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Un nuevo retrato de Platón en Atenas y la estatua de Platón por Silanión [PDF]
Hekler, Anton
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Historia de las colecciones del Museo Arqueológico de Sevilla (España) [PDF]
Beltrán Fortes, José +1 more
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Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda.
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La Alhambra de Hierro: tradición formal y renovación técnica en la cultura arquitectónica del medievalismo islámico [PDF]
Rodríguez Domingo, José Manuel
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Biogás de purines: la importancia del vaciado frecuente de los alojamientos
Objectius de Desenvolupament Sostenible::6 - Aigua Neta i ...
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