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本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀 ...
解婧, 杨富华, 刘云飞, 杨晋玲
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Gongye shui chuli, 2004 介绍了微碱性循环处理技术的开发原理,该方法具有独特的树脂配比和床层结构,使得发电机冷却水通过离子交换后含有微量的氢氧化钠,各项水质指标大大优于电力行业标准DL/T801—2002,有效地防止了发电机定子铜线棒的腐蚀。介绍了该技术在新余发电厂200MW机组和井冈山华能发电厂300MW机组上的应用情况。
徐锐 +5 more
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Dianci bileiqi, 2017 针对当前降阻剂腐蚀性强、稳定性差等问题,利用化学氧化聚合法,合成了一种新型复合材料,即膨润土/聚吡咯（MMT/PPy）,通过添加缓蚀剂等成分制备出了新型大分子降阻剂,采用控制变量法和失重法得到了降阻剂的最佳配方,采用红外光谱（FTIR）、扫描电镜（SEM）和能谱（EDS）对其进行表征分析,并对制备的新型大分子降阻剂进行性能试验研究。结果表明:MMT/PPy复合材料的最佳配方为膨润土（MMT）20%25%,十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）5%8%,对甲苯磺酸钠（TASNa）12%14%,吡咯（Py）5 ...
田野, 朱志平, 周艺, 柳森
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[Recalling the history of the prevention and treatment during the epidemics of four infectious diseases, including botulism in Xinjiang]. [PDF]
Zhonghua Gan Zang Bing Za Zhi, 2023 Zhao FX, Lu XB, Fu WH, Dilixiati-Yakepu.
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, 2019 自石墨烯发现以来,其优异的导电性、力学性能、热导性、光学性能等吸引了研究学者的广泛关注。此外,石墨烯稳定的sp~2杂化结构使其自身具有良好的化学惰性、抗氧化能力和抗渗透性,被认为是一种理想的防腐材料,在金属材料的防腐领域具有非常大的应用前景。基于此,综述了石墨烯防护薄膜和石墨烯/有机涂层在金属腐蚀防护领域的研究进展,并从分散角度阐述了石墨烯的功能化对有机涂层防腐性能的影响;同时归纳了石墨烯的高导电性对有机涂层防护性能的影响以及防护机理 ...
王永刚 +5 more
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本发明公开了一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在SiO2层的湿法腐蚀之前，在器件表面旋涂一层光刻胶，使其完全覆盖贵金属层表面。利用本发明，使光刻胶形成具有较低孔密度的致密体型高分子结构，阻断贵金属与结构层材料在HF基腐蚀液中的原电池电路，从而有效避免了结构层材料被氧化腐蚀。该方法仅在标准MEMS器件加工工艺中增加一步标准光刻步骤 ...
解婧, 杨富华, 刘云飞, 杨晋玲
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Gaoya dianqi文中针对一起500 kV断路器储能机构液压油缸开裂事故，基于外观宏观检查、油缸取样分析、有限元建模仿真、无损CT检测、电镜分析等检测数据，研究该事故发生的主导因素。结果表明，造成断路器储能机构液压油缸开裂的原因为应力腐蚀。造成应力腐蚀开裂的原因是由于阳极化层处理后材料表面硬度显著增大，并且其表面存在Cl、S腐蚀性元素，而开口位置和孔口边沿设计不合理导致存在拉应力，进而在拉应力和化学腐蚀共同作用下出现应力腐蚀现象。最后基于事故原因对制造商提出了相关改善和防范措施。
李小明 +4 more
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四川大学学报. 自然科学版, 1993 利用具有强氧化作用的硝酸和硫酸混合液,对常温、常压下的非晶硅氧化过程进行了初步研究,获得了预期的结果。1 实验方法以C-Si（单晶硅）为衬底的a-Si片作为实验样片。实验前,先用HF:NH4F:H20=3:6:10的SiO2腐蚀液清洗样片,以去除样片表面的自然氧化层。实验时,再将已清洗的样片放入盛装HNO3:H2SO4=2:l混合液的磨口瓶中,并密封加盖以防酸液挥发。
陈义, 杜开瑛
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