Results 21 to 30 of about 82 (79)

Magnetic Susceptibility of Si0,97Ge0,03 Filamentous Crystals Irradiated by Protons

Фізика і хімія твердого тіла, 2019
The article deals with the filamentous Si0,97Ge0,03 crystals with transverse dimensions of 40 ± 2 μm grown by the method of chemical transport reactions in the closed bromide system using gold as a growth initiator.
Yu. Pavlovskyy, P. Lytovchenko, I. Ostrovskyy, N. Pavlovska   +3 more
doaj   +1 more source

Короткий порівняльний аналіз перспектив використання тривимірних FIN FET-транзисторів для сенсорної електроніки

Фізика і хімія твердого тіла
Розвиток сучасної електроніки ґрунтується на впровадженні сучасних мікро- та наноелектронних технологій. Традиційні комплементарні метал-оксид-напівпровідникові (КМОН)  планарні транзисторні структури на основі масивного кремнію поступово поступаються ...
I. Kohut, O. Samarchuk
doaj   +1 more source

Optical properties of porous silicon p-Si (100)

Фізика і хімія твердого тіла, 2019
In this paper the reflectance spectra and transmission spectra of p-Si (100) porous silicon (PS) and silicon wires in the spectral range of 200 ÷ 1800 nm were investigated.
P. O. Gentsar, M. V. Vuichyk, M. V. Isaev, P. O. Lischuk   +3 more
doaj   +1 more source

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект ...
G.P. Gaidar
doaj   +1 more source

Моделювання багатошарової високотехнологічної плівки для фотодетектора інфрачервоного діапазону (3.5-5.0 мкм)

Фізика і хімія твердого тіла
У роботі проведене дослідження властивостей антивідбиваючої плівки для фотодетектора, виготовленого із антимоніду індію (InSb), налаштованого на пропускання у інфрачервоному діапазоні (3.5-5.0 мкм), що співпадає з піком поглинання вуглекислого газу (СО2).
Ruslan Politanskyi, Ihor Kogut, Maria Vistak, Zinoviy Mykytyuk, Olha Shymchyshyn, Ivan Diskovskyi   +5 more
doaj   +1 more source

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M=αФII/αФ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 ⋅ 1012 ≤ne ≡ N1 ≤ 4,6 ⋅ 1017 см−3) Показано, що в ...
G.P. Gaidar, P.I. Baranskii
doaj   +1 more source

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом (у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів ...
G.P. Gaidar
doaj   +1 more source

Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок.
G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko   +5 more
doaj   +1 more source

Дослідження елементного складу шавлії блискучої (Salvia splendens sellow ex roem. Et schultes)

Annals of Mechnikov's Institute
Вступ. Елементний склад лікарських рослин пов'язаний з фізіологічними процесами, що відбуваються в період розвитку рослинного організму та екологічними чинниками.
Yulia Berkalo, Viktoriia Kuznietsova
doaj   +1 more source

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
Наведено результати комплексних досліджень ефекту наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si і GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1–6 МГц, 15
R.K. Savkina, A.B. Smirnov
doaj   +1 more source