Results 31 to 40 of about 429 (127)
Gaoya dianqi, 2023 阴极弧根为电子发射的主要区域，弧根的运动对空气直流电弧等离子体特性有重要意义。通过电极旋转驱动阴极弧根运动，实验观测得到电极旋转情况下空气直流电弧拉弧过程电极表面烧蚀情况、扭曲的弧柱形态，同时提取并对比了直线拉弧和旋转拉弧的电弧电压上升曲线。参照临界电流试验条件，建立小电流下平行电极间三维电弧仿真模型，探究在小电流情况下，自由燃烧态电弧的演变过程。仿真结果表明：阴极弧根运动使得发射后极间带电粒子空间分布变化，间隙放电通道改变，电弧的最大温度值降低；当电弧放电通道不稳定时，极间电弧电压出现波动 ...
付思, 陈文清, 曹云东
doaj
, 2010 本实用新型公开了一种阴极真空电弧源薄膜沉积装置，包括具有高速传输等离子与有效过滤宏观大颗粒的磁性过滤部分，该磁性过滤部分包括管体与设置在管体外部周缘的磁场产生器，管体包括管体入口端面和管体出口端面，管体入口端面与管体出口端面之间至少有一个弯管，并且该弯管两侧管体的轴线之间的夹角为135°。与现有技术相比，本实用新型的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以实现有效过滤宏观大颗粒，同时高速传输等离子体，从而提高了薄膜的质量与沉积速率。通过本实用新型的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以高速沉积薄膜 ...
李洪波, 柯培玲, 汪爱英
core
, 2020 本发明公开了一种具有穿甲自锐效应的钨高熵合金及其制备方法，钨高熵合金组分按原子数比记为WaMobFecNid，其中0.15≤a≤0.4，0.05≤b≤0.25，0.2≤c≤0.4，0.2≤d≤0.4，制备过程为：首先进行原材料的隔离打磨、清洗并按照摩尔配比进行配料，然后依序送料并配置真空安全熔炼环境，最后采用非自耗真空电弧熔炼或电磁悬浮熔炼技术经反复熔炼制取高熵合金，本发明通过隔离打磨清洗、调整放料次序以及翻转熔炼，不仅避免了金属原料的二次氧化，保证了金属原料的纯度 ...
刘兴发, 戴兰宏, 田智立
core
Gaoya dianqi, 1983 本文在小电流下真空电弧的试验研究基础上,着重分析了纵向磁场对单阴极斑点真空电弧的影响,并用电弧等离子体的运动解释了纵向磁场的作用,对纵向磁场作用下的强电流真空电弧也作了推论。
doaj
Gaoya dianqi, 1998 一、引言 根据Yanabu关于真空电弧的物理描述可知,纵磁下的真空电弧弧柱由大量并联燃炽的单根弧柱组成。如果把平衡时的燃弧分成许多独立燃烧的扩散型分支,各分支在保持为扩散型的情况下并联燃烧形成大电流真空电弧,那么,在保持整个电弧形态为扩散型且各分支电弧有同样的起弧、燃弧条件情况下,各分支电弧将同时存在并且并联燃烧。据此,本文提出了利用并联灭弧室分担额定电流并利用并联方式进行大电流开断的方法。
陈轩恕 +3 more
doaj
, 2018 利用自主研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧技术制备超薄四面体非晶碳膜,研究了膜厚变化对超薄四面体非晶碳膜残余应力和微观结构的影响。结果表明:膜厚从7.6 nm增加到50 nm时,残余应力和sp3含量先减小后增加;当膜厚为29 nm时,可以得到最小的残余应力为3.9 GPa。制备的薄膜表面粗糙度都小于纯硅片表面粗糙度(0.412 nm),表明沉积的碳粒子可以减少基体表面的缺陷;基于磁过滤阴极真空电弧技术的优势 ...
李晓伟 +4 more
core
Gaoya dianqi真空电弧电流转移是自然换流型混合式直流断路器开断过程中的一个重要组成部分。文中通过建立真空电弧电流转移的理论分析模型，得出影响真空电弧电流转移的主要因素为真空电弧电压、内部杂散电阻电感参数和电力电子器件的串并联结构。实验方面，通过改变电力电子开关中电力电子器件的串联或并联个数研究了电力电子器件的串并联结构对真空电弧电流转移特性的影响，通过改变电力电子开关中杂散电感或电阻的数值和所处位置研究了内部杂散电阻电感参数对真空电弧电流转移特性的影响。最后，探究了促进电弧电流转移的方法 ...
王德全 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2012 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
doaj
, 2019 利用自主研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧技术制备超薄四面体非晶碳膜,研究了膜厚变化对超薄四面体非晶碳膜残余应力和微观结构的影响。结果表明:膜厚从7.6 nm增加到50 nm时,残余应力和sp3含量先减小后增加;当膜厚为29 nm时,可以得到最小的残余应力为3.9 GPa。制备的薄膜表面粗糙度都小于纯硅片表面粗糙度(0.412 nm),表明沉积的碳粒子可以减少基体表面的缺陷;基于磁过滤阴极真空电弧技术的优势 ...
李晓伟 +4 more
core
Gaoya dianqi, 1993 西安交通大学王季梅教授为主编、宝光电工厂总工程师顾丕骥为副主编的《真空灭弧室设计、制造和应用》一书,已由西安交通大学出版社于1993年7月出版。 当前,我国的真空电器迅猛发展。为了适应形势发展的需要,要求我们总结真空开关的心脏——真空灭弧室的开发、生产和应用的经验。《真空灭弧室的设计、制造和应用》就是为了满足这一要求而编著的。 《真空灭弧室的设计、制造和应用》的主要内容有:①真空灭弧室的设计 ...
吴
doaj