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磁脉冲压缩系统元件参数及电路仿真

open access: yesGaoya dianqi, 2009
应用Pspice电路分析软件,对单级磁脉冲压缩系统在纯电阻负载(400Ω)情况下的压缩过程进行比较全面、准确的模拟,其中磁开关的模型基于微秒脉冲激励下的磁芯B-H曲线。当负载为400Ω时,Pspice模拟结果揭示了饱和变压器PT和磁开关MS1的磁芯所需的饱和时间分别为4μs和400 ns,输出的负极性脉冲峰值-55 kV,半高宽为100 ns,下降沿为50 ns,实验结果很好地验证了这一结论。
张东东   +4 more
doaj  

±800kV单12脉动特高压直流输电工程避雷器布置与换流阀过电压研究

open access: yesGaoya dianqi, 2018
研究±800 kV双12脉动特高压直流输电工程避雷器布置方案,基于巴西美丽山工程提出±800 kV单12脉动特高压直流输电工程的避雷器布置方案。进一步研究整流站换流阀过电压、阀避雷器承受的能量和电流,选取交流相间操作冲击、6脉动换流器闭锁和Y/Y换流变阀侧绕组单相接地3种典型故障仿真计算,给出了整流站换流阀最大过电压,阀避雷器的最大能量和最大电流。研究结果为±800 kV单12脉动特高压直流输电工程相关设备的设计、生产和试验提供参考。
范彩云   +6 more
doaj  

高压可控硅的光电触发

open access: yesGaoya dianqi, 1982
介绍了用光电触发高压可控硅的试验研究结果;阐述了光电触发系统的方框图和结线图。从试验光源的选用、光脉冲的发生、控制、传输,光电管输出信号的整形和放大到脉冲变压器的设计及测试结果等,都作了具体的分析。
doaj  

纳秒级方波脉冲对稳压二极管损伤特性的研究

open access: yesDianci bileiqi
针对强电磁脉冲产生的瞬态过电压会对二极管半导体造成损伤的问题,基于二极管击穿理论,采用理论与实验相结合的方法,使用纳秒级高压方波脉冲源作为电压脉冲源,选用BZX55C系列不同型号的稳压二极管进行了不同脉宽下的方波脉冲注入实验。实验结果表明:稳压二极管的损伤能量随稳压二极管的稳压值增大而增大,损伤形式表现为稳压值下降,漏电流增大,伏安特性曲线畸变;不同稳压值的二极管对方波脉冲的敏感端不同,当稳压值小于12 V时,负极比较敏感,当稳压值大于12 V时,正极比较敏感;二极管损伤能量并非是一个恒定值 ...
李祥超, 王兵
doaj  

[Refractory systemic lupus erythematosus-associated thrombocytopenia treated with avatrombopag: A case report]. [PDF]

open access: yesBeijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban
Tang X   +8 more
europepmc   +1 more source

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