Results 31 to 40 of about 1,129 (49)
Guangtongxin yanjiu, 2018 基于一维光子晶体反射谱性能的可控性,设计了一种磁流体填充的一维缺陷型光子晶体磁场和温度传感结构。应用全矢量有限元法（FEM）对该结构的反射谱及其反射峰值随磁场和温度的变化进行了仿真研究。数值模拟结果表明,反射峰值随磁场和温度发生规律性移动。当周期为7,磁流体厚度为577.58nm时,磁场灵敏度可达136.4pm/mT,温度灵敏度可达-34pm/℃。该传感结构既具有设计简单和线性度较高的特点,又能在同一结构中分别实现对磁场/温度的测量。
徐雪影, 施伟华
doaj
四川大学学报. 自然科学版, 1991 磁控源通常工作于0.1Pa～10Pa真空,常规的磁路设计难以使源小型化.单环靶面积利用率仅约30％,多环靶利用率达80％,但结构复杂.为此,我们研制了适合实验室使用的具有会切磁场阳极的小磁控原子源.1 源结构与特色磁控靶的性能分析及磁控靶场设计的理论计算与经验公式表明:磁控源的溅射速率随靶材而异,但与工作电压,气压及磁场强度的最佳匹配有关.磁控源靶磁路构成封闭环形跑道且水平磁场达数百高斯,是磁控放电的关键.
郑思孝
doaj
Shiyou jixie, 2012 测量钻井方位角时，置于套管中的磁性测斜仪易受套管磁场干扰，产生测量误差。针对该问题，提出建立套管感应磁场数学模型的方法，通过误差补偿提高测量精度。利用ANSYS软件对套管进行二维与三维有限元电磁仿真，得到了套管的感应磁场分布规律以及套管磁屏蔽系数，并建立了三维感应磁场与磁屏蔽系数之间关系的数学模型。指出沿套管径向的磁屏蔽程度较大，具体大小由套管的内、外半径和相对磁导率决定；沿套管轴向的磁屏蔽程度很小，磁感应强度衰减程度不到1%。根据求得的套管感应磁场分布规律，对测斜仪的测量数据加以补偿 ...
李永慧, 张晓明, 龙达峰, 刘俊
doaj
Gaoya dianqi, 2019 目前,如何准确测量磁场是强磁场研究的难点。文中概述了目前脉冲强磁场测量的几种方法,对各种方法的原理和特点进行了对比分析,并对各种方法存在的问题进行了阐述。最后针对存在的问题,展望了今后脉冲强磁场测量技术的发展方向。
李振华 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2009 变电所的瞬态电磁环境威胁二次系统的安全运行。采用现场测试和数值计算的方法分析了开关操作时和雷电作用时产生的瞬态电磁场。开关操作时产生的瞬态电场的频率范围为小于15 MHz,持续时间为8μs,主频为DC～1 MHz,上升时间为0.5～1.5μs;瞬态磁场的频率范围为小于20 MHz,持续时间为8～10μs,主频为0.5～3 MHz,上升时间为0.25μs。建议的最大瞬态磁感应强度为400 A/m,电场强度为20 kV/m。雷击变电所的雷电瞬态磁场建议取1 000 A/m。国家推荐性标准GB/T17626 ...
巩学海, 何金良, 李雨
doaj
四川大学学报. 自然科学版, 2005 制备了2-2型复合磁电材料Li NbO3/Terfenol-D,研究了其在不同频率交流激励磁场和直流偏磁场下的磁电耦合效应.为了充分利用Li NbO3晶体大的压电系数d15和d22使其在横场长度伸缩振动模式和厚度伸缩振动模式中获得较大的压电效应,本文选择了(xzt)41°切型的Li NbO3晶体作为复合材料Li NbO3/Terfenol-D的压电相,通过计算其压电系数从理论上得出了与实验比较一致的结果,即该材料具有较大的磁电耦合系数,在频率为114kHz交流磁场的激励下,当直流磁偏场达到1.9kOe时,
杨盼, 尹媛, 赵可, 朱劲松
doaj
Gaoya dianqi, 2017 为改善真空断路器的开断能力,文中设计一款非对称双线圈两极式纵向磁场电极的真空灭弧室触头。建立触头结构三维模型,在考虑涡流效应的影响下,采用有限元法对触头系统进行三维磁场仿真。结果表明,在电流峰值时动、静触头表面及触头间隙中心平面产生的纵向磁场强度有效面积较大且分布均匀。静触头表面最大值0.842 T,动触头表面最大值0.306 T;电流过零时刻触头间隙中心平面剩余磁场小,最大磁滞时间0.87 ms,导体回路电阻29.77μΩ。该非对称触头结构具有较大纵向磁场,电流过零时刻剩余磁场小,磁滞时间小 ...
易荣先, 郭建炎, 杨长洲
doaj
Gaoya dianqi, 2015 干式空心电抗器运行时产生的强磁场是变电站和换流站内电磁污染的主要来源,其产生的强磁场引起了变电站和换流站接地网导体的发热、对周围设备的磁干扰以及对运行人员身体健康的影响等。为此,通过有限元分析软件ANSYS的仿真,探讨了在三相一字形排列的干式空心电抗器最优工频磁场的抑制方式,对比分析了多种屏蔽方式下的磁场屏蔽效果,最终得出了在三相一字型排列的干式空心电抗器底部加钢屏蔽侧围加铝屏蔽的镂空屏蔽罩的最优磁场屏蔽方式,在这种屏蔽方式下,磁场的抑制效果最好,且对电抗器的影响较小。
张宁, 李琳
doaj
Gaoya dianqi, 2001 给出了强脉冲磁场的产生方法和单匝线圈产生磁场的理论计算 ,并且用微分环法和法拉第磁光效应法对单匝线圈产生的磁场进行了测量 ,测量结果与理论计算值相符。
石磊, 邱爱慈, 周国振, 沈志康
doaj