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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征

open access: yes, 2000
采用阶跃式GeH_4流量增加和温度降低的方法,超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层,并在其上生长出了弛豫的Si_(0.48)Ge_(0.32)外延层。俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变。Raman散射谱得出上表层应变弛豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好。腐蚀的样品观察到沿两个方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约5×10~7/cm~2 ...
张春晖   +7 more
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水冷换热器用阻垢缓蚀剂的开发与作用机理

open access: yesGongye shui chuli
为解决循环冷却水系统长期运行造成的结垢与腐蚀问题,开发了含有聚环氧琥珀酸(PESA)、聚天冬氨酸(PASP)和苯并三氮唑(BTA)或甲基苯并三氮唑(TTA)的高效复配阻垢缓蚀剂。通过静态阻垢法测试了在不同PESA与PASP配比下,复合阻垢剂对高浓缩循环水的阻垢性能。由于临界值效应和溶限效应,该复合阻垢剂的最大阻垢率为90.77%。通过电化学测试法评估了不同配方抑制剂在高浓缩循环水中对T2铜的缓蚀性能,结果显示复合阻垢缓蚀剂能同时抑制阴极和阳极反应,最大缓蚀率为95.05%。表面表征结果表明 ...
陶吉全   +6 more
doaj  

利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法

open access: yes
本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法,包括:步骤1:取一衬底;步骤2:采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层;步骤3:采用MOCVD方法,通入铟源和氮源,在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜;步骤4:关闭铟源,并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源,完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度,可以获得高质量的非极性A面InN薄膜,该方法可应用于高速微电子器件 ...
朱勤生   +8 more
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