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Dianci bileiqi, 1992 由硅橡胶制成的绝缘材料试样,按照IEC-TC36推荐的老化试验方法进行试验.用于研究盐雾的参数（盐雾的浓度、盐雾的电导性）对闪络电压和老化过程的影响,试验结果具有可重复性以便改进材料.在雾室中,与绝缘材料表面连续试验有关的问题,通过对其等值附盐密度的测量来进行研究.为了解决这些问题,推荐采用间歇?雾试验,并且制定有关标准以评价绝缘材料表面的损坏程度.
邓奕光, 候宇军
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, 1998 采用混合模型 求解了ECR等离子体源中的各种物理参量，着重研究了中性气压、微波功率对等离子体参数(如等离子体密度、电子温度、等离子体电势)以及离子能量和方向角分布的影响，并讨论了与之相关的均匀性 ...
吴汉明, 刘明海, 胡希伟
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, 2012 结合传统统计学与地统计学方法,以塔里木河上游典型绿洲阿拉尔垦区为研究区,根据64个样点的试验数据,分析样区表层（0-10cm）和亚表层（10-20cm）土壤水盐空间分异特征。结果表明,土壤水分、pH值、电导率和全盐具有明显的空间变异性。样区土壤盐碱化程度较高,土壤水分表现为中等变异性,pH值为弱变异性,电导率、全盐及大部分离子含量为强变异性,盐分呈现强烈的表聚性特性。土壤水分和表层pH值的半方差理论模型较符合指数模型,亚表层pH值、电导率和全盐较符合球状模型。各指标块金值/基台值在0.122～0 ...
新疆大学资源与环境科学学院,乌鲁木齐830046／绿洲生态教育部重点实验室,乌鲁木齐830046 +5 more
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Gaoya dianqi为研究严重大雾天气下污秽零值绝缘子串的发热特性，文中建立了110 kV悬式瓷绝缘子串的电热耦合模型，分析了零值绝缘子在串中不同位置、不同污秽等级以及不同污秽分布对绝缘子串温度分布的影响特性，试验验证了仿真结果的有效性。研究表明：当盐密为0.04 mg/cm2的零值绝缘子串发热达到稳定时，串中零值绝缘子温度最低，而正常绝缘子温度明显增加，其增加的幅度受零值绝缘子的位置影响较大；污秽等级越高零值绝缘子串发热越严重，但串中零值绝缘子的温度随污秽等级提高其增加量最少，高压侧绝缘子温度增加较多 ...
王胜辉, 买佳敏, 李博
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, 2013 以艾比湖东南部历史时期干涸湖底为研究区,对6种不同景观类型下富盐沉积物进行采样分析.运用经典统计研究了干涸湖底各景观类型下富盐沉积物盐分含量及盐分积聚特征.结果表明:不同景观类型的沉积物可溶性盐分含量差异显著.从平均值角度看,各景观类型表层沉积物中0～30 cm层的盐分含量占0～60 cm层盐分含量的70％,即沉积物盐分垂直分布呈强表聚性.各景观类型的沉积物盐分含量均属于中等变异强度(30％＜Cv≤90％,中等变异性).富盐沉积物中阴离子以SO42-和Cl-为主,CO32-和HCO3-含量甚微 ...
米热班·阿布里米提 +8 more
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Dianci bileiqi, 2016 针对不溶物在盘形悬式绝缘子污秽试验中的作用,对型号为CA-872EX、FC12P/146和FC120/146盘形绝缘子进行了人工污秽试验（固体层法）。本文认为污闪电压随灰密增加而下降（等值盐密恒定为0.1 mg/cm2）,下降的特征与与绝缘子伞形和不溶物的比表面积有关,当灰密超过1.0 mg/cm21.5 mg/cm2,污闪电压下降趋于缓和,传统的钟罩型绝缘子（对比同等级普通型绝缘子）对于污秽中灰密增加敏感,抗高灰密能力不佳,比表面积也是引起污层吸附与瓷件或者结块的重要原因,当泄漏电流硅藻土中达到38 ...
李钊, 袁田, 邹炜, 张锐
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Dianci bileiqi, 2018 为了实现对输电线路上绝缘子污秽度的预测,提出一种基于遗传算法优化BP神经网络的绝缘子污秽度预测模型。鉴于BP算法在训练神经网络模型时其收敛速度慢、动态特性不够理想等不足,故本文提出利用遗传算法来提高预测的精度。本文不仅以风力、温度、降水量和相对湿度等气象因素作为输入量,同时也综合考虑空气质量指数（AQI）中PM2.5、PM10等环境因素指标作为输入量,以绝缘子盐密（ESDD）和灰密（NSDD）的预测值作为输出量,建立绝缘子污秽度的预测模型。结果表明:优化后的预测模型相较于BP神经网络模型预测更加准确。
王自立 +6 more
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Dianci bileiqi, 2019 绝缘子自然积污可分为两个过程,自然污秽粘附过程及降雨清洗过程。为研究自然积污特性,通过挡雨装置设置无降雨影响的自然积污试验环境,在无降雨影响下进行了不带电的自然积污试验,测量等值盐密及等值灰密表征绝缘子污秽程度并用于分析绝缘子积污特性。试验结果表明:无降雨影响时,绝缘子污秽程度和积污时间有密切联系,在污秽程度较低时,绝缘子积污程度随时间呈现线性增长趋势;随着污秽程度的增加,将会出现饱和现象或积污加快现象。同时,不同类型的绝缘子积污速度有所区别。在材质方面 ...
高思明 +5 more
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