Results 41 to 50 of about 524 (100)

ФУНДАМЕНТАЛЬНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ И ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ СТЕКОЛ С87-2, С78-4, С78-5

Physical and Chemical Aspects of the Study of Clusters Nanostructures and Nanomaterials, 2023
О. О. Молоканова, А. М. Кармоков, О. А. Молоканов, М. М. Кармоков, Айрат Юлаевич Хасанов, А.Х. Дышекова   +5 more
semanticscholar   +1 more source

Гипердопированный кремний для фотоэлектроники

Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 2019
В последние 10 лет в мировой научной литературе бурное развитие получила тематика исследований, направленных на сильное легирование (свыше 1019 см-3 ) монокристаллического кремния (гипердопирование) глубокоуровневыми примесями халькогенидов (сера, селен,

semanticscholar   +1 more source

Temperature dependence of the band gap of AgIn8S12.5 single crystals

, 2021
Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn8S12.5. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав полученных монокристаллов, методом рентгеновской дифракции — кристаллическая структура.
Боднарь, И. В., Свитенков, И. Е., Павловский, В. Н., Яблонский, Г. П., Фещенко, А. А., Хорошко, В. В.   +5 more
core   +1 more source

Оптические свойства квантовых точек из PbS / Авдеев И.Д., Нестоклон М.О., Гупалов С.В

Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 2019
Квантовые точки из сульфида свинца перспективны для применений в фотовольтаике [1], а также в устройствах оптоэлектроники ИК диапазона [2]. Узкая ширина запрещенной зоны и легкие массы носителей позволяет эффективно управлять их оптическими свойствами за

semanticscholar   +1 more source

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

, 2020
Представленные данные показывают, что при имплантации MoO3 ионами Ba+ в ионно-легированном слое формируется пленка, состоящая из соединений типа Mo-O, Mo-Ba-O и Ba-O. Это приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов, уменьшению
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, С.Т. Гулямова, Г.Х. Аллаярова   +3 more
semanticscholar   +1 more source

Наногетероэпитаксиальные структуры HgCdTe. Рост, квантовые эффекты и приборы / Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Латышев А.В.

Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 2019
В настоящее время твердые растворы Hg1-xCdxTe (кадмий-ртуть-теллур, КРТ) занимают лидирующее положение среди материалов, на основе которых разрабатываются инфракрасные фотоэлектрические детекторы излучения.

semanticscholar   +1 more source

Оптические и фотоэлектрические свойства пленок перовскитов CH3NH3PbI3-xBrx / Семенова О.И., Чистохин И.Б., Могильников К.П., Живодков Ю.А.

Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 2019
Одним из перспективных полупроводниковых материалов для широкого класса применений (солнечных элементов (СЭ), светоизлучающих диодов, лазеров, датчиков рентгеновского и гаммаизлучения) в последние годы рассматривается перовскит CH3NH3PbI3 [1, 2]. Интерес

semanticscholar   +1 more source

Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te

, 2020
Методами рентгеноструктурного анализа, рамановской спектроскопии, измерением оптического пропускания и плотности исследованы структура и оптические свойства пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te. Определены основные структурные
А. И. Исаев, Х. И. Мамедова, С.И. Мехтиева, Р. И. Алекберов   +3 more
semanticscholar   +1 more source

РАСЧЕТ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАМКАХ МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ

, 2016
Within the framework of the density functional theory, the method was developed to calculate the band gap of semiconductors. Calculation of the band gap for a number of monoatomic and diatomic semiconductors demonstrated that the method gives the value ...
В. Е. ГУСАКОВ, V. E. GUSAKOV
core  

Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe / Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.

Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 2019
Твердые растворы Hg1-xCdxTe (КРТ) являются одним из основных материалов инфракрасной оптоэлектроники [1].

semanticscholar   +1 more source