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半导体釉棒型绝缘子的机电性能 附视频

open access: yesDianci bileiqi, 1976
半导体釉棒型绝缘子试制成功后,其机电性能经过鉴定,完全满足原试制协议指标的要求。实际工频干闪电压达到171.5千伏,工频湿闪电压达到129.5千伏,工频雾闪电压>100千伏,工频污闪电压>75千伏,抗拉破坏负荷达5.9吨。鉴定结果表明该产品有明显的耐污性能:电场分布均匀、无局部放电现象,烘干作用显著,与普通釉棒型绝缘子相比,污闪电压提高2.5倍,认为该产品可投入线路上试运行。
doaj  

[Advances in brain-computer interface based on high-frequency steady-state visual evoked potential]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023
Zheng C   +6 more
europepmc   +1 more source

回击电流及热效应与闪电光谱和通道温度的相关性分析

open access: yes, 2014
依据在青海地区由无狭缝光栅摄谱仪获得的2次多回击云对地闪电的光谱,结合同步辐射电场变化资料,计算了放电等离子体的温度、光谱总强度以及回击通道的峰值电流和作用积分。对观测结果和这些参数进行对比分析,结果表明:(1)同一次地闪的不同回击过程中,光谱总强度与放电电流的大小呈正相关;(2)相邻2次回击的时间间隔较长时,等离子体通道的温度与电流作用积分基本成正比;当相邻2次回击的时间间隔较短时 ...
瞿海燕, 张廷龙, 潘慧玲
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串联补偿法——降低污闪试验回路阻抗的措施

open access: yesGaoya dianqi, 1972
在绝缘子人工污闪试验中,由于表面污秽层电导率高,泄漏电流不但数值大,且幅值波动也大。如果电源内阻大,就会导致试品端电压随之波动,影响试验结果的可靠性,使试验得到的污闪电压值偏高。因此,在作污闪试验时,要求电源设备的容量要大,试验迥路的阻抗应尽量减少。这就是污闪试验对设备的特殊要求。
王勇武, 张俊锋
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直流和脉冲电压下绝缘沿面闪络试验系统的研制

open access: yesGaoya dianqi, 2015
为了研究大气压下绝缘沿面闪络机理,研制了一套直流和脉冲电压下绝缘沿面闪络试验系统。由于沿面闪络是ns时间分辨的动态变化过程,为了使测量的暂态信号是由沿面闪络本身产生,此系统经过特殊设计,主要包括:放电室和同轴电缆采用同轴几何结构连接,阻抗匹配;电源和同轴电缆阻抗匹配。该系统放电室内外导体半径为3.6 cm和8.3 cm,施加的直流电压为±80 kV,施加的脉冲电压幅值为460 kV,上升时间为36 ns。研制的试验系统能满足4 cm间隙沿面闪络试验要求。
蔡新景   +3 more
doaj  

提高全钒液流电池运行效率的方法

open access: yes, 2014
本发明公开了一种提高全钒液流电池运行效率的方法,包括以下步骤:(1)将正极电解液以400-1000L/h的流速在所述电池正极和所述正极电解液储罐之间循环,将负极电解液以400-1000L/h的流速在所述电池负极和所述负极电解液储罐之间循环;(2)在操作温度为10-35℃,使所述正、负极电解液在电流密度为40-80mA/cm2、电压为0.8-1.65V下发生氧化或还原反应,完成全钒液流电池的充放电循环。上述提高全钒液流电池运行效率的方法使得全钒液流电池可长时间、高效、安全的运行,其库仑效率可达到92 ...
苏伟   +5 more
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陶瓷闪烁体阵列及其制备方法

open access: yes, 2016
本发明公开了一种陶瓷闪烁体阵列,包括多个陶瓷闪烁体基元,所述多个陶瓷闪烁体基元呈阵列结构排列;每个所述陶瓷闪烁体基元的出光面表面粗糙。本发明的陶瓷闪烁体阵列的出光面具有较高的光出射效率,因此,光子探测设备接收到的光信号更强,有利于提高最终的成像质量;且光出射效率的提高可以降低探测器后端信号接收及处理的难度,降低了探测器匹配设备的制造成本。同时,本发明还提供了一种陶瓷闪烁体阵列的制备方法,该方法将陶瓷闪烁体基元的出光面表面进行粗化处理 ...
江浩川   +4 more
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