Results 51 to 60 of about 1,562 (150)
A Two-dimensional Analytical Model to GAT′s Gate Shielding Effect [PDF]
, 2000 【中文摘要】 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。 【英文摘要】 A two dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GAT’s collector depletion space in the cut off ...
庄宝煌 +3 more
core
Preparation of CaCu3Ti4O12 by Wet Chemical Synthesis Method and its Dielectric Mechanism [PDF]
, 2012 由于电子线路呈现微型化、高频化的发展趋势，因而要求电子元件的尺寸越来越小，同时要求可靠性高、集成度高且价格低廉。近年来一种新的具有巨介电常数的体心立方钙钛矿结构的材料CaCu3Ti4O12(CCTO)引起了研究人员的关注。这种材料的研究不仅具有理论上的意义，还在于实际应用方面。搞清CCTO巨介电常数的产生机理就显得尤为重要，本文从湿化学合成方法的角度出发，研究了CCTO的介电性能方面的问题。与同类研究相比，本文旨在突出研讨CCTO中的主要缺陷结构及其分布对其介电性能的影响的重要性。 首先采用Sol ...
喻荣
core
The improvement and investigation of efficiency droop effect in GaN based lighting-emitting diodes [PDF]
, 2016 氮化镓(GalliumNitride，GaN)基III-V族材料禁带宽度(0.7eV-6.2eV)可以覆盖紫外、可见、红外光波段，而且具有很高的光电、电光转换效率，使得其在发光二极管(LightEmittingDiode，LED)、激光器(LaserDiode，LD)、探测器(Photodetector，PD)以及太阳能电池(SolarCell)等光电器件领域有广泛的应用。本文以GaN基LED的需求为出发点，利用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）系统，制备了具有不同外延结构的InGaN/GaN多量子阱（
叶大千
core
Gaoya dianqi, 2014 目前,中国投入运行的交流输电线路中电压等级最高的已达到1 000 kV,为了精确计算超/特高压输电线路的工频电场,笔者基于模拟电荷法,建立了考虑电晕放电的计算模型。模型中需要计算导线周围离子流场中正负电荷的运动、复合及最终在宏观上达到稳态的过程。空间中任意一点的工频电场由导线内的束缚电荷和空间中的电离电荷共同决定。其创新点在于每根分裂子导线单位长度的电量仅用一个模拟线电荷等效代替。与现有文献中仿真结果的比对验证了文中计算模型的正确性。对1 000 kV三相8分裂交流输电线路的算例进行仿真计算 ...
黄子璇, 席黎明, 樊梦旭, 邹澎
doaj
Study on the Effect of Chloride Ions on the Corrosion Mechanism of Reinforcing Steel [PDF]
, 2007 钢筋腐蚀是严重威胁钢筋混凝土结构耐久性的首要因素，关系国计民生重大问题。混凝土中的钢筋是否发生腐蚀取决于维持其钝态的钢筋/混凝土界面环境条件，混凝土碳化和氯离子侵蚀是导致钢筋表面去钝化，引起腐蚀的主要原因。国际上钢筋腐蚀机理研究虽然较多，但许多问题仍未得到满意解决。本工作应用原位、半原位和非原位相结合方法，研究钢筋在模拟混凝土孔隙液中腐蚀行为和氯离子及pH值对钢筋去钝化的影响机制。（1）发展扫描微参比电极技术，结合极化曲线测试法，揭示了氯离子对钢筋腐蚀行为的影响机制，获得了引起钢筋腐蚀的氯离子临界浓度 ...
刘玉
core
Gaoya dianqi, 2006 通过实验研究了正棒-板电极间隙中气液混合体直流电晕放电的形态及其伏安特性,结果表明,不仅在棒电极头部有电晕放电现象发生,而且棒电极上的水滴表面也会产生较强的电晕放电。在相同电压作用下,自来水-空气混合体的放电电流最大,纯净水-空气混合体的次之,单纯空气的最小。电流的增大主要与液滴的电导率、运动液滴对局部电场的畸变及对空间电荷的破坏等作用有关。
杨长河, 许怀丽, 李劲, 何正浩
doaj
Gaoya dianqi, 2022 在三维空间中采用模拟电荷法计算输电线在电力杆塔周围产生的电场时，输电线和杆塔由若干段有限长导体构成，在模拟电荷法的计算过程中发现，电位系数矩阵的构建会消耗大量计算时间。为加速电位系数矩阵的构建，文中将整档输电线路分成多个区域，每个区域包含许多导体段，区域内部导体之间的电位系数和不同区域内导体之间的电位系数采用不同的计算方法，并且利用自适应交叉近似算法填充非对角子矩阵，只需计算出原始电位系数矩阵的部分元素即可近似表示原矩阵，从而减少计算时间。文中方案可有效减少电位系数矩阵的构建时间，提高计算效率 ...
杨勃 +5 more
doaj
Fine Structures of Energy Levels of DX Centers in [PDF]
, 2001 杂质和缺陷一直是半导体材料的重要研究课题。n型混晶材料的DX中心由于其特异的性质如持久光电导(PPC)效应等，更引起了人们的兴趣。至目前为止，虽然对DX中心的物理起源、精细结构等进行了许多讨论，但有许多问题仍有待解决。因此，随着AlxGa1-xAs，GaAs1-xPx等III-V族混晶材料在各种新兴光电器件中越来越广泛的应用，对III-V族混晶中DX中心的深入研究具有更重要的应用价值和学术意义。 本文将报告采用定电容电压瞬态法，测量了不同温度下n型AlxGa1-xAs:Sn（x=0.26 ...
肖细凤
core
Gaoya dianqi, 2010 笔者系统研究了非晶态聚合物中气隙缺陷的电老化机理。通过对单气隙缺陷以及悬浮电位局部放电特性的检测,确定了单气隙结构与局部放电特性之间的关系,并分析了局部放电对电老化过程的影响。试验结果表明,局部放电的起始电压、放电量、放电电流波形特征以及多周期统计特性都随着气隙结构的改变发生明显的变化。并且气隙中局部放电产生的"空间电荷"对后续放电过程的发展起到了"加速"作用,说明非晶态聚合物中长气隙缺陷局部放电引发的电老化现象与空间电荷量存在着密切的关系。
袁宇春, 高文胜
doaj
, 2005 研究了PLZT铁电陶瓷的电疲劳特性。结果表明:在加上极化电场以后,相对于未疲劳试样,电疲劳试样中沿着电场方向翻转的电畴较少,沿偏离电场方向的电畴较多。SEM分析表明疲劳前样品的断裂模式主要为穿晶断裂,而疲劳后主要为沿晶断裂。利用原位XRD分析得出样品在交流电场下由90o畴变导致的畴变应变高达0.1%,这种反复高畴变应变造成的沿晶微裂纹是造成疲劳试样电畴沿电场方向翻转减少的主要原因 ...
张颖, 陈志武
core