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压电材料中心裂纹问题

open access: yes, 1999
以电位移法向分量及电势连通过裂纹面为边界条件,对均匀电材料的裂纹问题及两种不同压材料界面裂纹问题进行了系统分析,得到了含中心裂纹无限大体封闭形的全场解 ...
王自强, 韩学礼
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电动机合闸时过电压的保护

open access: yesDianci bileiqi, 1990
为了电动机过电压的保护,在其端子处接入阀式避雷器或氧化锌压敏电阻。但是在合闸时由于电容过量充电过程,产生所谓陡波过电压,此时因为避雷器(压敏电阻)的时延,在电动机端子处的电压可能超过保护水平1.5倍。同样情况当避雷器接入时由于电缆的作用,此电压按每米电缆长增大1kV继续上升。提出在操作中压电动机的装置(例如真空开关)
doaj  

一种用于低电压差分信号接收的接口电路

open access: yes, 2010
本发明公开了一种用于低电压差分信号接收的接口电路,该电路包括前级差分放大器对(101)、信号选择电路(102)和双端转单端及电平转换电路(103),其中,前级差分放大器对(101)的两个输入端子VINP、VINN接收输入整个电路的低电压差分信号LVDS;前级差分放大器对(101)的输出信号VN1、VN2、VP1、VP2进入信号选择电路(102);信号选择电路(102)的输出(CMP、CMN)进入双端转单端及电平转换电路(103);双端转单端及电平转换电路(103)输出VOUT信号。利用本发明 ...
陈陵都, 丁光新
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一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法

open access: yes
 本发明公开了一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,包括:Si衬底;在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结;以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极。本发明同时公开了一种制备低偏置电压下具有增益的硅光电探测器的方法。利用本发明,由于将激光掺杂改变为离子注入加激光辐照,在重掺杂区域内使杂质尽可能多地形成了过饱和替位掺杂,进而可以保持Si表面整洁,适合器件芯片的微电子工艺加工 ...
韩培德
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ZnO/Ag2O Z 型异质结的构建及其通过压电催化双通道高效生产 H2O2

open access: green
Jia Tang   +7 more
openalex   +1 more source

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