[Preparation of mesoporous covalent organic framework core-shell stationary phase and its application in the analysis of astragaloside Ⅳ content in <i>Astragalus</i>]. [PDF]
Se PuZhao XY +7 more
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[Research progress of electroactivity graphene-based materials in bone repair]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiKang R, Yuan W, Zhu Y.
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, 2005 本发明涉及毛细管电泳检测器，特别是一种可实现双检测响应同步的毛细管电泳荧光—非接触电导组合检测器，包括荧光检测系统及非接触电导检测系统，两个检测系统共用一个检测池；其中荧光检测系统包括激发光源、光纤、滤光片、光电转化器件及检测池，非接触电导检测系统包括激励源、管状电极、信号处理电路板及检测池；在检测器内部还固设有基座、其上设有限位槽，限位槽内开有光阑；光纤及检测池分别置于限位槽内，在限位槽内、检测池的两侧设有管状电极。本发明是将荧光检测器和非接触电导检测器集成在一起，共用一个检测池可实现响应同步 ...
杨丙成, 谭 峰, 关亚风
core
[Mechanism of <i>Tongxie Yaofang</i> for reducing 5-HT-induced oxidative stress injury in BRL 3A cells: the mediating role of the SREBP-1/CD1 pathway]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue BaoSong M +5 more
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, 2011 一种90°折角式阻抗匹配的飞行时间质谱检测器，包括高压电极，微通道板MCP，法拉第盘，信号传输电极。质谱产生的离子流经过高压加速与MCP碰撞产生电子流。法拉第盘收集电子，产生电流信号。信号传输结构的设计符合50Ω阻抗匹配的原理，可以有效消除阻抗不匹配引起信号峰的抖动，改善质谱的性能。本实用新型采用折角的同轴匹配设计，满足了在反射式飞行时间质谱中检测器阻抗匹配和固定安装的要求 ...
吴庆浩 +5 more
core
Gaoya dianqi随着中国特高压输电工程的输送容量和距离不断提升，复合高次谐波电流流经换流站中干式空心电抗器所产生的振动噪声问题亟待解决。文中基于场—路耦合原理研究了电抗器的振动和噪声特性，通过建立等效的三维有限元仿真模型，分析了电抗器的磁场、电流、电磁力、噪声分布特点，并与实测结果进行比较，验证了所建模型的可靠性。在此基础上，对不同隔声罩结构的隔声效果进行了仿真分析，结果表明：通过采用金属板、空腔、吸声材料相组合的结构，可以有效改善隔声罩的降噪效果。研究结果为工程上实现电抗器的减振降噪提供了有效依据和参考。
王悦旸, 赵彦珍, 王杰昊
doaj
[Determination of seven tire antioxidants and their quinone oxidation products in fine particulate matter by high performance liquid chromatography-tandem mass spectrometry]. [PDF]
Se PuLiu F +5 more
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, 2017 本发明提供了一种利用导电原子力显微镜检测光电转换材料光电流信号的方法。采用锁相放大器，锁相放大器提供交变的驱动电压用以驱动光源发光照射材料样品，由于光电转换效应样品产生光电流，导电探针接触样品探测该光电流信号并将其传输至电流放大器得到电流放大信号，电流放大信号再输入锁相放大器，使锁相放大的参考信号与驱动电压具有相同频率，从而实现光电流信号的锁相放大 ...
陈国新 +4 more
core
[Electric-field modeling, simulation, and experimental analysis of multi-target temporal interference transcranial alternating current stimulation]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiWang T, Cui C, Wei Y, Ji X, Xu G.
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一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法,包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层,在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层 ...
王圩 +5 more
core