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Shuitu Baochi Xuebao, 2011 污泥中重金属的危害是影响污泥土地利用的重要因素;污泥重金属危害不仅取决于总量,其形态分布更能反映重金属的迁移性以及生物有效性。实验以木屑为调节剂,粉煤灰作为钝化剂,研究污泥堆肥前后重金属Cu、Zn与Pb的形态分布变化。结果表明,堆肥对Cu有活化作用,而添加粉煤灰堆肥化能有效抑制这种活化,起到钝化作用,堆肥化使Pb向更稳定形态转化,添加粉煤灰堆肥化对Zn的钝化效果较好,当粉煤灰添加量为35%时,对Cu、Zn、Pb 3种重金属的易迁移态均具明显的钝化效果。
曾正中 +4 more
doaj
, 2011 本文结合高超声速进气道典型飞行状态(飞行高度h=26km、马赫数Ma=6),计算分析了钝化半径R=1mm的进气道唇口流动控制方程的适用性,发现进气道唇口处在连续介质流中,可用N-S方程及粘性无滑移边界条件描述其运动状态。在此基础上,采用CFD++软件数值研究了进气道钝化唇缘局部流动及热负荷特性及三种不同唇缘钝化方式的进气道流场 ...
岳连捷 +3 more
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Shuitu Baochi Xuebao, 2018 为确定螯合剂活化土壤磷素的最佳浓度和最优浸提时间，参考水肥一体化技术，在室内浸提条件下，研究了不同浓度（0，0.05，0.1，0.25，0.5，1.0 g/L）乙二胺四乙酸（EDTA）和柠檬酸螯合剂（pH=4）在不同浸提时间（1，12，24，48，72 h）下对粮田、菜田土壤和有效磷被钝化后菜田土壤中磷素提取效果。结果表明：EDTA和柠檬酸在粮田土壤上对磷素提取中最佳条件为螯合剂浓度0.05 g/L，浸提时间12 h。EDTA和柠檬酸在菜田土壤、明矾钝化和混合钝化（明矾∶白云石为1∶1 ...
王祺 +5 more
doaj
Gongye shui chuli, 1982 本文作者通过化学计算、X光电子光谱法、放射性示踪物、化学极化等方法,对许多抑制剂钝化金属的机理进行了研究,详细阐述了有关吸附特性、化学键的性质、吸附粒子价态等方面的理论。作者指出,腐蚀抑制过程,如同钝化,是由于在金属表面发生吸附和生成相层引起的 ...
纪永亮
doaj +2 more sources
SiO2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响 [PDF]
, 2012 成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。
姚昌胜, 袁愿林, 陆敏, 王果
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, 2016 本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅-氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅-氮化硅梯度叠层、氧化硅-氮氧化硅-氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅-氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅-氮化硅梯度叠层、氧化硅-氮氧化硅-氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度 ...
王丹 +6 more
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 [PDF]
一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN?HEMT,包括：一衬底,在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极,该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层,制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层,制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极,其断面为T形,制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内 ...
颜伟 +4 more
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, 2017 本发明本提供了一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品，通过在钝化隧穿层远离所述基底层的一侧依次沉积缓冲层和功能层，所述缓冲层和功能层均为金属，缓冲层金属的活泼性小于功能层金属的活泼性，然后在惰性气体下进行退火处理形成载流子收集层，退火温度控制在[Tc‑150℃，Tc+50℃]，所述Tc为缓冲层金属和功能层金属的共熔点，能够解决现有钝化接触太阳能电池的功能金属层不均匀 ...
王丹 +6 more
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, 2012 利用磷酸对于电解锰进行了钝化处理。实验发现,处理后的电解锰具有良好的耐蚀性能。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对于样晶的形貌与表面钝化膜构成进行的分析表明:该样品表面具有一层平整且较厚的膜结构存在,该膜的基本构成为Mn_3(PO_4)_2。采用三电极体系对于该膜的耐蚀性测试表明,磷酸钝化后的电解锰在3.5%NaCl溶液的腐蚀电流密度为5.3★/cm~2,腐蚀电位为-1.25 V,较重铬酸钾钝化电解锰所得产品腐蚀电流密度下降了1/2,腐蚀电位正移0.04 V ...
段东平 +4 more
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本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，包括：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；用去离子水冲洗bar条，并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干，然后装上镀膜架，放入MOCVD仪器中；对MOCVD仪器抽真空，开烘烤加热，并通入保护气体；先升高衬底温度，将硫钝化层中的非晶硫层升华，然后通入生长源，在硫饨化层上外延生长一层ZnSe钝化保护薄膜；降温后取出镀膜架，再放入镀膜机中 ...
祁琼 +5 more
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