Results 61 to 70 of about 524 (100)
MoS2 band gap modification upon replacement of sulfur atoms by tellurium ones
, 2016 Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так
Борисенко, В. Е. +2 more
core
, 2013 Определены составы указанных монокристаллов методом микрозондового рентгеноспектрального анализа. Показано, что содержание компонентов в выращенных монокристаллов удовлетворительно согласуется с заданным составом в исходной шихте.
Боднарь, И. В. +1 more
core
Fundamental electronic properties of silicon nanowires
, 2011 Проведено моделирование стабильности кремниевых шнуров с ориентацией диаметром 0,82–1,818 нм. Установлено, что с увеличением диаметра шнура в этих пределах ширина запрещенной зоны уменьшается с 3,42 эВ до 2,27 эВ.
Мигас, Д. Б. +1 more
core
Первопринципное моделирование электронной структуры ПВДФ и продуктов его дегидрофторирования
, 2006 В работе исследуется модификация электронной структуры поливинилиденфторида (ПВДФ) в процессе дегидрофторирования. Из первых принципов рассчитаны полная плотность состояний и парциальные плотности состояний фтора и углерода, определена ширина запрещенной
South Ural State University +4 more
core
Температурная зависимость сопротивления полупроводников и металлов [PDF]
, 2016 Пособие содержит основы теории электропроводности полупроводников и металлов. Объясняется наблюдаемая на опыте зависимость сопротивления этих материалов от температуры. Приведено описание экспериментальной установки для изучения температурной зависимости
Черный, В. В. +1 more
core
A. F. Ravinski. Solution of the Eliashberg Equations for MgB2 Superconducting
, 2011 В приближении сильного электрон-фононного взаимодействия изучено сверхпроводящее со-стояние MgB2. Численными методами решены интегральные уравнения Элиашберга, получена ширина запрещенной зоны для сверхпроводящего ...
Ревинский, А. Ф.
core
Temperature dependence of the band gap of the single-crystal compounds In2S3 and AgIn5S8
, 2016 На монокристаллах соединений In2S3 и AgIn5S8, полученных методами химических газотранспортных реакций и Бриджмена (вертикальный вариант) исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 К.
Боднарь, И. В., Bodnar, I. V.
core
, 2020 Пособие содержит основы теории электропроводности полупроводников и металлов. Объясняется наблюдаемая на опыте зависимость сопротивления этих материалов от температуры. Приведено описание экспериментальной установки для изучения температурной зависимости
Черный, В. В. +1 more
core
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (FeIn2S4)(1-x )(In2S3)x
, 2019 Single crystals of In2S3, FeIn2S4 compounds and their solid solutions (FeIn2S4)1- x (In2S3)x have been grown by directional crystallization of the melt (vertical Bridgman method).
М. А. Новикова, M. A. Novikova
core
Оптические характеристики тонких пленок HfO2, полученных реактивным ионно-лучевым распылением [PDF]
, 2019 Проведено исследование влияния парциального давления кислорода при нанесении пленок HfO2 реактивным ионно-лучевым распылением металлической мишени на скорость нанесения и оптические характеристики.
Зырянова, А. С.
core