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Gaoya dianqi, 2020 真空灭弧室是机械式高压直流断路器的核心部件,为了有利于熄灭电弧,开断直流电流时,通常利用人工过零技术,在直流电流上叠加高频震荡电流,使得开断故障电流过零。由于直流断路器开断电流为高频电流,灭弧室间隙磁场分布对真空断路器的开断有着决定作用,通过建立三维真空灭弧室触头有限元模型,分析计算高频情况下的真空灭弧室的磁场分布情况。结果表明:高频情况下触头间隙磁场大小以及磁场滞后时间受到严重影响,触头间隙纵向磁场大小与平板触头产生效果类似,这对断路器开断效果很不利。
李如春 +5 more
doaj
Gaoya dianqi磁饱和式可控电抗器（magnetically-saturated controllable reactor，MSCR）运行时，交、直流共同励磁，铁心各部分磁场分布显著不同，这对损耗的分析计算造成困难。文中以单相他励式磁饱和电抗器样机研究对象，建立场路耦合三维有限元分析模型，首先计算铁心内部磁场分布，分析得到典型区域的磁场分布和变化特点；在此基础上，对铁心损耗进行仿真计算，归纳得出MSCR铁心总损耗随负载变化而变化的规律。研究指出，磁阀直流偏磁分量随负载增大升高明显，磁阀交变磁场分量随负载升高而降低 ...
王晛, 田铭兴, 张慧英, 王田戈
doaj
Gaoya dianqi, 2020 随着智能电网中一二次设备融合技术发展,一次设备和二次设备之间的距离大幅度减小,导致二次设备容易受到一次设备动作干扰而发生故障。文中针对真空断路器关合电容器组过程中产生的电磁干扰进行研究分析,采用高频涌流试验回路对其进行模拟,用电磁场探头以及测量设备同步采集电流波形和电磁干扰信号。利用小波变换分析了暂态电磁信号的时频特征,结果表明:电场干扰幅值最大为12.56 k V/m,主要分布在156.25～312.5 MHz和39.062 5 MHz以下两个频率范围;磁场干扰幅值最大为26.23 A/m ...
牛博 +6 more
doaj
Gaoya dianqi, 2021 真空灭弧室的灭弧性能与真空灭弧室触头的磁场特性密切相关,其中纵向磁场(AMF)灭弧技术与横向磁场(TMF)灭弧技术应用最为普遍。基于人工零点的高压直流真空断路器,引入高频震荡电流帮助开断,为了分析真空断路器开断高频电流情况下的磁场特性,文中建立了两种类型的触头结构进行有限元仿真,对比分析真空灭弧室磁场特性以及触头片涡流情况。结果表明:在高频电流开断情况下,横磁结构触头与纵磁结构触头相比有更好的磁场特性分布;触头片涡流是影响纵磁结构触头磁场特性恶劣的关键因素,而对横磁触头间隙磁场特性几乎没有影响。
李如春 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2006 10 kV空心电抗器是110 kV和35 kV变电所中重要的工频磁场源。现有的空心电抗器周围工频磁场的计算方法需要电抗器的详细设计数据,而这些数据通常是制造商的技术秘密。笔者采用只需电抗器的铭牌参数和外形尺寸的简化方法分析10 kV空心电抗器周围的工频磁场分布。并用该方法分析电抗器的设计、布置等对周围磁场水平的影响。根据相关标准限值对这种电抗器的工频磁场暴露和干扰影响范围给出了定量的评价,可供变电所设计时参考。
杜淑文 +4 more
doaj
, 1987 本文观察和分析了气液固三相磁场流化床内的流动现象，测定了磁场强度、气体流速对液相的起始流化速度的影响，并就磁场的影响作了一些描述；得出床内的颗粒分为两种不同的结构：固定料层和流化区。对用固体磁场料阀MVS作为多层床的溢流分布板MDD，主要研究了流体速度、混合颗粒对MVS的开关效果、固定料层高度的影响及其规律。本文侧重研究了三相磁化床内的气液相间传质，应用轴向扩散模型，通过对实验数据的关联得出一个包含流速、磁场强度的关于k_ta的经验式，同时对床内的液相轴向扩散也作了一些初步的研究 ...
郭常绪
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四川大学学报. 自然科学版, 2013 本文讨论了电大金属腔的孔缝耦合问题.采用开孔矩形腔的一种快速分析方法,来计算腔内电磁场分布;对入射波入射角度的微小变化和腔体几何结构微小变化带来的高频响应敏感性问题进行了研究;针对高频响应敏感性使确定性规律难以存在的情况,采用统计分析方法得到腔内电磁场空间分布的统计结果.研究表明,在入射波入射角度微小变化或者腔体几何结构微小变化时,腔内电磁场分布具有较大变化,但统计分析结果却具有较好的稳定性且随着频率升高稳定性越发明显,显示统计规律具有良好的普适性 ...
李元军, 赵翔, 周海京, 黄卡玛
doaj
, 2003 利用时域有限差分法（FDTD）计算和分析了极小孔半导体激光器输出光端面附近的光场分布，指出小孔激光器近场区域光场分布的特点，讨论了小孔大小和金属厚度对光场分布和光源分辨率的影响 ...
孙永伟 +3 more
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