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Gaoya dianqi, 2021 由于采用管道密封绝缘输电,GIL系统受地形、天气和外界环境干扰较小,采用架空线—GIL混合系统输电会变得越来越普遍。当混合系统短路故障时,其电流分布将异于正常输电线路。为了明晰混合系统短路电流分流问题,文中首先建立了架空线—GIL混合输电系统模型,通过开关闭合操作模拟设置输电侧导线发生接地短路故障,GIL管廊内三相导线电流的增强倍数在1.01～2.08倍之间,且当发生三相接地短路故障时的电流增强倍数最高;设置GIL管廊内部导线发生接地短路故障,GIL管廊内三相导线电流的增强倍数在1.05～21 ...
汤亮亮 +5 more
doaj
Fabrication of ZnO based type-II core/shell nanowires for photovoltaic applications [PDF]
, 2015 近来，由于持续增长的能源危机和环境保护意识，光伏器件已成为一个热门的课题。许多研究都集中在如何提升这类使用氧化物半导体，如ZnO，TiO2，的太阳能电池和光电化学电池（PEC）的效率上。这些氧化物半导体有这大且固定的带隙，使得它们都不能有效地吸收太阳光的可见光区域，从而导致电池效率低下。一个可选的策略是在纳米线外包裹一层窄带隙半导体，例如ZnSe，CdSe，CdS，PbSe和ZnCdSe，应用这个方法已经把材料的吸收拓展至可见光区域。由于光俘获范围有限以及光激发电子注入效率低等原因 ...
WASEEM AHMED BHUTTO
core
断路器合闸输电线路单相接地短路故障线路两侧短路电流计算与分析
Gaoya dianqi, 2019 输电线路发生单相接地故障,当短路故障不能及时消除时,线路两侧的断路器在重合闸操作过程中可能存在合闸短路故障的工况。运行经验表明,线路两侧断路器在合闸短路故障时,流过断路器的短路电流存在延迟过零的现象,从而导致断路器开断失败。文中通过建立单相等值电路模型,理论分析了在不同的合闸短路工况下故障线路两侧断路器流过的短路电流表达式,结论表明,由于后合闸断路器对电路拓扑的改变,使得先合闸断路器中流过的短路电流可能会出现延迟过零。又进一步分析与讨论了合闸初始相角α、间隔时间Δt、幅值比K对短路电流的影响规律。最后 ...
张瑞, 王克杰
doaj
Gaoya dianqi, 2019 短路电流直流分量含量对断路器开断能力有很大影响,然而对直流分量的计算至今缺乏简单实用的方法。分析短路电流直流分量产生原理及其衰减特性,结合电力网络数学模型的特点,提出了基于转移阻抗理论的短路电流直流分量实用计算方法:将电力系统复杂网络近似简化为以短路点为中心的辐射形网络,求出各发电机所提供短路电流直流分量及其衰减情况,最终对所有分支短路电流直流分量求和近似计算出故障点短路电流直流分量。通过实用计算方案与EMTP仿真计算以及故障录波的对比分析,验证了该方法的准确性。
张旭航 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2022 随着我国高压直流输电技术的不断发展，短路故障电流值也随之增加。针对直流电网中短路大电流开断这一难题，文中基于直流短路故障时断路器的工作原理研究，对短路电流采用先限流、再关断的方案，提出了一种利用限流电路进行两次限流的混合式断路器拓扑。同时，研究了限流电路参数的选取对断路器工作性能的影响，并对相关参数进行了优化。在仿真研究和理论分析的基础上，与没有第二次限流的断路器进行了比较。结果表明，该断路器可通过两次限流成功将电流限制住并在故障发生的5 ms内关断 ...
熊迪 +5 more
doaj
, 2018 介绍了一种采用宽禁带半导体二氧化钛纳米管阵列薄膜材料制备β伏特效应同位素电池的方法.通过对金属钛片的电化学阳极氧化制备了垂直定向、有序排列的二氧化钛纳米管阵列薄膜,研究了退火条件对二氧化钛纳米管阵列薄膜半导体光电性能的影响.通过与镍-63辐射源的集成封装,形成三明治结构镍-63/二氧化钛纳米管阵列薄膜/钛片的β伏特同位素电池.实验结果表明,基于氩气氛围下450?C退火的黑色二氧化钛纳米管阵列薄膜具有高的氧空位缺陷浓度和宽的可见-紫外吸收光谱.在使用β辐射总能量为10 m Ci的镍-63辐射源时 ...
伞海生 +6 more
core
Large Area Perovskite Solar Cells with High Short-circuit Current Density Based on Tantalum-Doped TiO2 Nanorods [PDF]
, 2017 本组前期工作实现了目前基于二氧化钛纳米棒钙钛矿太阳能电池的最高效率。本文基于该电池结构，对二氧化钛纳米棒进行掺杂改性，进一步提高了电池的短路电流；并将钙钛矿层的制备方式由一步旋涂法变为两步旋涂法，提高了钙钛矿成膜的均一性；最后将其应用1x1cm2的大面积太阳能电池中，取得了最高为13.11%的电池效率。 首先完成了对二氧化钛纳米棒的Ta掺杂，并探讨了Ta掺杂对二氧化钛能级位置的影响。由于二氧化钛纳米棒的形貌会对电池效率产生影响，通过调控Ta掺杂浓度，及不同掺杂浓度相应的水热反应时间 ...
崔千
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One-dimensional Model Calculation for Polycrystalline Silicon Solar Cells [PDF]
, 2008 提出了多晶硅太阳电池的一维物理模型,并对其在AM1.5太阳光照下的电池的短路电流密度Jsc、开路电压Voc、填充因子FF和转换效率η进行了模拟计算,重点分析了多晶硅晶粒尺寸和电池厚度对n+/p结构的多晶硅太阳电池性能的影响。模拟中主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量。模拟结果表明,电池效率在厚度50μm以内随厚度的增加而增大,当厚度大于50μm以后趋于饱和;当晶粒尺寸在100μm以内时,电池特性随晶粒尺寸的增加而显著提高,晶粒进一步增大时效率趋于饱和,此时背面复合速率的影响变大。A one-
张妹玉, 陈朝
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Investigations of down conversion materials used for warm white LEDs and polycrystalline silicon solar cells [PDF]
, 2017 目前商业化的白光LED主要采用GaN基蓝光LED芯片与YAG:Ce3+黄色荧光粉组合，但该类型LED器件存在白光不够均匀、色温较高、显色指数较低、尤其是存在蓝光太多伤害眼睛等问题，因此并不适用于室内照明。近年来，近紫外光芯片激发三基色荧光粉开发暖白光LED实现室内照片成为一条非常有前景的技术路径。开发高效率，近紫外光激发三基色下转换（本文的下转换指的是满足“Stokes（斯托克斯）”效应的转换，非量子裁剪）荧光粉成为实现该技术路径的关键技术之一；对于单结晶硅太阳电池，由于受其禁带宽度限制 ...
郑将辉
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Numerical Simulation for Crystalline Silicon Solar Cells [PDF]
, 2012 提出一种在MATlAb/guI环境下设计的晶体硅太阳电池数值模拟软件,通过光生少数载流子连续性方程建立了单晶硅n+/P/P+结构太阳电池的物理模型。通过引进有效迁移率和有效少子扩散长度概念,并考虑多晶硅中晶界复合后,实现了对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能的参数指标的数值模拟。程序模拟结果通过数值和图形两种方式输出,模拟结果与实验结果接近,能够为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的指导作用。本程序对于以n型材料为衬底的晶体硅太阳电池同样适用。A ...
张寅博, 潘淼, 程翔, 陈朝
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