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为量化分析典型黑土农耕地在冻结过程中的剖面水热耦合特征,以东北典型黑土区耕层土壤为研究对象,通过室内单土柱模拟试验,并结合COMSOL Multiphysics模型PDE模块,实现黑土冻结过程中温度场与水分场的耦合求解。结果表明:(1)COMSOL模型可实现黑土剖面冻结过程的水热耦合分析,温度场(R2=0.83,RMSE=0.91 ℃)与水分场拟合效果(R2=0.88,RMSE=0.02 cm/cm3)均较好,可满足拟合精度需要;(2)黑土农耕地剖面温度的变化速率呈先快速冷却后缓慢趋于稳定的变化趋势 ...
蒋瑶钰, 王彬, 陈祖明, 王文刚
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为了测量GIS中三相快速瞬态电压,需要三个电容传感器,而每个传感器同时受三相电压的电场耦合。文中讨论了三相共壳式GIS在完全对称布置和不完全对称布置情况下,电场耦合系数函数的基本特性。并且给出了电场耦合系数函数最大值的一种简便确定方法。
邹建华 +4 more
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利用ANSYS有限元软件建立了密集型母线槽的磁场-温度场耦合分析模型,在计算涡流场的基础上得到焦耳热损耗,随后将焦耳热作为体积热源,通过顺序耦合方法准确地计算了密集型母线槽的温度场。耦合过程中引入了预估-校正法,以确保预估的母排和外壳温升值的合理性,从而保证焦耳热损耗和外壳对流散热系数的准确性。母排和外壳温升的计算结果与实验结果吻合得很好,误差在1.2K之内。
武安波, 王建华, 耿英三
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复合绝缘子运行中异常发热现象频发,其中老化与表面污秽是导致发热的主要原因。文中采用有限元多物理场仿真,结合实测获得的材料参数,分别建立了正常运行、湿热老化、局部涂污及整体涂污等4种典型工况下的复合绝缘子仿真模型,根据湿热老化以及表面污秽的不同发热特征,分别建立静电、电流场两种模型。通过电场计算分析发现:湿热老化后复合绝缘子沿面电场增大、界面电场降低;局部涂污复合绝缘子在涂污处电场稍微下降;整体涂污复合绝缘子由于沿面电流增大造成电场畸变严重。通过以电介质损耗为接口的耦合热场以及电流场 ...
刘宇 +5 more
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随着我国电力事业的发展,电压等级不断提高,避雷器结构更复杂,相间与相邻带电设备的耦合电容干扰也变得难以分析计算。采用补偿法的LCD-4型泄漏电流检测仪及其带移相器的改进型号在现场的应用有一定局限性。为分析计算高压避雷器的耦合电容干扰,准确诊断各种结构和配置形式下的避雷器状态,提出一种避雷器三相耦合电容电流向量补偿方案。基于阻容网络理论,采用场路仿真结合方法,清晰地分析计算避雷器三相的耦合干扰,并提取对应避雷器各相的耦合干扰向量。通过预设故障仿真,证明避雷器三相泄漏电流监测数据经过耦合干扰向量补偿后 ...
王建 +5 more
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文章利用耦合波理论研究了光子晶体两平行直波导的定向耦合差频特性,得出以频率相近的两单频波入射两波导输入端口时,波导中的光场分布的解析表达式,并采用时域有限差分法计算了耦合波导中的模场分布。计算结果表明:通过波导的耦合作用可以在两平行波导中检测到入射波的差频包络,其时域特性与理论分析相符。提出了利用光子晶体定向耦合波导实现光波-毫米波的转换。
吴耀德 +3 more
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针对线天线耦合核电磁脉冲产生感应过电压对接收机造成损害的问题,基于瞬变电场与天线接收理论,利用理论与实验相结合的方法,采用有界波模拟器模拟2.3/23 ns电场波形,选用频段420 MHz~550 MHz的线天线进行电磁脉冲耦合实验。实验结果表明:频段为420 MHz~550 MHz的线天线对核电磁脉冲的耦合电压波形为阻尼振荡波型;耦合核电磁脉冲的频段主要集中在0 MHz~130 MHz;耦合电压峰值随着电场强度的增加呈线性增长趋势。分析试验数据 ...
李祥超, 王兵, 文巧莉, 欧阳文
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文章提出了一种基于自由空间耦合技术的电光调制器。入射光直接入射到作为耦合层的上层金属膜表面,通过改变外加电场的场强,控制入射光耦合进导波层的能量,从而改变反射光的强度,实现电光调制。该类调制器具有插入损耗小、响应速度快、稳定性高和成本低廉等诸多优点。与传统的棱镜耦合方式的聚合物电光调制器相比,自由空间耦合技术的引入使此类电光调制器结构更加紧凑、更易于阵列化集成。
罗莹, 肖平平
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繁琐复杂的静动力边界转换处理是进行静动力耦合模拟的关键步骤,为了研究黏弹性边界条件下传统静动力边界转换的合理性及其验证方法的适用性,本文首先根据弹性叠加原理提出了一种验证静动力耦合模拟分析中静动力边界转换合理性的方法(参考解法);然后基于有限元软件ABAQUS,并结合自行研发的适用于成层介质的黏弹性边界施加和等效节点力计算程序VBEA2.0,对多土层自由场静动力耦合模型和土-地下结构静动力耦合模型进行了地震反应分析,对参考解法的适用性进行了探究;最后使用本文提出的参考解法 ...
Shengjie Ma +5 more
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在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化 ...
孙宝权, 王志路
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