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Experimental Research on Micro-electroforming for Fabricating Cantilever Used in Micro-machined Tunneling Gyroscope [PDF]
, 2004 悬臂梁式微机械隧道陀螺仪是一种以悬臂梁作为换能构件，以电子隧道效应作为输出敏感方式的高精度和高灵敏度的角振动传感器，解决了传统微机械陀螺仪因尺寸减小而导致的灵敏度降低的缺点。加工工艺是制约其产业化的关键。悬臂梁是其核心构件，它将输入的角速度转为梁的振动位移，为了达到高的响应频率和输出，悬臂梁应达到一定的厚度和尺寸精度，这给悬臂梁的制作带来一定的难度。本文利用近紫外线厚胶光刻和微电铸的方法实现悬臂梁的制作，主要的研究工作包含如下几个部分： 根据微机械隧道陀螺仪的工作原理和悬臂梁的结构特点，
王明亮
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基于HHT的1000kV输电线路等电位脉冲电流幅值与能量研究
Gaoya dianqi带电作业是确保特高压输电线路安全稳定运行的关键技术，进出等电位脉冲电流幅值与能量特征是带电作业中确定电磁干扰特性的基础参数。为此现场实测1000 kV进出等电位脉冲电流，首先通过波形特征值提取算法统计电流特征量，分析转移电荷与作用积分和电流幅值的关系；然后基于HHT研究电流频域能量特征，探讨频率范围及能量强度。结果表明：峰值电流主要分布在[-500，500] A；上升时间、脉冲间隔、脉宽、转移电荷及作用积分的算术平均值分别为0.020 μs、1.72 ms、0.96 μs、1.45 mC、0.127 ...
吴田 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2007 电声脉冲法（PEA）是一种目前较为流行的空间电荷分布测量技术,使用该法的一个前提条件是必须产生一个幅值大于400 V、脉宽小于20 ns的高压脉冲。笔者研制了一种纳秒级高压脉冲发生器,利用水银继电器作为开关,贮能电容通过此开关对匹配负载放电,经试验能产生脉冲幅值600 V、脉宽小于10 ns的陡脉冲电压信号。
邓桃, 吴广宁, 周凯, 吴建东
doaj
Characteristics Study and Thermal Simulation of Alternating Current Light-Emitting Diode [PDF]
, 2011 随着人们对半导体材料生长技术、芯片工艺技术以及器件封装技术研究的不断深入，半导体发光二极管（LED）的性能得到了大幅度的提升，拓展了LED的应用领域。在新理念的指引下，设计出了在交流电压驱动下工作的发光二极管（AC-LED），进一步提升了LED灯具的产品竞争力。与传统DC-LED相比，AC-LED在电学、光学、热学特性上表现出极大的不同。本文主要从AC-LED器件本身的特性入手，围绕其电学、光学、热学特性展开研究，并建立相关热学模型进行仿真，分析讨论材料属性对器件特性的影响。具体包括以下内容： 1 ...
陈莹亮
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Gaoya dianqi, 2012 为了研究直流输电系统中换流变压器油纸绝缘的局部放电特性,设计构造了典型的油纸局部放电模型———气隙放电模型。针对同一模型分别施以交流电压、直流电压以及冲击衰减振荡电压,采用IEC 60270-2000推荐的脉冲电流法分别检测与分析该模型局部放电的不同特征参数。对比研究了在交流、直流及振荡冲击电压下油纸绝缘气隙放电模型的局部放电脉冲特征参量包括局部放电起始电压、熄灭电压、放电波形、放电水平、放电重复率等,对实现换流变压器的局部放电在线监测与绝缘状态综合评估有一定的指导意义。
徐春社 +3 more
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Experimental study on the therapy of acute biceps femoris strain with low-intensity electrical stimulation [PDF]
, 2016 2011-2012 > Academic research: refereed > Publication in refereed journalVersion of ...
Li, G, Wang, D, Yeung, S
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Gaoya dianqi, 2008 GIS内部由于存在各种绝缘缺陷而发生局部放电时,会激发起数百MHz至数GHz的超高频（UHF）电磁波在GIS腔体内传播。笔者根据电磁波在同轴波导中的传播理论,运用有限差分时域（FDTD）算法,对局部放电脉冲波形与其激发UHF电磁波之间的关系进行了仿真分析。首先研究了局部放电量与电磁波电场强度的关系,指出在一定的局放脉冲电流变化率下局放量的变化对电磁波电场强度的影响较小;然后研究了局放脉冲电流变化率与电磁波电场强度的关系,指出在局放量一定时二者近似呈线性关系 ...
王江, 钱勇, 刘君华, 江秀臣
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Research on Efficiency Improvement of GaN-based LEDs at High Driving Current Density [PDF]
, 2015 目前，III族氮化物LED已经取得了商业化，但要进一步取代传统照明，真正使GaN基LED走进千家万户，提升大电流注入条件下器件的功效是当前研究的主要任务。本文着重研究电流密度为100~150A/cm2注入条件下GaN基LED光电转换效率的提升。主要围绕器件外量子效率提升、有源区载流子限制作用提升及V-pits对功效的影响等方面进行了一些研究。具体研究了具有埋入式孔洞结构底层对器件外量子效率的影响，并通过优化低温缓冲层、p型层生长条件降低对有源区发光的吸收来改善器件大电流下的外量子效率及功效；研究了LB层、
张东炎
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