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本发明公开了一种宽带频率可调谐的光电振荡器。本发明利用一个光调制器、一个高精细度法布里帕罗标准具和两个光纤耦合器共同构成了光子微波滤波器,并将其应用到光电振荡器之中。通过对激光光源波长的调谐,可以对光子微波滤波器滤波峰进行调谐,同时配合使用微波移相器 ...
王礼贤, 祝宁华, 刘建国, 李伟
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本实用新型主要涉及在真空情况下形成高频高压电场,并在束流运动方向对重粒子束进行俘获、加速的铁氧体加载的宽频带高频高压同步加速器装置技术领域,尤其涉及一种大功率铁氧体加载变频调谐腔。一种变频调谐腔,包括一个同轴谐振腔,所述的同轴谐振腔包括有由同轴连接的谐振腔A和谐振腔B组成,谐振腔A和谐振腔B结构相同,通过法兰连接,其主要特点在于:在所述同轴谐振腔的粒子束流管道引入端一侧通过波纹管连接有加速缝,加速缝的另一端与粒子束流引入端相连;绝缘陶瓷设于加速缝上 ...
边志彬, 梅立荣, 许哲, 金鹏
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铁磁谐振是一种复杂的电力系统故障,短时间内能造成电力系统设备过电压烧毁,由于小水电的特性,其接入可造成局部电力系统的谐振现象。为了研究铁磁谐振的触发条件以及其表现,需要获取精确的模型,而分数阶微积分在此具有无可比拟的优势。通过分数阶微积分建立了分数阶铁磁谐振模型,利用混沌理论对其非线性动力学行为进行分析,利用模拟电路仿真证明了混沌的真实存在性,文中结果证明铁磁谐振线路在特定参数下会进入混沌状态,对电力系统产生巨大威胁,具有实际意义。
张勋康, 梁昊, 王交通, 韩宇超
doaj
本工作对钒钛磁铁矿中三种精矿粉的物相组成及还原过程进行了研究。 A、B二铁精矿的主要物相组成为磁铁矿和钛铁矿,其中网格状显微结构是钛铁晶石的氧化产物——钛铁矿和磁铁矿。在500~800℃温度范围内观察到钛铁晶石在还原过程中经过钛铁矿。钛铁矿在还原过程中若有过剩的氧化铁存在,也经过钛铁晶石。粗粒钛铁矿经过预氧化可显著改善其还原性。B矿在600 ...
石笙陶, 储绍彬
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在交直流混合互联大电网运行方式下,发现柔性直流与交流系统间发生的谐振具有高频次、宽频域的新特性。为研究谐波注入对500 kV联接变压器铁心振动的影响,通过建立联接变压器绕组、铁心电磁—结构力场有限元模型,考虑铁心磁致伸缩及洛伦兹力的作用,仿真计算得到变压器铁心磁通密度、应力分布、振动位移和加速度。对比分析基波及含谐波激励工况下的仿真结果表明,谐波注入前后铁心磁通分布无明显变化;谐波注入后,铁心上应力分布出现明显变化,且最大应力增加两个数量级;基波激励下最大振动频率为100 Hz ...
黄之明 +8 more
doaj
采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4~60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm /℃
姜宏伟, 吴远大
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传统基于磁阀式的单相可控电抗器的谐波抑制方法,对铁磁谐振过电压干扰的敏感度较高,谐波抑制效果差,导致电抗率波动幅度高。因此,为了解决传统方法存在的问题,提出新的铁磁谐振过电压干扰下单相可控电抗器的谐波抑制方法。通过设计单相可控电抗器的谐波抑制方案,将可控电抗器接成三角形,采用移向绕组同电网连接,基于系统容量和待过滤的谐波次数,确定移相绕组的单相可控电抗器谐波抑制拓扑结果,采用合理的相间绕组连接措施和移相绕组匝数,得到所需移相电压,抑制可控电抗器形成的谐波。实验结果表明,所提方法对变频电机谐波抑制效果好 ...
杨书英 +4 more
doaj
本实用新型主要涉及带电粒子传输使用的电磁铁,主要涉及一种用于带电粒子束流聚焦的一种半胶粘二分冲片四极电磁铁,其铁芯冲片(2)通过胶合构成粘结端板(3),两端各一件粘结端板(3)中间夹散铁芯冲片(2)构成磁铁铁芯(1),铁芯(1)由上铁芯(1-1)和下铁芯(1-2)组成,上磁铁组(7-1)和下磁铁组(7-2)相对设置形成四极电磁铁,上磁铁组(7-1)上设有第一极线圈(8-1)和第二极线圈(8-2),下磁铁组(7-2)上设有第三极线圈(8-3)和第四极线圈(8-4),各极线圈的引线分别用线圈压块(9 ...
张斌、张小奇、王丰、孙国平、谢春安、徐大宇、李寿陆、何源、袁平、马力祯、雷海亮、王文进
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本文阐明了用等效电路——谐振法相结合测量分布参数的原理和方法,导出了用于实际测量的计算公式,给出了实验结果和测量精度。一、测量方法的特点测量一个集中电容器或电感器的分布参数在许多场合显得十分重要,比如:在高压强流脉冲放电、电水锤效应、等离子体产生和脉冲放电气体激光器的研究中 ...
胡昌信
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本发明公开了一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器,该电光调制器由制作在绝缘体上硅SOI衬底上的两个法布里-珀罗谐振腔(4)串联而成,该两个法布里-珀罗谐振腔(4)采用游标式级联的形式串联形成级联谐振腔结构的低功耗电光调制器。所述法布里-珀罗谐振腔(4)由两个布拉格光栅(3)与位于该两个布拉格光栅之间的脊形波导(1)构成,布拉格光栅(3)作为该法布里-珀罗谐振腔(4)的反射镜。本发明大幅提高了谐振腔的F值、FSR、Q值等参数,使得电光调制器的消光比大大增加,调制所需功耗更小,速度更快,而且器件结构紧凑,
陈少武, 徐学俊, 孙 阳
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