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, 2009 水产生物资源的开发利用一直是生物资源可持续发展研究的重要部分,但某些水产食品由于养殖捕捞水域环境质量劣化、自身易富集重金属的原因,含砷量较高,不仅具有潜在的食用危险性,也限制了其作为加工原料的使用,因此对水产食品中无机砷进行检测并减低其砷含量尤为重要。就水产品中无机砷的分析检测技术、含量控制方法以及砷脱除技术研究现状和发展前景进行了总结和展望,并提出具有较好应用前景的水产品脱砷方法。
孙恢礼, 陈华, 杨小满, 戴文津
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Gongye shui chuli, 2015 考察了弱磁场对零价铁去除铜冶炼废水中重金属离子的加速作用。结果表明, 当稀贵车间废水初始pH为4.0~5.0, 微米铁粉投加量为0.1~0.5 g/L时, 预磁化和加磁均能加速零价铁对稀贵车间废水重金属离子的去除。在初始pH为4.0, 微米铁粉投加量为1.0 g/L的条件下, 对水淬车间高砷废水进行处理, 结果发现, 外加磁场对微米铁去除高砷废水中总砷仍有很强的促进作用。
李佳玲, 关小红
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Ç nar ve Giresun Ç nar Dergisi üzerinde bir inceleme
, 2020 viii, 122 s. ; 28 cm.
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本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs ...
李新坤, 王占国, 梁德春, 金鹏
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, 1999 在返回式卫星上搭载生长砷化镓单晶，Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善，均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比，空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底，采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 ...
山田正良 +4 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2014 以四种生物量大,易于栽培的蕈菌为材料,研究其对土壤中Pb和As的生物富集水平.干燥后的蕈菌样品经过微波消解处理,采用原子吸收分光光度法(AAS)分析蕈菌样品中的铅含量,采用电感耦合等离子体光谱法(ICP-AES)分析蕈菌样品中的砷含量.研究表明在污染土壤中收集的蕈菌样品中铅和砷的水平随着土壤中铅和砷浓度的增加而增加.当土壤中的Pb2+浓度为1000mg/kg(DW)时,长根菇对Pb的积累能力最强,可达到13.33±1.44mg/kg(DW).当土壤中的As3+浓度为200mg/kg(DW)时 ...
黄锋光, 徐恒
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, 2014 对经热水浸出的高砷烟道灰水浸液进行锌砷分离,基于单独使用Fe_2(SO_4)_3和CaO除砷的实验结果,提出了Fe_2(SO_4)_3-CaO耦合分离锌砷工艺.结果表明,在溶液pH=2、摩尔比H_2O_2/As~(3+) 1.3:1, Fe~(3+)/As~(5+) 1:1.5, Ca~(2+)/As~(5+) 1.5:1及反应温度70℃、反应时间1.5 h的条件下,砷脱除率超过80%,锌没有损失 ...
王倩倩 +7 more
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紫杉醇联合三氧化二砷作用人结肠腺癌LS-174T细胞增殖及凋亡的实验研究
Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2009 目的以人结肠腺癌LS-174T细胞系作为体外模型,研究紫杉醇与三氧化二砷联合作用抑制肿瘤细胞增殖及凋亡双重作用的机理。方法采用不同浓度的紫杉醇与三氧化二砷联合作用于体外培养的人结肠腺癌LS-174T细胞,以MTT比色法和形态学观察检测其对人结肠腺癌LS-174T细胞的抑制作用。以TUNEL法和AnnexinⅤ-FITC、PI染色、共聚焦显微镜检测其对人结肠腺癌LS-174T细胞系的凋亡诱导作用。结果不同浓度的紫杉醇与三氧化二砷联合组对人结肠腺癌LS ...
刘洪义 +4 more
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[Early loss of primary molar and permanent tooth germ caused by the use of devitalizer during primary molar root canal therapy: Two cases report]. [PDF]
Beijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2022 Tian J, Qin M, Chen J, Xia B.
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一种硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在n+型GaAs单晶片上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构,作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p型Al0.4Ga0.6As层和p型GaAs层；步骤5：在p型GaAs层上生长ZnS/MgF2层；步骤6：在ZnS ...
王占国, 王科范, 杨晓光, 杨涛
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