Results 81 to 90 of about 1,562 (150)
Mechanistic Study on Photoelectrochemical Etching of Gallium Nitride [PDF]
, 2017 宽禁带（3.4eV）的氮化镓(Galliumnitride，GaN)被认为是第三代半导体材料之一，在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景；然而，采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质加工。近年来研究发现基于光生空穴的光电化学(PEC)刻蚀是一条可行的加工途径，但因现行制备技术尚无法制出无位错缺陷的GaN晶片，各种位错缺陷所造成的晶体表面空穴分布不均将严重影响刻面质量；因此，弄清GaN表界面特别是各种位错缺陷对PEC刻蚀过程的影响，对发展湿法刻蚀加工方法有着重要的理论意义 ...
王亚会
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对Carrara—Thione的长空气间隙正极性操作波放电模型的评论
Gaoya dianqi, 1984 本文对于长空气间隙的正极性操作波放电电压计算方法进行了讨论。这方法是基于当代著名的Carrara—Thione临界半径理论。但是这理论在任意形状电极转化为标准电极的两个重要判据上,处理得不够恰当。影响了该理论的应用。本文对于该两个判据提出了修正,使得它的概念和计算方法更为完备。这样借助于优化模拟电荷法,可以计算任意形状电极的长空气间隙承受正操作波时的放电电压。计算结果和实验数据有较好的一致性。
唐耀宗, 陈亚珠
doaj
Anticorrosion Properties of Modified Nano-TiO_2 Films Prepared by Sol-Gel Method [PDF]
, 2012 应用溶胶-凝胶法和浸渍提拉技术在316l不锈钢表面分别制备TIO2纳米膜和 b-fE-CE改性的TIO2纳米膜. 采用场发射扫描电子显微镜(fE-SEM)、原子力显微镜(AfM)、拉曼光谱法和能量分散谱(EdS)对薄膜进行表征,通过电化学阻抗谱(EIS)和动电位阳极极化曲线的测试考察薄膜的耐蚀性及对不锈钢的保护性能. 结果表明:两种纳米薄膜均含锐钛矿型的TIO2纳米颗粒,纯TIO2纳米膜与改性后的纳米膜中颗粒直径分别约为15和10 nM.
丁敏 +6 more
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Gaoya dianqi, 2013 高压直流输电线路发生电晕放电时,周围空间会充满带电离子,从而使空间电场显著增强。为了准确计算地面离子流场,文中采用该有限元—积分法对双极离子流场的控制方程进行求解。文中在计算合成电场时采用了有限元外推法,同时还对空间电荷密度初值进行了改进。通过利用该方法对同轴圆柱模型和±400 kV的直流线路进行的比对计算,验证了该算法的有效性。同时,在实际的±500 kV直流线路上,把该算法的计算结果与已有算法的计算结果进行了对比。实际线路验证和算法间对比均表明,该方法具有较好的精度。最后,采用所提出的方法对±800
李永明 +3 more
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Synthesis and Photoelectric Property for the Fullerene Complex C_(60)Pd(Ph_2PCH_2CH_2CH_2CH_2PPh_2) [PDF]
, 2006 本文在惰性气氛中通过取代反应合成出富勒烯金属配合物C60Pd(Ph2PCH2CH2CH2CH2PPh2),采用元素分析、红外光谱、紫外可见光谱、光电子能谱以及X射线粉末衍射等手段对产物进行表征,同时研究了产物的氧化还原性能及热稳定性能。此外,在光电化学电池中测定了C60Pd(Ph2PCH2CH2CH2CH2PPh2)在GaAs电极上形成n+n型异质结的光伏效应,结果表明:产物具有优良的光电转化性能,尤其是在BQ/H2Q介质电对中,光生电压最大达到212mV;当C60Pd ...
吴振奕 +4 more
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Si-base Ge Quantum-Dots Photodetector Used in Fiber Communication Field [PDF]
, 2009 整合光纤通信的低损耗宽频带大容量低成本的优势与Si基质材料的成熟工艺技术和低廉制作成本优势，研制Si衬底Ge量子点光纤通信用光电探测器，将为超大规模光电集成通信及未来光子通信做好准备，造福人类。 本论文在超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）生长设备上，采用自组装S-K（Stranski-Krastanov）先层后岛生长方法，系统的研究了单层Ge量子点生长条件，得到了单层Ge量子点生长的最优条件：温度T=550℃；时间t=5min；GeH4流量=1sccm。进而优化设计多层结构生长条件 ...
汪建元
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Experimental Research of Electrogasdynamic Power Generation With Exposed Electrode Structure Based on Normal Temperature Air [PDF]
In order to explore the influencing factors and laws of the basic process of electrogasdynamic power generation, a simple electrogasdaynamic high-voltage power generation test device with exposed electrode structure was designed based on the basic theory
KE Minghui, LAI Lin
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Simplified model of calculating heterojunctionband [PDF]
, 2001 本论文的工作可分两部分。第一部分是关于异质结带阶的研究。第二部分研究周期性磁场下单量子阱中电子的能带结构。 在带阶研究中，我们主要对应变层异质结的带阶进行研究。首先采用基于密度泛函理论框架下的模守恒赝势法计算得到体半导体材料的能带结构，接着我们把平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带带阶研究。通过平均带阶参数形变势和研究带阶参数随应变状态的变化关系，发现平均带阶参数在不同应变状态下基本上保持不变，从而建立了异质结带阶计算的简化模型。这样，在应变层带阶参数的计算中 ...
廖任远
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Gaoya dianqi, 2017 随着中国电网发展,高电压等级下,越来越多的SF6气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）在运行过程中出现绝缘故障,支柱绝缘子作为GIS中的绝缘薄弱环节,由于其沿面闪络导致GIS事故的案例屡见不鲜。为探究造成绝缘子闪络事故的原因,文中利用实验室1 MV陡前沿冲击试验装置,研究双指数冲击电压作用下气压及波头时间对表面附着金属微粒的支柱绝缘子沿面闪络电压的影响。结果表明:附着金属微粒的支柱绝缘子沿面闪络电压随气压升高出现了"驼峰"现象,负极性"驼峰"极大值对应的临界气压值小于正极性。此外,正极性闪络通道单一 ...
谭向宇, 刘轩东, 张玲俐
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Preliminary Studies in Electrochemical Nanoimprint Lithography directly on Crystalline Semiconductor Wafer [PDF]
, 2017 具有三维微纳结构的材料通常具有优良的机械、电子、光学以及光电性能，使得微纳米加工技术在集成电路、集成光学、微机电系统、纳米技术以及精密机械加工等多个领域发挥着重大作用。而半导体材料在微纳器件中应用最为广泛，因此针对半导体的微纳米加工技术至关重要。电化学微纳米加工技术无热效应，具有精度可控、加工效率高、环境友好等特点，在加工半导体三维微纳米结构上具有很大的潜力。将纳米压印的工作模式、金属辅助刻蚀的原理和约束刻蚀剂层薄层溶液理论相结合，我们发展了一种直接作用于半导体材料的新型电化学纳米压印技术 ...
张琳
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