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Gaoya dianqi随着中国新能源电力系统向更高电压等级、大容量化方向发展，断路器触头的服役性能受到了严峻的挑战，其关键在于高能电弧所产生的热量积聚引起的表面烧蚀，因此亟需设计高导热铜基复合材料以提高触头的抗烧蚀性能。石墨烯因其热性能突出被广泛应用于提升金属基复合材料的导热性能，为此文中构建了不同石墨烯排列取向、尺寸以及层数的复合分子模型，探究了温度和石墨烯掺杂结构参数对复合材料热导率的影响，分析了石墨烯对复合材料导热性能的微观增强机制，优化设计了更高抗烧蚀性能铜基复合材料并通过实验进行了验证。结果表明 ...
王梦溪 +5 more
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Gongye shui chuli, 2019 将聚乙烯亚胺（PEI）接枝到氧化石墨烯（GO）表面，得到聚乙烯亚胺修饰的氧化石墨烯（GO-PEI）材料。通过FTIR、XRD、TGA对GO-PEI的结构及PEI接枝量进行表征，并研究其对水中Cr（Ⅵ）的吸附性能。结果表明，PEI成功接枝到GO表面，其氨基含量为13.72 mmol/g。GO-PEI对Cr（Ⅵ）表现出优良的吸附性能，其吸附过程符合Langmuir等温吸附模型和准二级动力学模型。GO-PEI对Cr（Ⅵ）的去除是吸附与化学还原共同作用的结果。
张秋平 +3 more
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Gongye shui chuli, 2021 重金属大多有毒且不能生物降解，重金属污染给人类健康和生态系统造成威胁，因此一直是水体污染治理关注的重点。近年来，聚合物因其较大的比表面积、可调节的表面性质、完善的机械性能、可控的孔径分布以及温和条件下可循环再生等特点，被广泛应用于水中重金属污染的处理。而其与金属、氧化物、石墨烯等材料复合而成的聚合物基复合材料，往往比单一聚合物具有更好的物理、化学、机械性能和相容性，在废水处理方面具有广阔的应用前景。综述了近年来聚合物/金属复合材料、聚合物/聚合物复合材料、聚合物/氧化物复合材料和聚合物 ...
秦笑梅, 杨世豪, 王恒栋
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[Preparation and application of graphene oxide functionalized melamine-formaldehyde aerogel coated solid-phase microextraction tube]. [PDF]
Se Pu, 2022 Sun M +6 more
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He jishu石墨在熔盐堆中作为慢化剂和结构材料，长期受到高温和高通量的快中子辐照，内部产生大量点缺陷，这些缺陷会湮灭、扩散或团聚形成大的位错结构，改变石墨的微观结构，进而改变其宏观性能。然而，目前缺乏对其缺陷演化过程的统一认识。因此，研究核石墨在高温能量粒子辐照下的缺陷演化和微观结构变化具有重要意义。本文采用200 keV的电子束在室温至750 ℃下对NG-CT-50超细颗粒核石墨进行了原位电子辐照实验，在高分辨透射电子显微镜中观察其微观结构的动态变化和位错的演化过程。研究发现 ...
孙 义军, 汪 雪, 周 兴泰
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[Near-infrared excited graphene oxide/silver nitrate/chitosan coating for improving antibacterial properties of titanium implants]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2023 Wang Y +10 more
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Effect of graphene-oxide-modified osteon-like concentric microgrooved surface on the osteoclastic differentiation of macrophages. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za Zhi, 2023 Wang H, Wu Q, Lai Y, Cai Y.
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Gaoya dianqi石墨烯铜基复合材料触头具有优越的耐烧蚀、高电导率、高热导率等性能，有望在电力开关设备中广泛应用。然而现阶段有关石墨烯铜基复合触头材料在真空环境下的绝缘耐压、开断能力、截流特性等电性能研究鲜有报道。文中综述了石墨烯铜基复合材料触头的制备工艺、理化特性及导电率的研究进展，并对其他铜基材料触头的抗电弧烧蚀能力、耐压能力以及截流特性的实验方法及研究结论进行了总结，并提出现阶段石墨烯铜基触头材料在真空开关应用研究中存在的不足。研究结果可为石墨烯铜基复合材料触头在真空开关中的应用提供理论基础和技术参考。
牛雨芊 +5 more
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Guangtongxin yanjiu, 2018 提出了一种基于光学tamm态（OTS）的石墨烯光开关方案。在该方案中,利用在金属-分布式布拉格反射镜界面处产生的OTS,以及石墨烯的电控特性,通过改变外加电压来改变石墨烯的折射率,使OTS的本征波长发生漂移,光的反射率由最低点上升至高反射区,从而实现光开关的通断控制。利用有限元法和时域有限差分法对提出的光开关进行了仿真研究。研究结果表明,当入射波长为846.5nm时,可以实现光开关,其插入损耗为0.88dB,消光比约为12.7dB,响应时间约为1.36ps。该光开关具有插入损耗低和响应时间快的优势 ...
王磊, 李培丽
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[Field-amplified sample injection and graphene quantum dot dual preconcentration in the analysis of melamine and dicyandiamide by capillary electrophoresis]. [PDF]
Se Pu, 2022 Li C, Wang Q, Zhang Z.
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