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InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响
, 2006 对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明，横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反，在适当条件下，两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中，计算量子点的电子结构时，应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响 ...
黄永箴 +3 more
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, 1984 无力场概念常用以描述局部的强磁场区域,强磁场的演变所对应的动力学过程在天体物理中有广泛的应用。例如,磁场的扭绞、剪切以及挤压等都可与太阳活动密切相关 ...
许乃怀, 胡文瑞
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Gaoya dianqi, 2019 纵向磁场作用下真空电弧等离子体的微观参数变化趋势对于真空电弧的发展和能量变化有着重要的意义。文中基于气体动力学的漂移扩散方程,耦合电场计算的泊松方程,仿真分析了真空电弧在液态金属桥断裂之后,极间充满了大量的Cu金属蒸气后,到电弧等离子形成的这段非平衡态过程。考虑了真空电弧等离子体中微观电子、离子与金属蒸气分子间的碰撞、重组及粒子的漂移、扩散等复杂变化情况,建立了纵向磁场影响下非平衡态真空电弧的微观模型。数值模拟并分析了不同磁场强度对电弧等离子区微观参数的影响及变化规律。仿真结果表明:随着纵向磁场的增大 ...
李静, 杜志鹏, 曹云东, 王玲玲
doaj
Gaoya dianqi, 2020 真空灭弧室是机械式高压直流断路器的核心部件,为了有利于熄灭电弧,开断直流电流时,通常利用人工过零技术,在直流电流上叠加高频震荡电流,使得开断故障电流过零。由于直流断路器开断电流为高频电流,灭弧室间隙磁场分布对真空断路器的开断有着决定作用,通过建立三维真空灭弧室触头有限元模型,分析计算高频情况下的真空灭弧室的磁场分布情况。结果表明:高频情况下触头间隙磁场大小以及磁场滞后时间受到严重影响,触头间隙纵向磁场大小与平板触头产生效果类似,这对断路器开断效果很不利。
李如春 +5 more
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, 1987 本文观察和分析了气液固三相磁场流化床内的流动现象，测定了磁场强度、气体流速对液相的起始流化速度的影响，并就磁场的影响作了一些描述；得出床内的颗粒分为两种不同的结构：固定料层和流化区。对用固体磁场料阀MVS作为多层床的溢流分布板MDD，主要研究了流体速度、混合颗粒对MVS的开关效果、固定料层高度的影响及其规律。本文侧重研究了三相磁化床内的气液相间传质，应用轴向扩散模型，通过对实验数据的关联得出一个包含流速、磁场强度的关于k_ta的经验式，同时对床内的液相轴向扩散也作了一些初步的研究 ...
郭常绪
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Gaoya dianqi, 1999 提出了一种新型纵向磁场电极结构UAME（UPDATED AXIAL MAGNETIC ELECTRODE）.对其纵向磁场分布进行了计算和分析,并利用外径为60mm的户外真空断路器用小型真空灭弧室在同等条件下与 6×1/4匝杯状及4×1/4匝线圈式电极结构进行了开断实验,结果表明:UAME结构的开断能力与6×1/4匝杯状结构相比提高了31%;与4×1/4匝线图式结构相比提高了29%.
王政 +4 more
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Guangtongxin yanjiu, 2003 利用Matlab模拟了一种新型的非线性啁啾光纤光栅,当对光栅施加纵向应力时,通过改变光栅的调制周期来实现光栅啁啾的非线性,应力的改变是通过磁场的磁致伸缩效应来实现的.
刘玉敏 +4 more
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Gaoya dianqi, 1986 真空开关分裂线圈型触头的纵磁场可以用数学模型借助电子计算机进行计算。但是,触头的纵磁场分布,受制造工艺和电弧随机运动等许多复杂因素的影响,而这些因素又是建立数学模型时不易考虑的问题。本文以4×1/4匝实际触头为对象,实验研究了各分线圈的电阻和电流分布。在模拟触头不同的焊接质量和起弧位置的情况下,测量了触头空间直流和交流纵磁场沿径向、轴向和周向的分布规律 ...
doaj
Gaoya dianqi, 1985 本文分析了目前几种真空灭弧室的触头结构,探讨了各种不同结构触头的发展前途。对三种不同触头结构真空灭弧室,在同样尺寸条件下,在12.5千安电流时,利用合成回路,进行分断能力试验。同时着重对纵向磁场触头的磁场分布作了测试,证实新设计的纵向磁场触头结构真空灭弧室具有较多的优点和广泛的发展前途。
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