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Método De Modulação Pwm Para Equilíbrio Das Tensões Dos Capacitores Do Barramento Cc Em Conversores Multiníveis Com Diodos De Grampeamento

open access: yesEletrônica de Potência, 2009
Este artigo apresenta uma nova estratégia de modulação para conversores PWM com diodos de grampeamento. Esta estratégia elimina os desequilíbrios de tensão entre os capacitores do barramento CC, que é o principal problema apresentado por esta topologia,
Felipe Bovolini Grigoletto   +1 more
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Método dos limites na solução de capacitores com placas não paralelas

open access: yesRevista Brasileira de Ensino de Física
O presente trabalho apresenta um novo método para a solução de um problema de eletrostática proposto em livros textos de eletrodinâmica clássica. Consiste na aplicação do Método dos limites para se calcular a capacitância do capacitor de placas não ...
A.C. Bertuola, M.V. Figueredo
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Tântalo: Breve histórico, propriedades e aplicações

open access: yesEducación Química, 2018
Tántalo, un metal maleable, dúctil, de alto punto de fusión, es utilizado primordialmente en la obtención de aleaciones especiales, capacitores, placas para reparar fracturas de cráneo, entre otras cuestiones.
Raquel María Ferreira de Sousa   +3 more
doaj   +1 more source

Modulação Descontínua para Conversor de Capacitor Flutuante com Controle de Tensão dos Capacitores

open access: yesEletrônica de Potência, 2018
Este artigo apresenta uma estratégia de modulação descontínua baseada em portadoras para um inversor de capacitores flutuantes de três níveis. Esta modulação é capaz de equilibrar as tensões dos capacitores flutuantes por meio de um controlador em malha
Mauricio M. da Silva   +2 more
doaj   +1 more source

Laser‐Induced Graphene from Waste Almond Shells

open access: yesAdvanced Functional Materials, EarlyView.
Almond shells, an abundant agricultural by‐product, are repurposed to create a fully bioderived almond shell/chitosan composite (ASC) degradable in soil. ASC is converted into laser‐induced graphene (LIG) by laser scribing and proposed as a substrate for transient electronics.
Yulia Steksova   +9 more
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A capacitância de um condensador com placas planas não paralelas

open access: yesRevista Brasileira de Ensino de Física
Analisamos neste artigo três métodos para obter a capacitância de um condensador com placas planas não paralelas: a solução por integração, a solução por limites e uma solução proposta. Apesar de cada uma das soluções envolver aproximações diferentes, as
Jürgen W. Precker, Wilton P. da Silva
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Oxygen‐Tunnel Indium Tin Oxide Vertical Channel Transistors with Enhanced Current Density and Reliability for Monolithic 3D Compute‐In‐Memory Systems

open access: yesAdvanced Functional Materials, EarlyView.
Oxygen‐tunnel (OT) indium tin oxide (ITO) vertical channel transistors (VCTs) enable reliable, high‐density gain‐cell memory for monolithic 3D integration. A sandwiched SiN/SiO2/SiN OT stack selectively regulates oxygen transport, suppressing parasitic electrode oxidation while stabilizing channel oxygen vacancies, thereby suppressing carrier injection
Hyeonho Gu   +17 more
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Avaliação de suportabilidade a sobretensões de bancos de capacitores em derivação - análise crítica e proposição de critérios / [PDF]

open access: yes, 2000
Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.Através de desenvolvimento analítico baseado nas equações de Maxwell, propõe-se ...
Charles, Paulo César
core  

Síntese e Caracterização de Capacitores Eletroquímicos à base de Óxido de Níquel [PDF]

open access: yes, 2012
O armazenamento e a conversão de energia é uma necessidade imprescindível na sociedade moderna e, no atual nível de desenvolvimento tecnológico, muitos dispositivos exigem um armazenamento ou geração local de energia elétrica.
Amanda Karoline dos Santos Faleiros
core   +2 more sources

Achieving High ON State Current through Ferroelectric Polarization‐Dependent Interfacial Resistance Switching in Undoped Orthorhombic HfO2 Films

open access: yesAdvanced Functional Materials, EarlyView.
Ferroelectric tunnel junction devices based on epitaxial undoped ferroelectric HfO2 films demonstrate stable switching endurance of over 106 switching cycles, low write voltages of ±3 V, 16 measured resistance states, and neuromorphic capability.
Markus Hellenbrand   +13 more
wiley   +1 more source

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