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Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode [PDF]
, 2008 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。A measurement ...
归强 +6 more
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Gaoya dianqi, 2004 通过电压-电流波形和电压-电荷李萨育图的测量,研究了空气中多针-平板电极介质阻挡放电特性,比较了这种放电和平板-平板电极介质阻挡放电的区别,并通过接触角测量比较了这两种形式放电对聚四氟乙烯（PTFE）进行表面改性的效果。结果表明:在相同的条件下,与平板-平板电极介质阻挡放电相比,多针-平板电极介质阻挡放电空间能产生更多的活性粒子;用这种放电对PTFE进行表面改性,能在更短的时间内获得和平板-平板电极介质阻挡放电相同的效果。
王辉, 方志, 邱毓昌
doaj
Fabrication and Induction Mechanism of Piezoelectric PVDF Micro/Nano-Fibrous Membranes by Electrospinning [PDF]
, 2012 聚偏氟乙烯(Polyvinylidenefluoride,PVDF)是目前唯一获得广泛应用的柔性压电材料，也是迄今为止发现的压电性最高的聚合物材料。PVDF至少存在五种晶相，即α、β、γ、δ和ε相，其中以β相的压电性能最好而引起人们的广泛关注。拉伸极化是获得PVDF压电薄膜的最基本工艺，但传统的冷拉伸高温强电场极化难以实现高含量β相，且存在工艺复杂、耗时、浪费资源等缺点，限制了其应用范围。静电纺丝是一个兼有机械拉伸和电极化一体化的技术，近年来已成为制备PVDF压电薄膜的研究热点。然而 ...
雷廷平
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Gaoya dianqi, 2018 电晕特性是特高压直流输电线路设计的关键技术问题之一。电晕放电物理过程复杂,影响因素多,基于电晕放电物理过程建立数值模型进行计算是研究电晕问题的有效手段。电晕流体模型在电晕等离子的仿真计算中得到广泛的应用。大部分电晕流体模型的计算中使用Kaptzov假设作为边界条件,没有考虑二次电子发射机制,并且当电晕电流较大时,没有充分考虑的电子扩散、电荷复合和空间光电离等因素的影响。文中基于简化的电晕等离子体流体模型,进一步考虑电子扩散、电荷复合、空间光电离和二次电子发射机制提出完整模型,采用4阶龙格 ...
王黎明, 陈正颖, 怡勇
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Mechanistic Study on Photoelectrochemical Etching of Gallium Nitride [PDF]
, 2017 宽禁带（3.4eV）的氮化镓(Galliumnitride，GaN)被认为是第三代半导体材料之一，在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景；然而，采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质加工。近年来研究发现基于光生空穴的光电化学(PEC)刻蚀是一条可行的加工途径，但因现行制备技术尚无法制出无位错缺陷的GaN晶片，各种位错缺陷所造成的晶体表面空穴分布不均将严重影响刻面质量；因此，弄清GaN表界面特别是各种位错缺陷对PEC刻蚀过程的影响，对发展湿法刻蚀加工方法有着重要的理论意义 ...
王亚会
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对Carrara—Thione的长空气间隙正极性操作波放电模型的评论
Gaoya dianqi, 1984 本文对于长空气间隙的正极性操作波放电电压计算方法进行了讨论。这方法是基于当代著名的Carrara—Thione临界半径理论。但是这理论在任意形状电极转化为标准电极的两个重要判据上,处理得不够恰当。影响了该理论的应用。本文对于该两个判据提出了修正,使得它的概念和计算方法更为完备。这样借助于优化模拟电荷法,可以计算任意形状电极的长空气间隙承受正操作波时的放电电压。计算结果和实验数据有较好的一致性。
唐耀宗, 陈亚珠
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Synthesis and Photoelectric Property for the Fullerene Complex C_(60)Pd(Ph_2PCH_2CH_2CH_2CH_2PPh_2) [PDF]
, 2006 本文在惰性气氛中通过取代反应合成出富勒烯金属配合物C60Pd(Ph2PCH2CH2CH2CH2PPh2),采用元素分析、红外光谱、紫外可见光谱、光电子能谱以及X射线粉末衍射等手段对产物进行表征,同时研究了产物的氧化还原性能及热稳定性能。此外,在光电化学电池中测定了C60Pd(Ph2PCH2CH2CH2CH2PPh2)在GaAs电极上形成n+n型异质结的光伏效应,结果表明:产物具有优良的光电转化性能,尤其是在BQ/H2Q介质电对中,光生电压最大达到212mV;当C60Pd ...
吴振奕 +4 more
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Gaoya dianqi, 2013 高压直流输电线路发生电晕放电时,周围空间会充满带电离子,从而使空间电场显著增强。为了准确计算地面离子流场,文中采用该有限元—积分法对双极离子流场的控制方程进行求解。文中在计算合成电场时采用了有限元外推法,同时还对空间电荷密度初值进行了改进。通过利用该方法对同轴圆柱模型和±400 kV的直流线路进行的比对计算,验证了该算法的有效性。同时,在实际的±500 kV直流线路上,把该算法的计算结果与已有算法的计算结果进行了对比。实际线路验证和算法间对比均表明,该方法具有较好的精度。最后,采用所提出的方法对±800
李永明 +3 more
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Anticorrosion Properties of Modified Nano-TiO_2 Films Prepared by Sol-Gel Method [PDF]
, 2012 应用溶胶-凝胶法和浸渍提拉技术在316l不锈钢表面分别制备TIO2纳米膜和 b-fE-CE改性的TIO2纳米膜. 采用场发射扫描电子显微镜(fE-SEM)、原子力显微镜(AfM)、拉曼光谱法和能量分散谱(EdS)对薄膜进行表征,通过电化学阻抗谱(EIS)和动电位阳极极化曲线的测试考察薄膜的耐蚀性及对不锈钢的保护性能. 结果表明:两种纳米薄膜均含锐钛矿型的TIO2纳米颗粒,纯TIO2纳米膜与改性后的纳米膜中颗粒直径分别约为15和10 nM.
丁敏 +6 more
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Si-base Ge Quantum-Dots Photodetector Used in Fiber Communication Field [PDF]
, 2009 整合光纤通信的低损耗宽频带大容量低成本的优势与Si基质材料的成熟工艺技术和低廉制作成本优势，研制Si衬底Ge量子点光纤通信用光电探测器，将为超大规模光电集成通信及未来光子通信做好准备，造福人类。 本论文在超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）生长设备上，采用自组装S-K（Stranski-Krastanov）先层后岛生长方法，系统的研究了单层Ge量子点生长条件，得到了单层Ge量子点生长的最优条件：温度T=550℃；时间t=5min；GeH4流量=1sccm。进而优化设计多层结构生长条件 ...
汪建元
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