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用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法

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一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法,包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗,以去掉晶片表面的残留有机物分子,并初步提高晶片表面的亲水性;步骤2:将步骤1处理后的GaAs、InP晶片,分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理;步骤3:在键合夹具的协助下,将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合;步骤4:将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干,除去贴合晶片表面水份和界面部分水气,形成晶片间范德瓦耳斯结合;步骤5 ...
于丽娟, 晏磊
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[Construction of a ubiquitination-related gene prognostic model for breast cancer based on taxane treatment response]. [PDF]

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