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Preparation of CaCu3Ti4O12 by Wet Chemical Synthesis Method and its Dielectric Mechanism [PDF]
, 2012 由于电子线路呈现微型化、高频化的发展趋势，因而要求电子元件的尺寸越来越小，同时要求可靠性高、集成度高且价格低廉。近年来一种新的具有巨介电常数的体心立方钙钛矿结构的材料CaCu3Ti4O12(CCTO)引起了研究人员的关注。这种材料的研究不仅具有理论上的意义，还在于实际应用方面。搞清CCTO巨介电常数的产生机理就显得尤为重要，本文从湿化学合成方法的角度出发，研究了CCTO的介电性能方面的问题。与同类研究相比，本文旨在突出研讨CCTO中的主要缺陷结构及其分布对其介电性能的影响的重要性。 首先采用Sol ...
喻荣
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Dianci bileiqi, 2019 主要基于已有的二维雷暴云起、放电模式背景下的上行闪电随机放电参数化方案,来进行二维高分辨率闪电放电的模拟实验,定量探讨了云闪放电过程对上行闪电的触发产生的有利作用。研究结果表明:云闪触发型上行闪电均发生于典型三极电荷结构下,当前次云闪结束后,在上部主正与中部主负电荷区内植入了大量异极性电荷,而底部次正电荷区几乎未受影响。近地面（0-3 km）的空间电位在云闪结束后由负位势转为正位势,负位势阱中心上移甚至消失,地面出现正位势阱中心;云闪放电后,空中原有强电场被摧毁,空间整体电场降低,与此同时,上部主正 ...
周洁晨, 谭涌波, 郑天雪, 陈超
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Gaoya dianqi, 2020 电晕放电是高压直流输变电工程运行和设计中重点关注的问题,其产生的空间电荷在直流电场的作用下积聚到设备绝缘表面上,引起绝缘表面局部电场畸变,降低设备的绝缘性能,目前尚无有效的数值方法考虑空间电荷对绝缘表面电场强度的附加影响。针对直流负极性球——板电晕放电,搭建了直流电晕下绝缘材料表面电荷测量试验平台,该试验平台采用了有源静电探头法的测量原理,选取了3种不同绝缘材料的圆形薄片和2种不同曲率的伞形圆盘作为试验的测量对象,测量其在负极性球——板电晕放电下绝缘表面各点的电位分布 ...
易凡, 杜志叶, 黄从鹏, 金颀
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Investigations of metallic microcontamination on P-type silicon wafer surface [PDF]
, 2005 当今制造亚微米/纳米器件要求硅片表面必须达到原子水平上的洁净光滑，而硅表面的金属微观污染是造成电子元器件性能失效的重要原因之一。氢氟酸是硅片表面准备过程中最常用的化学试剂，溶液中含有的微量金属离子会对硅片表面产生污染。为了揭示其污染本质，从而控制或消除污染，本论文工作通过采用电化学测试技术（包括直流极化和交流阻抗技术）以及扫描电子显微镜（SEM）、能量散射X射线能谱（EDX）、X光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱（AES）等现代表面分析技术对稀释氢氟酸溶液中含有不同微量（10-6~10-9水平）金属（铜、
郑宣
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Gaoya dianqi, 2017 为探究复合绝缘子用HTV硅橡胶材料的电导机制,以现场运行及人工加速老化试验的复合绝缘子为对象进行研究,通过电导电流测量装置对试品进行电导电流测试,总结材料的电导特性。研究初步发现:当HTV硅橡胶材料处于低场强试验阶段时（约05 kV/mm）,材料的电导电流I与场强E满足欧姆定律成正比关系;当材料处于较高场强试验阶段时（约530 kV/mm）,材料的电导特性处于空间电荷限制电流区,材料内部的陷阱开始捕获流经的载流子形成空间电荷;当材料处于高场强试验阶段时（约3040 kV/mm ...
黄成才, 李永刚
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The improvement and investigation of efficiency droop effect in GaN based lighting-emitting diodes [PDF]
, 2016 氮化镓(GalliumNitride，GaN)基III-V族材料禁带宽度(0.7eV-6.2eV)可以覆盖紫外、可见、红外光波段，而且具有很高的光电、电光转换效率，使得其在发光二极管(LightEmittingDiode，LED)、激光器(LaserDiode，LD)、探测器(Photodetector，PD)以及太阳能电池(SolarCell)等光电器件领域有广泛的应用。本文以GaN基LED的需求为出发点，利用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）系统，制备了具有不同外延结构的InGaN/GaN多量子阱（
叶大千
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Fine Structures of Energy Levels of DX Centers in [PDF]
, 2001 杂质和缺陷一直是半导体材料的重要研究课题。n型混晶材料的DX中心由于其特异的性质如持久光电导(PPC)效应等，更引起了人们的兴趣。至目前为止，虽然对DX中心的物理起源、精细结构等进行了许多讨论，但有许多问题仍有待解决。因此，随着AlxGa1-xAs，GaAs1-xPx等III-V族混晶材料在各种新兴光电器件中越来越广泛的应用，对III-V族混晶中DX中心的深入研究具有更重要的应用价值和学术意义。 本文将报告采用定电容电压瞬态法，测量了不同温度下n型AlxGa1-xAs:Sn（x=0.26 ...
肖细凤
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Microstructure of Nano-porous Silicon and Characteristics of Silicon Electrode Interfaces [PDF]
, 2010 多孔硅的孔径尺寸在微米到纳米范围内连续可调，但微结构复杂且不稳定，极大地限制了其应用领域。本论文选择重掺杂n(111)和中等掺杂p(100)单晶硅片为基体，采用电化学阳极极化技术在氢氟酸介质中制备了一系列纳米多孔硅样品，并利用扫描电镜、高分辨透射电镜、拉曼光谱、红外光谱和电子探针微区分析技术以及电化学直流极化、计时电流、计时电位和交流阻抗技术，系统地研究了不同外加电位与电流密度、刻蚀时间、氢氟酸浓度及光照强度与光照时间等条件下制备的多孔硅微结构及化学组成，详细分析了纳米多孔硅的电化学制备参数 ...
吕京美
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Ignition mechanism of methane by 5G electromagnetic waves and power safety thresholds in underground coal mines [PDF]
5G technology, with its advantages of high bandwidth, low latency, and extensive connectivity, has shown great potential in driving the intelligent transformation of the coal mining industry.
Haijian CHEN +6 more
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Gaoya dianqi, 2014 目前,中国投入运行的交流输电线路中电压等级最高的已达到1 000 kV,为了精确计算超/特高压输电线路的工频电场,笔者基于模拟电荷法,建立了考虑电晕放电的计算模型。模型中需要计算导线周围离子流场中正负电荷的运动、复合及最终在宏观上达到稳态的过程。空间中任意一点的工频电场由导线内的束缚电荷和空间中的电离电荷共同决定。其创新点在于每根分裂子导线单位长度的电量仅用一个模拟线电荷等效代替。与现有文献中仿真结果的比对验证了文中计算模型的正确性。对1 000 kV三相8分裂交流输电线路的算例进行仿真计算 ...
黄子璇, 席黎明, 樊梦旭, 邹澎
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