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, 2015 本文对连铸结晶电磁搅拌技术在国内应用及发展现状进行了概述。介绍了为解决结晶器电磁搅拌器安装位置高与弯月面波动的问题,过往国内外采用的一些技术思路,及目前国内重点采用的磁屏蔽新技术和研发出具有自主知识产权、高磁场强度 ...
龙萌, 肖红, 毛斌, 易兵
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Gongye shui chuli煤矿开采必然伴随大量矿井水的生成，其中高矿化度矿井水占比逐年上升。研究高矿化度矿井水的处理与利用，有助于缓解煤矿缺水的现状，提高绿色矿山建设和清洁生产水平。对矿井水零排放处理流程中的深度脱盐工艺进行阐述，对处理系统存在的工艺流程长、能耗大、成本高等问题进行总结，并对比分析脱盐领域的前瞻性处理技术。在膜浓缩工艺方面，介绍了基于传统反渗透的改进技术、正渗透技术和膜蒸馏技术。针对分盐结晶工艺的前瞻性技术，对比了共晶冷冻技术、超临界脱盐技术、加湿-除湿技术以及光热脱盐技术 ...
杨晨毅 +4 more
doaj
, 2014 本发明涉及一种小晶粒微孔结晶硅酸铝及其制备方法，该微孔结晶硅酸铝的晶粒为针状，长度小于0.8μm，其化学组成以硅铝氧化物摩尔比表示为：SiO2/Al2O3=60～150；其X-射线粉末衍射花样为d值（nm），衍射相对强度（I/I0％）：10.65±0.15，很强；5.37±0.12，中等；4.34±0.10，强；3.86±0.10，中等；3.66±0.08，很强；3.59±0.08，很强；3.41±0.08，中等；2.51±0.06，强；2.44±0.06，中等 ...
田志坚 +10 more
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[Preparation of mesoporous covalent organic framework core-shell stationary phase and its application in the analysis of astragaloside Ⅳ content in <i>Astragalus</i>]. [PDF]
Se PuZhao XY +7 more
europepmc +1 more source
, 2005 本发明涉及一种微孔结晶硅酸铝及其制备方法，该种微孔结晶硅酸铝的化学组成以硅铝氧化物摩尔比表示为：SiO2/Al2O3＝60～150。其X-射线粉末衍射花样为d值(nm)，衍射相对强度(I/I0％)：10.65±0.15，很强； 5.37±0.12，中等；4.34±0.10，强；3.86±0.10，中等；3.66±0.08，很强；3.59±0.08，很强；3.41±0.08，中等；2.51±0.06，强；2.44±0.06，中等。本发明可用于石油馏分的加工过程 ...
田志坚 +4 more
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Gongye shui chuli研究了聚偏氟乙烯（PVDF）膜膜蒸馏处理脱硫废水过程中污染物对膜通量的影响，并确定处理过程中不同时期造成通量变化的先驱污染物和主导污染物。流速对污染物的分布起主导作用。采用三维单相计算流体力学（CFD）方法来评估膜模块系统中的流动状态，并通过SEM、X射线能谱仪（SEM-EDS）、FTIR分析不同污染时期污染物在膜表面水平方向和垂直方向上的分布、组成和结构。研究发现，膜通量的变化主要分为2个阶段：缓慢下降阶段和快速下降阶段，两阶段截然不同的通量变化归因于主导污染物的差异 ...
李棒 +7 more
doaj
, 2006 在Si基集成光电子学的发展中,高效的Si基光源是人们不懈追求的目标.但是Si材料的间接带隙特性导致其发光效率低,更谈不上受激发射.于是人们探索了多种Si基材料体系来提高Si材料的发光效率,并在不同程度上取得了重要的进展.在众多的Si基发光材料体系中,Ge/Si量子点材料,不仅生长工艺与标准的CMOS工艺有很好的兼容性,而且发光波长能够覆盖重要的光通信波段即1.3～1.55 μm,因此成为实现Si基发光器件的重要途径之一.但是目前这种材料的发光效率仍很低,所以提高其发光效率自然成为人们关注的焦点 ...
唐海侠, 王启明
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[Preparation and <i>in vitro</i> biological performance evaluation of tannic acid-Brushite <i>in situ</i> composite bone cement material]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiZeng C, Tang J, Li T, Gao W.
europepmc +1 more source
[Research progress on the acquisition technology of magnetocardiography]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiKang B +5 more
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本发明公开了一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法，该单晶薄膜异质结太阳电池包括：第一导电类型衬底；在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型单晶层和钝化介质层，且钝化介质层表面为绒面；在该第一导电类型衬底的背光面上依序形成的背光面第一导电类型单晶层和绝缘介质层；在该迎光面第二导电类型单晶层上形成的第一电极；以及在该背光面第一导电类型单晶层上形成的第二电极。利用本发明，避免了非晶硅薄膜中载流子迁移率低、少子寿命短的不足 ...
韩培德
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