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[Hereditary erythrocytosis caused by a novel EGLN1 gene mutation: a case report]. [PDF]

open access: yesZhonghua Xue Ye Xue Za Zhi
Zhang QG   +5 more
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一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法

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 本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法,该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括:在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层,沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层;具有热隔离作用的热绝缘层;高红外辐射吸收的黑硅材料层;以及其表面钝层;其中,高塞贝克系数金属层采用铝、金或钛,作为该非制冷热电偶红外探测器的冷端,热绝缘层包括具有热绝缘特性的氧化硅和氮化硅或将氧化硅作为牺牲层得到空腔,且氮化硅形成于氧化硅之上,高红外辐射吸收的黑硅材料层作为该非制冷热电偶红外探测器的热端,表面钝化层采用氮化硅层。
范玉杰   +5 more
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[Hollow copper sulfide nanocomposites combined with photothermal and photodynamic therapy inhibits malignant behaviors of esophageal cancer cells]. [PDF]

open access: yesNan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao
Yang P   +8 more
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[Report of 24 cases of primary ciliary dyskinesia in children]. [PDF]

open access: yesZhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Feng XQ, Zhong LL, Peng L, Xu L, Zhou P.
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光伏型InAs量子点红外探测器结构

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一种光伏型InAs量子点红外探测器结构,包括:一GaAs衬底;一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上;一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧,在GaAs底接触层的另一侧形成一台面;一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上,该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位;一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上 ...
刘峰奇   +9 more
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