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Gaoya dianqi, 1993 对中间封装式和瓷柱支撑式两种主屏蔽罩安装方式的真空灭弧室中主屏蔽罩电位进行了静态工频测试,找出了为什么中封式真空灭弧室装入整机后并不比瓷柱式真空灭弧室耐压特性优越的原因,指出在真空断路器设计中,尤其在高电压等级下,真空灭弧室的均压问题应与整机总体设计同时考虑。
王承玉, 王季梅
doaj
, 2018 设计了金属催化剂Ni/四面体非晶碳(ta-C)/基底三层结构,使用磁过滤阴极真空电弧设备制备了ta-C薄膜,用电子束蒸镀技术制备Ni薄膜,并对其进行快速热处理调控非晶碳转变石墨烯的过程,重点研究了热处理温度对石墨烯生长的影响。结果表明,沉积态的ta-C和Ni层均表面平整、均匀致密,其中Ni薄膜呈(111)晶面择优取向生长,为石墨烯的高质量生长提供了条件。同时,退火温度显著影响了非晶碳的石墨烯转变,当退火温度高于400℃时Ni表面能生成多层石墨烯,在500℃保温15 ...
刘盼盼 +5 more
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Cu-Fe64Ni32Co4合金显微组织及热物理性能（英文）
, 2019 利用相图计算的CALPHAD方法和真空电弧熔炼技术,设计并制备了Cux(Fe0.64Ni0.32Co0.04)100-x（x=30,45,60,质量分数,%）系列合金。实验研究了该系列合金在不同热处理工艺时的显微组织,热导率以及热膨胀系数。结果表明:Cu-Fe64Ni32Co4系列合金在600和800℃时效处理后均为fcc富铜相和fcc富因瓦（铁镍钴）相组成的各向同性的多晶合金。该系列合金在1000℃淬火并在600℃时效处理50 h后,其热膨胀系数变化范围为6.88×10-6～12.36×10-6 K ...
乐帆程 +7 more
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Gaoya dianqi, 2006 应用ANSYS软件分析计算了支柱式12kV户外真空断路器真空灭弧室外表面的电场强度,得出在不同填充材料、气泡和不同外绝缘材料时的电场强度及分布曲线;分析得出不同条件对真空灭弧室外表面电场强度的影响,用以提高户外真空断路器灭弧室外表面的绝缘性能。
徐建源, 任春为, 王博
doaj
, 2012 采用自主研制的双弯曲磁过滤阴极真空电弧（ＦＣＶＡ）技术，在不同衬底负偏压下制备了四面体非晶碳 （ｔａ－Ｃ）薄膜。通过分光光度计和椭偏（ＳＥ）联用技术精确测量了薄膜厚度，重点采用椭偏法对不同偏压下制备的ｔａ－ Ｃ薄膜ｓｐ３ Ｃ键和ｓｐ２ Ｃ键结构进行了拟合表征，并与Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和拉曼光谱的实验结果相对比，分析 了非晶碳结构的椭偏拟合新方法可靠性。结果表明，在－１００Ｖ偏压时薄膜厚度最小，为３３．９ｎｍ；随着偏压的增 加，薄膜中的ｓｐ２ Ｃ含量增加，ｓｐ３ Ｃ含量减小，光学带隙下降 ...
汪爱英
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Gaoya dianqi, 2008 为了监测真空灭弧室内真空度的状况,并保证供电的连续性和可靠性,笔者设计了一套应用于35kV真空断路器的真空灭弧室真空度在线监测系统。详细阐述了系统的工作原理、硬件结构和软件设计方案。该系统利用旋转式电场探头,监测屏蔽罩附近直流电场的变化,同时开发了下位机数据采集单元和上位机监控管理单元,可以远程在线监测真空灭弧室的真空度变化情况。现场运行结果表明,该系统可以稳定、可靠地监测真空灭弧室内真空度的改变,测量灵敏度高,成本低廉、运行可靠、抗干扰能力强。
刘亚东 +5 more
doaj
, 2018 材料基因组工程能大幅度提高材料研发速度,降低材料研发成本,近年来受到广泛关注。本研究采用高通量制备工艺,结合碳等离子体束流和基片位置的调控,利用自主设计研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧设备,沉积了厚度为4.7～183 nm的系列四面体非晶碳(ta-C)薄膜,使用椭偏仪、原子力显微镜、拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪(XPS)表征了厚度对ta-C薄膜表面粗糙度、微结构和原子键态的影响。结果表明:通过碳等离子体束流和基片位置的调控,实现了不同厚度ta-C薄膜的高通量制备。尽管膜厚不同,所制备的ta ...
李汉超, 柯培玲, 汪爱英, 魏菁
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Gaoya dianqi, 1974 真空开关灭弧室,是真空开关的心脏,用真空作绝缘介质和灭弧介质,它实际上是一个内部保持10-5～10-7毫米汞柱真空度的真空元件。它的制造工艺与电子管的制造工艺 ...
doaj
Gaoya dianqi, 2007 笔者在实验室对真空开关灭弧室真空度停电测量新方法"发射电流衰减法"和在线检测新方法"屏蔽罩磁控放电法"进行了实验研究。结果表明:"!在将真空开关的真空间隙调整为0.8 mm的小间隙以后,不需要施加磁场,使用发射电流衰减法可以停电测量灭弧室内的真空度;#"研制出具有良好内外绝缘的励磁线圈以后,使用磁控放电法能以6×10-2 Pa的灵敏度在线检测真空开关真空度。
顾保华 +5 more
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, 2017 目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。方法采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积。使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构。结果辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时 ...
吴晓春 +6 more
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