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本发明公开了一种水听器高静水压声压灵敏度测试装置,包括：激振器,用于产生振动信号；液柱缸,作为测试的容器；安装于液柱缸底部的薄板,用于将振动信号转换为液体中的声压信号；安装于液柱缸顶部的密封盖,用于与液柱缸以及薄板形成密闭容器；安装于液柱缸下方的基座,用于限制激振器的振动方向并支撑薄板,以防止薄板在高静水压作用下产生较大形变；标准水听器,用于测量声压；安装于液柱缸上的压力表,用于测量静水压；安装于液柱缸上的高压阀门,通过该高压阀门可以向液柱缸内注入液体；以及至少一个开于密封盖上的孔 ...
刘育梁, 张文涛, 李芳, 张发祥
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本发明提供一种用于小型光纤传感器实验的高温高压密封装置，其特征在于，包括：一高压罐，为圆筒形或矩形，在高压罐的侧壁上开有一圆孔，该高压罐内有一光纤传感器；一密封盖，封盖住高压罐，在该密封盖的中心有一螺孔；一螺栓，该螺栓与密封盖上的螺孔配合，该螺栓纵向中心行一通孔；一压力泵，该压力泵通过管路与高压罐侧壁上的圆孔相连接；一恒温箱 ...
刘育梁 +4 more
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, 1996 越宽。由于采用高电压输出损耗小,所以高电压和超高电压输电线路发展很快,西方发达国家的高压输电线路电压已超过800kV,我国目前的高压输电线路电压也已超过500kV。为保证高压线路安全运行 ...
曹树祥
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, 2007 本文提出了一种电源波动影响弱、低温飘、微功耗（〈1μw）的CMOS电压型积分器电路。它利用自偏置的恒流源电路结构以及MOSFETs的亚阈值特性产生一个nA级的恒流源，通过控制电路实现对电容充放电来获得积分电压。并且对电路结构、器件类型和器件尺寸进行了优化。仿真结果表明，得到了独立于电源电压、低温度系数 ...
吴杰, 石寅
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, 2007 提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,
周盛华, 吴南健
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, 2004 基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化.实验表明,调制器在3.3V工作电压、10MHz采样频率、64倍过采样率下实现10-bit精度.与已有类似研究相比,本工作在相当的精度条件下,实现了低电压 ...
李拥平, 石寅
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, 2001 介绍了一种多路高压测试系统 ,并简要介绍了电路结构和电路设计、工作原理和技术指标。该仪器主要用于实验室和野外直流单路高压和多路高压系统电压值的测试 ,特别是对探测器偏压的测试。该仪器可以测量的额定电压最大值为 6k V,电流值为 0 .1～ 10 m A。仪器结构简单、集成度高、交直流供电、体积小 ...
李小刚,苏弘,张殿胜
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, 2010 作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表, GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaNHEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手, 详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaNHEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题。最后 ...
张明兰 +4 more
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, 2006 利用RESURF与场板结构结合的技术,设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD-MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60μm,就可实现600 V以上的耐压,适用于高低压单片集成电路芯片开发。基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要求,介绍了该LDMOS器件的结构和设计方法。采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具,分析优化影响LDMOS器件耐压的关键参数;最后 ...
郭东辉, 陈利, 李开航
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