイナミクス ...
土井 浩一郎   +6 more
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广州市气传真菌散布规律与气候的关系

open access: yesZhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 2006
【目的】空气真菌的数量变化及其致敏性与气候的关系 , 建立气传致敏真菌日历 , 为广州市空气真菌过敏症的防治提供新的基础数据。【方法】采用沉降法( 曝片) 和体积法( 旋转棒) 每日收集气传真菌样品,在显微镜下鉴定和统计, 定量获得每天每平方米沉降量和每立方米空气悬浮真菌数密度, 并与气象站气候数据进行对比。【结果】 鉴定真菌种类 80 余种 , 其中最常 见 的有黑孢子 菌 (Nigrospora spharic)、芽枝菌(Cladosporium)、铰 链 菌 ( Alternaria) 、毛 霉 (
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纵向磁场对真空电弧微观特性影响的研究

open access: yesGaoya dianqi, 2019
纵向磁场作用下真空电弧等离子体的微观参数变化趋势对于真空电弧的发展和能量变化有着重要的意义。文中基于气体动力学的漂移扩散方程,耦合电场计算的泊松方程,仿真分析了真空电弧在液态金属桥断裂之后,极间充满了大量的Cu金属蒸气后,到电弧等离子形成的这段非平衡态过程。考虑了真空电弧等离子体中微观电子、离子与金属蒸气分子间的碰撞、重组及粒子的漂移、扩散等复杂变化情况,建立了纵向磁场影响下非平衡态真空电弧的微观模型。数值模拟并分析了不同磁场强度对电弧等离子区微观参数的影响及变化规律。仿真结果表明:随着纵向磁场的增大 ...
李静, 杜志鹏, 曹云东, 王玲玲
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Xセン タソウマク ハンシャキョウ [PDF]

open access: yes, 1987
研究ノー
ヤマシタ, コウジュン   +1 more
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真空灭弧室真空度现场测试技术研究

open access: yesGaoya dianqi, 1999
使用改进的Π形励磁线圈磁控放电法测试灭弧室的真空度,不必拆卸灭弧室.同时采用80CI96单片机进行同步控制与数据采集处理,提高了灭弧定真空度的现场测试灵敏度.
赵子玉   +3 more
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真空断路器分闸时的过行程分析

open access: yesGaoya dianqi, 1984
真空断路器的机械寿命,在很大程度上取决于真空灭弧室的机械寿命。而真空灭弧室的机械寿命,又与波纹管的寿命有很大关系。据统计,因波纹管漏气导致真空灭弧室损坏者,占真空灭弧室机械损坏的大多数。因此,对波纹管的研究,就成了真空灭弧室机械寿命研究的重要环节 ...
何继忠
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真空灭弧室制造工艺简介

open access: yesGaoya dianqi, 1974
真空开关灭弧室,是真空开关的心脏,用真空作绝缘介质和灭弧介质,它实际上是一个内部保持10-5~10-7毫米汞柱真空度的真空元件。它的制造工艺与电子管的制造工艺 ...
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基于快速真空断路器的深度限流装置的风险评价

open access: yesGaoya dianqi, 2013
笔者简要分析了高速真空断路器、快速真空断路器以及基于快速真空断路器的深度限流装置的原理和基本特性,剖析了深度限流装置的换流过程。并对深度限流装置在实际应用中存在的技术风险进行了分析和评价,以期用户能够正确了解此类装置的技术特性、规避可能存在的技术风险。
李品德, 李梦菲, 陈刚
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运行与检修问答

open access: yesGaoya dianqi, 1993
【问】为什么调整真空断路器的触头行程时不允许超过规定值? 【答】真空灭弧室的机械寿命主要决定于波纹管的寿命。波纹管是用液压或焊接成形的零件。触头行程的增大,波纹管的寿命会迅速下降。如果触头行程超出规定值就可能大大缩短真空灭弧室的机械寿命。 【问】真空灭弧室的真空度为什么规定不得低于1.3×10-2Pa?使用中如何检验灭弧室的真空度?
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Atomic Layer Control of the Bi Based Superconducting Thin Film by MBE Method with Monitoring the XPS Signal [PDF]

open access: yes, 1992
Atomic layer control of each component material is indispensable for the low temperature epitaxial growth of Bi based superconducting thin film on a single crystal MgO substrate by sequential multilayer deposition method with MBE apparatus.However, it is
女川 博義   +4 more
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