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Adsorption behavior of Fe-Mn binary oxide towards As(Ⅲ) and As(Ⅴ) and its application in biogas slurry [PDF]

open access: yes, 2014
研究了铁锰复合氧化物(fMbO)吸附去除AS(Ⅲ)、AS(V)的性能。结果表明fMbO对AS(Ⅲ)、AS(V)均具有较好的吸附能力,其饱和吸附量分别为111.10、71.40 Mg·g-1。AS(Ⅲ)和AS(V)是通过与fMbO表面的fE—OH基团进行交换并形成内层络合物的形式被fMbO吸附,且AS(Ⅲ)的吸附是吸附和氧化共同作用的结果。另外,沼液中共存离子对AS(Ⅲ)和AS(V)的吸附有不同的影响。zn2+能够增加fMbO对AS(Ⅲ)、AS(V)的吸附量,且增加幅度随着zn2+浓度的增加而增加 ...
姜秀丽   +5 more
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Quantitative Investigation of the Size-dependent Aggregation of Nanoplastics [PDF]

open access: yes
The geochemical behavior of microplastics (MPs) and nanoplastics (NPs) in the environment has become a global hot topic. Aggregation effect is an important factor controlling the geochemical behavior of NPs, yet there is conflicting evidence regarding ...
Jiawei CHEN, Tingting HU, Zhixiong LI
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绝缘材料二次电子发射系数的测量及其影响因素研究进展

open access: yesGaoya dianqi, 2019
固体绝缘材料的二次电子发射现象会导致介质表面的电子倍增及电荷积累进而产生放电造成器件的失效,准确测量固体绝缘材料的二次电子发射系数对于指导材料选型、评价材料性能具有重要的意义。文中对比了绝缘与金属材料在二次电子产生、输运和发射过程的差异,总结了现有的绝缘材料二次电子发射系数测量手段,分析了初级电子能量、束流、入射角度、材料表面状态及样品表面电荷积累对二次电子发射特性的影响。初级电子在绝缘材料中的平均自由行程远大于二次电子,所以初级电子激发的内二次电子只有很少一部分能够逃逸为二次电子 ...
李杨威   +5 more
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基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化 [PDF]

open access: yes, 2010
在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40 ...
周杰, 郭东辉, 陈利
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GIL三支柱绝缘子表面电荷积聚特性

open access: yesGaoya dianqi
表面电荷积聚特性主要集中在平板试样、盆式绝缘子,对GIL设备用三支柱绝缘子表面电荷积聚特性鲜有报道。文中以实际550 kV GIL三支柱绝缘子为试品,建立三支柱绝缘子三维测量试验平台,采用电容探头法,改变电压幅值、加压时间、粗糙度,试验获取三支柱绝缘子表面电荷积聚规律。结果表明:交流电压作用下GIL三支柱绝缘子支柱区域积聚的电荷密度较小,而腹部区域积聚的电荷密度较大;提高试验电压幅值、延长试验电压作用时间、增大支柱绝缘子表面粗糙度,均可增加GIL三支柱绝缘子表面电荷密度;一定条件下 ...
黎卫国   +5 more
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550kV GIS现场交流耐压试验下放电故障的定位与分析研究

open access: yesGaoya dianqi, 2014
笔者结合超声波在线监测、放电电压值和SF6分解产物测量等多种手段,定位和分析了某变电站550 kV GIS现场交流耐压试验下的4处放电故障,总结研究了这几次放电故障,讨论了盆式绝缘子沿面闪络的主要原因,探讨了沿面闪络与缺陷局部放电、表面电荷输运之间的关系,认为盆式绝缘子表面金属颗粒易于起始负电晕放电,积聚负表面电荷,进一步畸变表面电场,提供放电通道发展所需的电荷;同时当盆式绝缘子与电极接触不良时,认为此时沿面放电易于起始于三结合点处的介质阻挡电晕放电 ...
邵先军, 何文林, 徐华, 刘浩军
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Gemini Surfactant-induced Leakage and Structural Change of Lecithin Vesicles: the Effect of Spacer Length [PDF]

open access: yes, 2005
双分子层、囊泡、单分子层、胶束等常用作细胞膜研究的膜模拟剂。囊泡(或称脂质体)由于其特有的稳定性和包容性,能够为各种特殊反应提供适宜的微环境而被广泛用于药物载体的研究中。本文采用天然磷脂—卵磷脂,通过乙醇注射法,制得结构完整的单室球状脂质体,研究联接基团为聚亚甲基链的系列季铵盐Gemini表面活性(简称12-s-12,s=4,6,8;s为联接基中亚甲基的数目)及相应单尾单头基表面活性剂DTAB各自在脂质体中的行为,来模拟物质在细胞膜上的吸附和渗透过程。通过浊度测量、动态光散射、Zeta电位 ...
张春艳
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基于粉尘图的静电放电脉冲作用下PMMA沿面流注发展机理研究

open access: yesGaoya dianqi
气—固界面的静电放电现象是绝缘表面电荷积聚的诱因以及沿面闪络故障的先导,也严重威胁着绝缘结构的可靠性。为进一步揭示静电放电机理及其影响因素,文中使用粉尘图法对聚甲基丙烯酸甲酯绝缘表面积聚电荷进行表征,并改变电压幅值以及电极结构模拟不同的运行环境,探究绝缘表面电荷分布和流注发展过程。实验结果表明:受反向放电的影响,正、负极性下的电荷斑图形貌以及外径均存在明显的区别,使绝缘沿面流注发展过程存在极性效应;电压以及电极结构的不同导致了电场分布的变化,最终也会影响流注发展过程以及电荷积聚过程 ...
石志杰   +4 more
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XSP-160型瓷三伞绝缘子积污特性的数值模拟研究

open access: yesGaoya dianqi, 2018
为研究瓷三伞绝缘子表面的积污特性及荷电量的影响,以XSP-160型瓷三伞绝缘子为研究对象,利用COMSOL建立了其风洞条件下的积污模型并进行了数值模拟,与其风洞试验结果进行了对比,结果验证了此方法的可行性。藉此,对该绝缘子自然积污特性进行数值模拟研究,分析了电压类型、颗粒荷电量对其自然积污特性的影响。结果表明:绝缘子表面积污量及其增长率在直流电作用下更大、更快,而在交流电作用下的结果略大于不带电的情况;直流电作用下,颗粒荷电量越大,积污量越多,颗粒未荷电、正常荷电、加倍荷电时积污量的直 ...
吕玉坤   +5 more
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直流GIL三支柱绝缘子界面电荷多自由度测试与反演算法

open access: yesGaoya dianqi
直流GIL三支柱绝缘子气—固界面容易积聚电荷,引发放电或炸裂击穿等故障,是绝缘系统的薄弱环节。然而,三支柱绝缘子形状不规则,曲面轮廓复杂,目前尚缺乏有效的表面电荷测量方法。研究针对三支柱绝缘子的复杂曲面轮廓,搭建了一套可实现电位全方位测量的空间五自由度机械装置,完成了对绝缘子表面电位全方位的自动测量,总测量点数为15 120个,空间采样率为0.25 mm-2。进一步通过调整边界条件以及采用维纳滤波处理,提出了适用于非对称复杂曲面结构的表面视在电荷反演优化算法。同种干扰条件下的模拟算例表明 ...
刘智鹏, 胡琦, 李玄, 李庆民
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