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试论集成电路布图设计权的法律保护 [PDF]

open access: yes, 2008
集成电路产业是当今电脑网络技术的基础产业,尤其是进入21世纪后,集成电路技术成为我国发展最快、最富有活力的技术领域之一,由此会产生一系列新的法律问题。因此,如何对集成电路布图设计的知识产权进行法律保护成为近五年来知识产权法律界关注的课题 ...
李秀琴, 尹佳
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Precise Tailoring of the Coordination Environment of Single‐Atom Cu(I) on Trifurcate AlL3 Supports for Click Chemistry

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 3, March 2026.
ABSTRACT Single‐atom catalysis hinges on fundamental challenges in precisely controlling metal‐support interactions and rationally regulating metal–adsorbate relationships. Herein, we report a universal strategy for constructing highly efficient and well‐defined Cu(I) single‐atom catalysts based on a trifurcate AlL3 molecular support.
Donghui Zhang   +9 more
wiley   +1 more source

影响集成电感性能的关键因素

open access: yes, 2006
片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素,文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下。得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发,得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验 ...
王启明, 姚飞, 成步文
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Vertically Oriented Single‐Layer Grains for a Highly Bifunctional Perovskite Photovoltaic Light‐Emitting Device

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 3, March 2026.
ABSTRACT The realization of bifunctional perovskite devices integrating photovoltaic (PV) and light‐emitting diode (LED) capabilities requires precisely controlled grain architectures to facilitate dual carrier transport pathways. In this work, sulfaguanidine (SG) molecules were introduced into the perovskite solution to reconstruct the crystallization
Jiong Li   +7 more
wiley   +1 more source

与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究

open access: yes, 2006
着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产 ...
顾明   +6 more
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基于共振隧穿二极管的集成电路研究

open access: yes, 2006
RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG ...
杨富华   +4 more
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CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料

open access: yes, 2001
报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果,对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产,并成功应用于集成电路生产线,芯片成品率大于80 ...
何龙珠   +9 more
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Design of current-mode CMOS ADC circuit based on pipelined structure(基于Pipelined结构的电流型CMOS模数转换器电路设计)

open access: yesZhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, 2013
低功耗设计在当前超大规模集成电路中越来越重要.以电流信号为转换对象,利用电流传输理论,结合电流型CMOS电路设计技术,设计了8位基于Pipelined结构的ADC电路.结果表明,利用电流型CMOS电路可方便地实现电流信号的加减与放大运算,避免了使用传统Pipelined电路结构中的运算放大器电路,因此电路结构简单,可显著降低电路的功耗,提高转换速度,计算机仿真结果表明,电路功能正确.
ZHOUXuan-chang(周选昌)   +1 more
doaj   +1 more source

高速逐次比较型编译码器的研究

open access: yesGuangtongxin yanjiu, 1981
本文提出一种载波主群信号用的编码器和译码器,编码速率为34368kb/s,编码精度10毕特,编码方式为逐次比较型。本电路的特点是用ECL型线接收器作求和放大器,用ECL型D触发器作判别电路,译码器和局部译码器中逻辑电路和记忆电路用D触发器代替或/或非门电路。这样,可使电路组成简单、转换速度快、编码精度高。本方案中除恒流源开关电路外全部采用数字集成电路,从而使电路的装配和调测大为简化。
菅雨生
doaj  

SOI集成光电子器件

open access: yes, 2001
Silicon-on-insulator (SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容,采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路 ...
张小峰   +5 more
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