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Synthesis and Photoelectric Property for the Fullerene Complex C_(60)Pd(Ph_2PCH_2CH_2CH_2CH_2PPh_2) [PDF]
, 2006 本文在惰性气氛中通过取代反应合成出富勒烯金属配合物C60Pd(Ph2PCH2CH2CH2CH2PPh2),采用元素分析、红外光谱、紫外可见光谱、光电子能谱以及X射线粉末衍射等手段对产物进行表征,同时研究了产物的氧化还原性能及热稳定性能。此外,在光电化学电池中测定了C60Pd(Ph2PCH2CH2CH2CH2PPh2)在GaAs电极上形成n+n型异质结的光伏效应,结果表明:产物具有优良的光电转化性能,尤其是在BQ/H2Q介质电对中,光生电压最大达到212mV;当C60Pd ...
吴振奕 +4 more
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Gaoya dianqi全氟己酮是一种新型高沸点清洁灭火剂，满足阀厅灭火喷射距离远、介质绝缘性好和无污染的要求。文中研究了雾径约719.0 μm的全氟己酮雾滴和气态全氟己酮对棒—板短空气间隙放电特性的影响。4 cm棒—板间隙下，流量由0.27 L/min上升至1.94 L/min时，全氟己酮雾滴—空气两相体间隙击穿场强由11.85 kV/cm上升至14.35 kV/cm，最高较空气间隙提升1.69倍；当气态全氟己酮体积分数由0.44%增加至10.25%，全氟己酮气体—空气的击穿场强由10.50 kV/cm上升至18.68 kV/
邓捷 +6 more
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
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Synthesis and Property of Noval Solar Energy of C_(60)Pt(dppp) [PDF]
, 2009 以C60及双齿膦dPPP为配体,在氮气氛下合成出C60PT(dPPP)配合物,采用质谱、元素分析、红外光谱、紫外可见光谱以及光电子能谱等手段对产物进行表征.同时研究了产物的光电性能及氧化还原性能.光伏效应研究结果表明:产物具有优良的光电转化性能,尤其是在bQ/H2Q介质电对中,光生电压最大达到371MV;当C60PT(dPPP)薄膜厚度为1μM时,光伏效应值最大.The fullerene complex C60Pt(dppp) was prepared by reacting C60 with ...
吴振奕, 张娜, 杨绳岩
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Gaoya dianqi, 2004 通过电压-电流波形和电压-电荷李萨育图的测量,研究了空气中多针-平板电极介质阻挡放电特性,比较了这种放电和平板-平板电极介质阻挡放电的区别,并通过接触角测量比较了这两种形式放电对聚四氟乙烯（PTFE）进行表面改性的效果。结果表明:在相同的条件下,与平板-平板电极介质阻挡放电相比,多针-平板电极介质阻挡放电空间能产生更多的活性粒子;用这种放电对PTFE进行表面改性,能在更短的时间内获得和平板-平板电极介质阻挡放电相同的效果。
王辉, 方志, 邱毓昌
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Monolithically Integrated Optical Receiver with Spatially Modulated Optical Detector in CMOS Technology [PDF]
, 2009 设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nM空间调制(SPATIAlly MOdulATEd,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTrE环境中等效电路的新模型。提出标准CMOS工艺下SM探测器与前置放大电路单片集成的电路设计。仿真结果表明,在850 nM光照下,SM探测器带宽达到400 MHz,并提供62 MA/W的响应度。整个集成芯片的工作速率为400 Mb/S,增益为0.81 kV/W,功耗为91 MW。A monolithically integrated optical
卞剑涛 +4 more
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Gaoya dianqi, 2018 电晕特性是特高压直流输电线路设计的关键技术问题之一。电晕放电物理过程复杂,影响因素多,基于电晕放电物理过程建立数值模型进行计算是研究电晕问题的有效手段。电晕流体模型在电晕等离子的仿真计算中得到广泛的应用。大部分电晕流体模型的计算中使用Kaptzov假设作为边界条件,没有考虑二次电子发射机制,并且当电晕电流较大时,没有充分考虑的电子扩散、电荷复合和空间光电离等因素的影响。文中基于简化的电晕等离子体流体模型,进一步考虑电子扩散、电荷复合、空间光电离和二次电子发射机制提出完整模型,采用4阶龙格 ...
王黎明, 陈正颖, 怡勇
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Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode [PDF]
, 2008 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。A measurement ...
归强 +6 more
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对Carrara—Thione的长空气间隙正极性操作波放电模型的评论
Gaoya dianqi, 1984 本文对于长空气间隙的正极性操作波放电电压计算方法进行了讨论。这方法是基于当代著名的Carrara—Thione临界半径理论。但是这理论在任意形状电极转化为标准电极的两个重要判据上,处理得不够恰当。影响了该理论的应用。本文对于该两个判据提出了修正,使得它的概念和计算方法更为完备。这样借助于优化模拟电荷法,可以计算任意形状电极的长空气间隙承受正操作波时的放电电压。计算结果和实验数据有较好的一致性。
唐耀宗, 陈亚珠
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Mechanistic Study on Photoelectrochemical Etching of Gallium Nitride [PDF]
, 2017 宽禁带（3.4eV）的氮化镓(Galliumnitride，GaN)被认为是第三代半导体材料之一，在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景；然而，采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质加工。近年来研究发现基于光生空穴的光电化学(PEC)刻蚀是一条可行的加工途径，但因现行制备技术尚无法制出无位错缺陷的GaN晶片，各种位错缺陷所造成的晶体表面空穴分布不均将严重影响刻面质量；因此，弄清GaN表界面特别是各种位错缺陷对PEC刻蚀过程的影响，对发展湿法刻蚀加工方法有着重要的理论意义 ...
王亚会
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