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, 2006 <正>纳滤是介于反渗透和超滤之间的一种新型压力驱动型膜过程,其截留分子量为200-1000。多数纳滤膜为薄层复合膜,由表层的分离层和下层的多孔支撑层组成。其中,表层分离层一般都带有磺酸基或者羧基,所以在中性条件下,纳滤膜一般都带有负电荷。这样,纳滤分离带电溶质时除了筛分作用外,还有膜表面与溶质间的静电相互作用。目前,运用纳滤技术分离氨基酸溶液已有较多报道,其分离原理主要是基于不同氨基酸和膜表面静电相互作用力的差异 ...
陈向荣, 杭晓风, 万印华
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, 2013 本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底,该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层,其底面上设有金属背电极,该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结,该异质结上设有ITO顶电极。进一步的,该有机导电聚合物包括PEDOT:PSS。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成,纳米线高度为3-5μm,衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为:采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列 ...
陈立桅, 吕文辉
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Gongye shui chuli纳滤膜是纳滤技术的关键，其性能提升对海水淡化、盐湖提锂及高盐废水处理等领域意义重大。聚酰胺薄膜复合纳滤（TFC）膜的性能不仅受分离层固有特性的影响，多孔支撑层的结构与化学性质也对其分离性能、抗污染性能及长期稳定性具有关键调控作用。系统阐述了支撑层的共混改性（引入有机聚合物、无机纳米材料）和表面改性（涂覆、真空过滤沉淀、原位生长等）方法，分析了改性后支撑层在亲水性、孔隙率及表面形貌等方面的变化，及其对界面聚合反应过程的调控、分离层性能、薄膜复合纳滤膜性能的影响规律。结合近年来支撑层改性纳滤膜聚酰胺层的研究，
钟海媚 +7 more
doaj +2 more sources
, 2013 本发明属于材料制备领域。本发明提供一种生长纳米柱阵列的方法，包括步骤：1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜的表面生长化合物半导体材料的纳米柱阵列。本发明的优点在于，提供了一种生长纳米柱阵列的方法，利用HVPE生长系统中原生的高温HCl气体对于不同金属的腐蚀作用，调控金属的催化作用 ...
王志高 +4 more
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Gongye shui chuli, 2004 以废水回用为目的,用FT-50纳滤膜处理聚丙烯腈生产废水,对影响纳滤过程的因素,如操作压力、工作流量和运行时间进行了分析,并考察了纳滤膜对废水的CODCr、浊度、电导率和SS的去除效果。结果表明,经二级纳滤处理的出水中CODCr为83mg/L、浊度为2NTU、电导率为50μS/cm,检不出SS。此出水可作为聚丙烯腈生产过程中的冲洗用水,达到废水循环使用的目的,并可实现废水的零排放。同时,用去离子水冲洗就可使纳滤膜的纯水通量恢复率达到95%。
张永锋 +5 more
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Gongye shui chuli核电厂放射性废水的安全高效处理对人类健康和生态环境至关重要。纳滤因具有分离性能优异、化学污染小和能耗低等优点而被逐渐应用于对放射性核素的处理中。介绍了纳滤分离核素的原理与特点，分析了商品化纳滤膜截留核素的优缺点。针对商品化纳滤膜的不足，总结了改性纳滤膜的制备方法，指出当前用于截留核素的纳滤膜的制备研究主要集中于膜表面改性和基膜改性技术，而聚酰胺层改性与预沉积改性在该领域的应用研究仍然缺少。最后探讨了纳滤处理放射性废水的主要影响因素及其工程化应用的可能性 ...
程荣 +5 more
doaj +2 more sources
, 2013 本发明涉及一种基于碳纳米管薄膜的电容式柔性透明触摸屏,其包括设置于一基体表面上的透明导电层,以及与该透明导电层电连接的至少两个电极,所述透明导电层包括至少一碳纳米管薄膜层,所述碳纳米管薄膜主要由碳纳米管交织的网络组成,其中碳纳米管的用量在0.01-0.7mg/cm2;所述碳纳米管薄膜透光率为50-97%,电导率为30-500Ω/□,拉伸强度在200-2000MPa之间。本发明的优点在于:具有高透光率和柔性易弯曲等优点,且工作电压低、功耗低、灵敏度高、响应时间短,同时 ...
靳健 +4 more
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, 2010 本发明涉及一种聚偏氟乙烯超滤膜改性方法，用以改善膜的抗污染性能。采用PVDF为膜材料，通过添加亲水性纳米颗粒来改变膜亲水性，通过添加第二聚合物来使纳米颗粒在膜内分布，完成对PVDF的共混改性。本发明操作简单，有效的控制了纳米颗粒在膜内的分散，并保持了超滤膜的截留性能。所制得的超滤膜亲水性明显改善，抗污染能力显著提高 ...
宋春亮 +4 more
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, 2013 本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层,所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制备方法包含如下步骤:将衬底放入材料生长设备中,通入Ga源和N源生长GaN低温缓冲层;升高温度,通入n型掺杂源在GaN低温缓冲层上生长n型GaN薄膜;降低温度,在n型GaN薄膜上生长垂直InGaN纳米柱阵列;升高温度,通入p型掺杂源在InGaN纳米柱阵列上生长p型掺杂AlGaN层 ...
刘海滨, 程国胜
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, 2010 纳滤（Nanofiltration, NF）膜是在20 世纪80 年代末期发展起来的一种新型分离膜，它的出现填补了超滤和反渗透之间的空白。纳滤膜已广泛应用于中低分子量物质的脱盐和纯化，但关于高盐浓度下的纳滤脱盐过程报道较少，对高盐环境下纳滤分离性能知之甚少。本文主要研究高盐对有机溶质的纳滤截留性能和浓差极化的影响，并将纳滤脱盐技术分别应用于中性溶质体系—右旋糖酐铁络合原液、带电溶质体系—亚氨基二乙酸酸化母液、混合溶质体系—酱油原液三种高盐工业料液的脱盐浓缩，对其工艺过程进行优化并开展中试放大试验 ...
罗建泉
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