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, 2017 本发明提供了一种导电材料的超双疏表面，以导电材料为基体，基体表面具有多级线状结构的微纳米氧化锌，且该线状微纳米氧化锌堆积构成凹角结构，具有低表面能的含氟化合物或聚合物接枝在氧化锌上。该超双疏表面对水、油及有机溶剂的接触角均大于150°，滚动角均小于15°。本发明还提供了导电材料的超双疏表面的制备方法，采用电化学反应与表面修饰技术，简单易行 ...
支树迪 +5 more
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Gaoya dianqiGIS中盆式绝缘子表面在外施直流电压时会积聚大量电荷使得沿面闪络电压大幅降低，从而引发一系列电气设备故障。基于上述问题，文中分析了盆式绝缘子表面电荷的来源与传导途径，采用有限元仿真计算方法构建了二维轴对称仿真模型以及设定相关参数，研究了电压极性、不同电压幅值以及电压极性反转对盆式绝缘子表面电荷分布的影响。结果表明，在直流电压下，凹面主要积聚与外施直流电压极性相反的电荷，凸面主要积聚与直流电压极性相同的电荷，且凹面积聚的电荷密度更大；在极性反转后-100 kV直流电压下 ...
罗传仙 +7 more
doaj
Gongye shui chuli, 2023 采用界面聚合+涂层法制备了高性能盐湖提锂纳滤膜。以哌嗪（PIP）与十聚甘油混合水溶液为水相，1，3，5-苯三甲酰氯（TMC）的异构烷烃Isopar G溶液为油相，通过优化水相中十聚甘油添加量经界面聚合获得表面荷负电的疏松分离层，之后通过调整涂覆液中荷正电高聚物壳聚糖季铵盐的添加量在疏松分离层上附着性能优异的荷正电涂层，得到高性能盐湖提锂复合纳滤膜。采用Zeta电位仪、扫描电子显微镜（SEM）表征膜表面荷电性及膜表面形貌。之后考察了该复合膜对模拟卤水的提锂性能，结果表明，当水相中十聚甘油的质量分数为0.3%
孙佳楠 +4 more
doaj
, 2002 一种非电荷型电色谱柱，其特征在于：在毛细管中有由中性化合物单体原位聚合而成的多孔连续床，中性化合物单体选自苯乙烯、二乙烯苯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸十二醇酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸十八烷酯稀的甲基丙烯酸酯类化合物及二乙二醇甲基丙烯酸酯之一种或多种，孔隙率在20～80％之间。本发明本身不含带电成份，通过离子性表面活性剂的动态改性使其产生电渗流，其电渗流的大小及方向可根据具体应用要求灵活改变，避免了重新合成柱子的麻烦。可满足中性、酸性及碱性化合物的连续快速分离的要求 ...
叶明亮, 吴仁安, 邹汉法
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, 2015 本发明涉及一种光电材料表面的纳米结构绒面及其制备方法，具体地公开了一种光电材料表面的重构纳米结构绒面的制备方法，包括以下步骤：(a)提供一基片，在所述基片表面通过干法刻蚀或湿法刻蚀形成初始纳米结构；(b)对所述的初始纳米结构进行氧化处理，在初始纳米结构的表面形成氧化层；(c)部分或全部地去除所述的氧化层，得到纳米结构绒面。本发明还公开了一种由该方法制备的重构纳米结构绒面。本发明的方法制得的纳米结构绒面具有高陷光、低比表面积的特点，其反射率在较宽的波段范围内可以稳定在3%以下 ...
韩灿, 高平奇, 叶继春
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, 2009 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS ...
曹青, 颜廷静, 陈良惠, 林孟喆
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, 2005 一种硅橡胶微流控芯片，是通过将硅橡胶芯片以异氰酸酯功能试剂作为偶联剂，将各种羟基类、氨基类、羧基类化合物偶联到硅橡胶的表面获得。芯片的表面可以修饰各种所需的聚合物，并且聚合物在芯片的表面可以长期保留，表面的性质稳定持久。通过选用不同的聚合物可以随意的调节芯片表面的亲水性、电荷密度、电荷的种类，以获得不同的硅橡胶微流控芯片 ...
林炳承, 吴大鹏
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Gaoya dianqi, 1984 一、基本原理 电磁场的数值分析法,可分为两大类:一类是先把待求电磁场问题提成偏微分方程和边界条件组成的定解问题,然后用差分法或有限元法求解;另一类则先用积分方程表示场源和场量之间的关系,再用矩量法或模拟电荷法等计算待求场量。 根据等效场源的观点,可把同一电场看成由单层形式分布的表面电荷或双层形式分布的表面电荷或点电荷、线电荷、面电荷等不同形式电荷分布的某种组合激发的。由于场源分布的不同,联系场量和场源的积分方程也不同。
陆忠亮, 肖衍明
doaj
, 2017 目的探索高功率脉冲磁控溅射方法在大尺寸平面磁控溅射Cr靶过程中,近基底表面等离子体区域内的活性粒子分布特性以及辐射跃迁过程,为HiPIMS的规模化应用提供实验基础和理论依据。方法选择不同高功率脉冲溅射脉冲电压、工作气压和耦合直流等关键沉积参数,采用等离子体发射光谱仪测量近基底表面等离子体区域内的光学发射光谱,分析原子特征谱线的种类、强度分布、离子谱线强度百分比、金属原子谱线含量等。结果当脉冲电压到达700 V后,基底表面的等离子体区域内的金属离化率显著提高;脉冲电压为600 V时,适当增加工作气压至5 ...
陈仁德 +4 more
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