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基于改进Cascade R-CNN算法的多类型绝缘子缺陷图像联合检测
Dianci bileiqi, 2022 当前输电线路巡检工作主要采用无人机巡检的方式来完成,利用人工智能技术助力巡检图像的缺陷识别已成为趋势。以往绝缘子缺陷检测研究大部分集中于绝缘子爆片类缺陷的检测,提出了一种改进的Cascade R-CNN算法,基于绝缘子缺陷数据建立绝缘子缺陷数据集。该算法主要针对绝缘子爆片、绝缘子电弧烧伤及绝缘子伞裙破损的多类型绝缘子缺陷联合检测。首先,针对目标比例小导致生成的anchor正负样本比例失衡的现象,将损失函数更改为Focal loss;然后引入了RoI Align方法以解决小目标的漏检;通过联合绝缘子串模型,
张欣 +5 more
doaj
Theoretical and numerical study of heat transport in low-dimensional systems [PDF]
, 2015 对低维系统热输运性质的研究一直以来都受到人们的普遍关注，特别是在近年来实验上对低维系统的制备和操控日趋成熟，纳米尺度小系统呈现的丰富的新奇物理现象以及其蕴藏的巨大应用潜能越来越受到研究者重视的背景下，对低维系统的热输运性质的研究就显得越发的重要。对于低维小系统，量子效应,非平衡态效应,以及非线性效应等都对体系的热输运性质有着极其重要的影响。本文对实际体系中普遍存在的界面热阻,热膨胀,以及近年来受到广泛关注的物质态的拓扑性质对低维系统的热输运性质的影响做了研究，并对一维简谐链中的涨落 ...
曹小东
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Gaoya dianqi, 2012 输电线路的绝缘配合主要是选择绝缘子型式、绝缘子串片数和空气间隙。根据重冰区输变电示范工程的需求,总结国内外研究现状和大量试验结果,比较了多种大吨位瓷绝缘子和玻璃绝缘子的覆冰闪络特性,利用所得结果选取了重冰区输电线路悬式绝缘子型号及串型。结果表明:XZP-300瓷绝缘子串覆冰闪络电压比XZP-210高,LXZP300玻璃绝缘子串覆冰闪络电压比LXZP-210高;间插布置绝缘子串和"V"型串绝缘子串冰凌桥接的速度变慢,饱和覆冰量大于常规悬垂串;重冰区线路可以采用考虑大吨位瓷绝缘子和玻璃绝缘子间插式的布置和 ...
何钢, 文习山
doaj
Fabrication of micrometer-sized and millimeter-sized spherical silica aerogel [PDF]
, 2015 目前，对球形气凝胶的制备工艺研究相对较少，微米级球形气凝胶在制备过程中容易发生团聚，毫米级球形气凝胶比较难实现批量生产。这些问题束缚了球形气凝胶的实际应用。 以正硅酸乙酯（TEOS）为先驱体、乙醇（EtOH）为溶剂，盐酸和氨水为催化剂制备硅溶胶，在油包水（W/O）乳液中发生溶胶-凝胶反应获得SiO2醇凝胶微球，最后通过超临界干燥制得SiO2气凝胶微球。探究了V硅溶胶/V油相、机械搅拌速率、表面活性剂浓度和硅溶胶粘度对产品的影响；探究了SiO2气凝胶微球的密度、圆度、粒径分布、微观网络结构、比表面积及孔径、
郭德乾
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A first-principles investigation of spin gapless Heusler compounds M2CoA (M = Mn, Ti; A = Al, Si) [PDF]
, 2015 M2CoA型Heusler化合物Mn2CoAl、Mn2CoSi、Ti2CoAl和Ti2CoSi具有独特的电子结构和磁学性质。Mn2CoAl是一种自旋无带隙半导体，其电子结构的一个自旋方向存在能带间隙，另一个相反自旋方向的导带和价带边缘在费米能级相接触，呈现无带隙半导体特性。Mn2CoSi、Ti2CoAl和Ti2CoSi被预测为自旋半金属，其电子结构的一个自旋方向存在能带间隙，另一方面，费米能级贯穿半金属相反自旋方向的能带，呈现金属特性。不管是自旋无带隙半导体还是自旋半金属，载流子都具有极高的自旋极化率 ...
林道斌
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Gaoya dianqi, 2018 绝缘子闪络是气体绝缘金属封闭开关的主要故障形式之一,提高绝缘子绝缘耐受水平可有效降低系统故障率。研究表明,洁净条件下的绝缘子闪络主要取决于绝缘子的沿面电场分布,而绝缘子及其屏蔽电极的形状均能够有效调节其沿面电场分布。文中设计并浇注了环氧支柱绝缘子样件,通过改变绝缘子形状、内屏蔽和外屏蔽电极的结构来调控其沿面电场分布;利用了负极性标准雷电波发生装置,实验研究了0.2 MPa SF6环境下绝缘子的闪络特性;采用有限元分析方法,计算分析了绝缘子沿面电场的最大值。根据实验结果与仿真计算结果,分析得到绝缘子形状 ...
刘琳 +6 more
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Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device [PDF]
, 2016 随着信息科学与微电子技术的发展，闪存已经成为今天市场上主流的非易失性存储器。但是随着浮栅存储器件尺寸的不断缩小，浮栅耦合、电荷泄漏、单元之间的串扰等问题日益严峻，开发更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存储单元已成必然趋势。在新型非易失性存储器的研究中，阻变存储器由于结构简单、读写速度快、存储密度高、操作电压低、与CMOS工艺兼容性好等优势有望成为新一代非易失性存储器。本文基于原子层沉积生长的HfO2薄膜，研究了在不同温度下原子层沉积生长HfO2薄膜的阻变特性，确定了最佳工艺温度；在此基础上 ...
陆超
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Gaoya dianqi, 2005 系统总结了目前高压真空绝缘闪络特性的实验研究成果,具体阐述了几种重要物理因素,即施加电场波形、绝缘体几何形状及长度、绝缘体几何面积、绝缘体表面处理、绝缘材料介电常数、绝缘体预放电处理、磁场作用、电极材料及几何形状、多层高梯度绝缘技术等,对绝缘闪络特性的影响。
高巍, 孙广生, 严萍, 邵涛
doaj
Fabrication of Mechanically Controllable Break Junction Microchip and Simulation by Material Mechanics [PDF]
, 2015 当“自下而上”途径组装器件的理念被提出后，美国科学家费曼继而提出小尺度上的操作和控制物质材料，这两个理念引导下产生的分子电子学成为备受人们关注的交叉性学科。过去的六十年里，分子电子学获得了飞速的发展，尤其是世纪之交的十年可谓是“分子电子学的黄金十年”，科学家们接连得到单原子、单分子尺度上的物理化学性质并付诸应用。然而，分子电子学研究的基本结构单元仍是金属/分子/金属结，而其构筑方法的不稳定性和表征手段不重现及单一性仍然是分子结的构筑和表征研究中面临的主要困境。 本论文工作以构筑稳定分子结为目标 ...
冯石
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500kV输电线路中低零值绝缘子对长串绝缘子电位和电场分布的影响
Dianci bileiqi, 2015 应用有限元软件Ansys分析了500 kV输电线路中零值和低值绝缘子及其位置、片数不同对整串绝缘子电位和电场分布的影响。结果表明:零值绝缘子比低值绝缘子对绝缘子串的影响要大,离劣化绝缘子越近电压和电场的影响越大;劣化绝缘子位于导线端和横担端对绝缘子串电压和场强的影响,比位于中部的影响大;多片劣化绝缘子连续分布比不连续分布对绝缘子串电压和场强的影响大;按在线测量分布电压法来检测劣化绝缘子,此方法的误判率和漏检率都很高。
陈瑶 +4 more
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