Results 71 to 80 of about 524 (100)

Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-4-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-·(AgIn-=SUB=-5-=/SUB=-S-=SUB=-8-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-

, 2018
И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан   +1 more
semanticscholar   +1 more source

Оптическая спектроскопия тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, облученных протонами

, 2013
Исследованы оптические свойства тонких пленок твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) облученных ионами водорода с энергией 2.5 – 10 кэВ в диапазоне доз 1014 – 1017 см-2.
Короткий, А. В., Рефахати, Н., Мудрый, А. В.   +2 more
core   +1 more source

Оптические и люминесцентные свойства нанокристаллов сульфида кадмия

, 2002
Получены нанокристаллы сульфида кадмия, внедренные в матрицу из органического материала, изучены их спектры поглощения и люминесценции, выполнена оценка их спектральных и полупроводниковых характеристик (ширина запрещенной зоны, сдвиг края поглощения,
Воронцова, М. М., Смынтына, Валентин Андреевич, Skobeeva, Valentyna M., Малушин, Николай Васильевич, Скобєєва, Валентина Михайлівна, Скобеева, Валентина Михайловна   +5 more
core  

Спектральные исследования влияния расфокусировки на процессы образования AlO и AlN в плазме при воздействии лазерных импульсов на алюминиевый сплав Д16Т в атмосфере воздуха

, 2019
В настоящее время материалами, перспективными для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике в качестве диэлектрических теплоотводящих подложек, являются оксиды и нитриды алюминия и керамические материалы на их основе.
Зажогин, А. П., Баззал, Ходор, Воропай, Е. С., Патапович, М. П.   +3 more
core  

Optical properties of In2Se3 thin films

, 2016
Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 К получены пленки соединения In2Sе3. Oпределен состав и структура пленок. Установлено, что полученные пленки кристаллизуются в гексагональной структуре.
Боднарь, И. В., Bodnar, I. V.
core  

Ab initio и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств GaInS3

Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности.
Сеидов, Рамиз Гекджа, Байрамова, Тунзале Октай кызы, Джахангирли, Закир Агасолтан оглы, Амирасланов, Имамаддин Раджабали оглы, Рахимли, Айсел Бахтияр кызы   +4 more
core   +1 more source

Влияние внешних факторов на стабильность оптических свойств нанокристаллов CdS

, 2008
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей.
Смынтына, Валентин Андреевич, Skobeeva, Valentyna M., Нагуляк, И. П., Скобєєва, Валентина Михайлівна, Скобеева, Валентина Михайловна   +4 more
core  

Радиационные эффекты в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2 при воздействии протонов

, 2013
С использованием методов оптического пропускания и фотолюминесценции (ФЛ) изучено влияние протонного облучения ~ 2.5 кэВ на оптические свойства тонких пленок Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Установлено, что ширина запрещенной зоны Eg пленок CIGS не изменяется при
Короткий, А. В., Рефахати, Н., Мудрый, А. В.   +2 more
core   +1 more source

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ СОЕДИНЕНИЯ SrNdCuSe3 [PDF]

, 2023
Русейкина, А. В., Коровина, Е. Е., Григорьев, М. В., Остапчук, Е. А.   +3 more
core  

Investigation of temperature dependencies of width of band gap of single crystals In2S3 of two structural modifications

, 2008
Методом Бриджмена–Стокбаргера выращены монокристаллы двух структурных модификаций соединения In2S3. Определен их состав, кристаллическая структура и параметры элементарной ячейки.
Полубок, В. А.
core