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光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构

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本发明公开了一种光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构,该结构的中心区域为有源区,有源区周边为环绕光栅,环绕光栅为无源区。在该结构的有源区注以电流,使有源区产生超辐射光,作为无源区的环绕光栅将传播至环绕光栅下方的超辐射光耦合至该结构表面并输出。本发明提供的是一种全新的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构,具有发散角小和光斑形状规则、大出光面积以及易于片上测试和集成等诸多优点 ...
王占国, 安琪, 金鹏
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[<i>Qihuang Jianpi Zishen</i> Granules ameliorate renal damage in MRL/lpr mice by inhibiting the MyD88/NF-κB pathway]. [PDF]

open access: yesNan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao
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一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法

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本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构,该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括:衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明,降低了HEMT器件的功耗,简化了制作工艺 ...
谈笑天, 郑厚植
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