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Gaoya dianqi, 1997 利用动态图象高速微机采集系统,对纵向磁场线圈触头真空电弧形态进行了研究,触头开距从10mm到40mm变化,得出在相同电弧电流下,电弧扩散区域随开距增加而增加;电弧电压随开距增加而呈线性增加;弧柱电弧电场强度随开距增加而减少。这说明在长开距下,由于弧柱表面积增加,扩散到弧柱外的电子、离子和金属粒子相应增多,因而使输入到弧隙的能量增加以加热触头表面和加强粒子的扩散。
武建文, 王毅, 王季梅
doaj
, 2017 本申请公开了一种接地网导体的磁场检测装置，包括：磁传感器，用于根据接地网中的激励电流和采集参数采集接地网多个导体的磁场数据，并将采集的磁场数据发送给预处理模块；每个磁场数据带有对应接地网导体的标识；预处理模块，用于对所述磁传感器发送的磁场数据进行预处理，并将预处理后的磁场数据发送给微处理器；微处理器，用于对预处理后的磁场数据进行数字处理，并将数字处理后的磁场数据通过无线通信模块发送给变电站服务器，使变电站服务器根据所述接地网导体的标识，诊断对应接地网导体是否发生故障。本申请提供的磁场检测装置体积小 ...
邵帅 +4 more
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, 1985 本文研究了均匀磁场中液固流态化的三种过程：恒态、跃迁、周期。用因次分析法关联了8个主要参数，得到了无因次方程f((μ_m(H_0~2 + H~2)/(ρ_fu~2), Re, Ar, ε) = 0。实验与分析均说明，H。是体系物性的函数。在有磁场存在时，导出的ε～u关系，与普通记固床有同样的形式，并根据式 u = U_tε~m, 解释了一系列现象。本文提出了跃迁过程的两种理想模式以及膨胀和收缩过程的关联。表征膨胀过程的是特征时间常数τ，表征收缩过程的是床面沉降速率U_A.对周期过程的研究说明 ...
多文礼
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, 2004 采用线形组合算符和么正变换研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子基态的影响.结果表明,磁极化子束缚能、磁极化子振动频率随有效束缚强度增大而减小,随电子-体纵光学声子耦合强度增大而增大,随磁场强度增大而增大,即均由于半导体量子点的受限和磁场的增大而使量子点的极化加强 ...
肖景林, 王立国, 李树深
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, 2005 HIRFL CSR实验环电子冷却装置采用了能够产生空心电子束的电子枪,弯曲螺线管内采用了静电偏转电极,冷却段采用了独立的高精度螺线管串联产生纵向磁场的设计。测量了沿离子束运动方向冷却段磁场分布及磁场平行度、电子枪和收集器性能、300kV高压电源相关参数。结果表明 ...
卢旺,杨晓东,李杰,冒立军,王志学,赵红卫,燕宏斌,张玮,张军辉,V.V.Parkhomchuk,BINP Electron Cooler Group
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, 1999 本文主要考察了横向旋转磁场作用下铁颗粒、铁与不锈钢混合颗粒的液固流态化以及铁磁性颗粒（包括铁粉、四氧化三铁粉、三氧化二铁粉）和一些性颗粒（表面改性的碳酸钙、碳化硅、白炭黑、钛白、表面未改性的碳酸钙）组成的混合体系的流态化质量。本文首先从理论上分析了铁磁性颗粒在横向旋转磁场中的运动特性。铁磁性颗粒在磁场中极易形成紧密结合的或结合松散的链状物，而这种颗粒链在横向旋转磁场作用下的运动包括三个方面：①稳态自旋；②结合松散的颗粒链中颗粒之间的径向振动以及颗粒链的振荡 ...
吕雪松
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[Application of nanomaterials-enhanced magnetic resonance imaging in precise diagnosis of pan-vascular diseases]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiLi Y, Zhang P, Zhang N.
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, 2001 在兰州重离子加速器冷却储存环工程（ＨＩＲＦＬ－ＣＳＲ）实验环的注入设计过程中，通过对束流在侧面边缘场作用下运动的反向数值跟踪，得到注入束流通过二极磁铁和四极透镜边缘场的传输矩阵，并同理想场对束流的作用进行了比较．通过改变注入束流中心轨道及对磁铁的重新设计 ...
原有进,吴军丽,王宜国,徐向阳
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[Revolution teaching practice in sample pretreatment supported by large-scale instrument： a case study of magnetic covalent organic framework enriching organic ultraviolet filters in seawater]. [PDF]
Se PuLi S +5 more
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[Deep transcranial magnetic stimulation coil design and multi-objective slime mould algorithm]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiXiong H, Zhu J, Liu J.
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