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Gaoya dianqi铁心式双极纵磁触头是高压真空灭弧室中常用的触头类型之一。为探究铁心式双极纵磁触头真空灭弧室燃弧过程中真空电弧不可控模式出现的成因，对铁心式双极纵磁触头的纵向磁场特性进行了实验与仿真研究。采用霍尔效应传感器阵列搭建了触头磁场测量平台，对1~15 kA下铁心式双极纵磁触头的纵向磁场分布进行了测量，基于实测结果验证了铁心式双极纵磁触头磁场仿真模型的准确性，并利用该仿真模型进一步仿真分析了1~40 kA电流下的触头磁场饱和特性及40 kA电流等级下燃弧过程中触头间纵向磁场的动态变化规律。结果显示 ...
王军 +5 more
doaj
, 2005 在HIRFL-CSR实验环电子冷却装置上采用了独立的高精度螺线管串联产生纵向磁场的设计,获得很高的冷却段磁场平行度。使用霍尔片测量磁场的分布,使用磁针测磁方法测量冷却段磁场的磁轴偏角,并根据测量及计算结果对单个线圈磁轴进行微调。测量及调试结果表明,在施加电流为额定电流的一半时,冷却段磁感应强度为0.078T,剩余磁场小于2×10-4T,磁场不平行度小于1×10-4 ...
冒立军,杨晓东,李杰,卢旺,王志学,燕宏斌,张玮,张军辉,赵红卫,BIN Pelectron cooler group
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基于响应曲面法的马蹄铁型纵磁触头真空灭弧室磁场特性分析及优化
Gaoya dianqi, 2017 为提高马蹄铁型纵磁触头真空灭弧室的磁场特性,文中对其灭弧室磁场特性进行了基于响应曲面法的优化。选取铁片外径、铁片内外径差及铁片间槽口夹角差值作为3个优化参数,以电流峰值时纵向磁感应强度最大,有效磁场区域宽度最宽及磁场滞后时间最短作为3个优化目标,通过有限元方法建立触头计算模型,采用中心复合实验设计方法安排仿真计算,采用响应曲面方法建立二阶回归模型,通过多目标优化的方式对灭弧室磁场特性进行优化。得到了各优化指标随触头结构参数的变化趋势及灭弧室磁场特性最优时的触头结构参数组合——铁片外径90 mm ...
王子寒 +6 more
doaj
, 2007 在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化 ...
孙宝权, 王志路
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Gaoya dianqi, 1983 本文在小电流下真空电弧的试验研究基础上,着重分析了纵向磁场对单阴极斑点真空电弧的影响,并用电弧等离子体的运动解释了纵向磁场的作用,对纵向磁场作用下的强电流真空电弧也作了推论。
doaj
Gaoya dianqi, 1990 作者对纵向磁场如何影响真空断路器截流水平的问题进行了较为全面的实验研究。研究结果表明,在作者所采用的试品条件下,选用合适的触头材料（Cu—W—C）和加上适当的纵向磁场（0.5～2mT）,能使真空断路器的平均截流水平低于0.5A,最大截流低于2A。
邹积岩 +3 more
doaj
Gaoya dianqi, 1993 大功率真空开关的发展至今已有30多年的历史了。近年来,人们在真空灭弧室中引入纵向磁场,使其各项性能指标有了重大的突破。纵磁场控制了电弧能量,使电弧即使在短路电流下也能保持扩散,从而大大降低了触头电侵蚀。理论分析表明:纵磁场的存在也能使关合电弧（包括预击穿和弹跳 ...
邹积岩
doaj
Gaoya dianqi, 2005 用三维有限元法研究了7个设计参数对杯状纵磁触头的纵向磁感应强度、纵向磁场滞后时间、杯中和触头片中电流密度最大值以及导体电阻值的影响。研究表明:譹增加触头直径或开距会减弱纵向磁感应强度,增加杯指旋转角或杯指数目可使其增强,而杯指和水平面夹角、触头片上开槽数及触头材料采用CuCr50或CuCr25对其影响不大。譺设计参数在较大范围内变化时,纵向磁场滞后时间的变化很小。譻增加触头直径或触头片开槽数、减小杯指旋转角、合理选择杯指与水平面夹角和杯指数目或采用CuCr50触头材料可减少杯中或触头片中的电流集中 ...
张炫, 刘志远, 王仲奕
doaj
Gaoya dianqi, 1987 纵向磁埸真空灭弧室在结构上具有很多优点,目前世界各国都已得到广泛的应用。本文通过下列六个方面进行了分析。 (1) 纵向磁埸强度大小与电弧电压的关系。以及对分断能力、触头开距、触头直径影响的分析; (2) 涡流纵向磁埸大小和时间滞后关系的实测,减小触头表面涡流的几种措施及其效果; (3) 平面整体对接触头和镶嵌对接触头结构的分析及其发展趋势; (4) 双边线圈,单边线圈和屏蔽罩线圈三种不同结构纵向磁场分布的分析和应用范围; (5) 加强触头部分机械强度引起纵向磁场线圈电流分流的分析及计算和实测; (6 ...
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